Sapphire Wafer 8' 'Diyası 200mm±0.2mm Kalınlığı 725Um C-Yatayı 99.99% Saf

8 inç safir vafer 200 mm çapında (± 0,2 mm), 725μm kalınlığında, C düzleminde, %99.99 saf

Bu yüksek saf 8 inçlik (200mm) safir levha, olağanüstü boyut hassasiyetine (± 0,2 mm çap, 725μm kalınlık) ve kristallografik yönelim (C düzlemi) sahiptir.zorlu optoelektronik ve yarı iletken uygulamaları için ideal hale getirir%99.99 saflığı ve üstün mekanik / termal istikrarı ile, levha LED, lazer diyot ve RF cihazı imalatı için optimum bir substrat olarak hizmet eder.Ünlü yüzeyi ve kimyasal inertliği sert ortamlarda güvenilirliği sağlar, büyük çapı maliyetli seri üretimi desteklerken.

Safira Wafers'in Önemli Özellikleri

Kesin Geometri:

• Çap: 200 mm ± 0,2 mm, standart yarı iletken aletlerle uyumluluğu sağlar.
• Kalınlığı: 725μm ± 25μm, mekanik dayanıklılık ve süreç istikrarı için optimize edilmiştir.

Kristallografik Mükemmellik:

• C düzlem (0001) yönelimi, LED/HEMT cihazlarında GaN'in epitaksiyel büyümesi için tercih edilir.
• Yüksek performanslı cihaz entegrasyonu için düşük dislokasyon yoğunluğu (<1.000 cm-2).

Çok yüksek saflık:

• >99.99% (4N) saflık, optik/elektrik performansını etkileyen kirlilikleri en aza indirir.

Güçlü Malzemeler:

• Sertlik: 9 Mohs, dayanıklılık için çizilmeye dayanıklı.
• Termal istikrar: Erime noktası ~ 2.050°C, yüksek sıcaklıklı işlemler için uygundur.
• Optik Şeffaflık: Görünür veya yakın IR spektrumlarında %85+ (350nm ¥4,500nm).

Yüzey kalitesi:

• Epitaksiye hazır cila: Ra <0,3nm kusursuz ince film çökümü için.
• İsteğe bağlı olarak çift taraflı cilalama.

Safir Wafers'in Uygulamalar

Optoelektronik:

Mavi/yeşil/beyaz LED'ler için substrat (InGaN/GaN epitaksi).

Ekranlarda ve iletişimlerde lazer diyotları (kıyıda yayımlayan/VCSEL'ler).

Güç Elektronikleri:

RF cihazları (5G/6G antenleri, güç güçlendirici) düşük dielektrik kaybı nedeniyle.

Elektrikli araçlar için yüksek elektron hareketliliği transistörleri (HEMT).

Endüstri ve Savunma:

Kızılötesi pencereler, füze kubbeleri (safir ̇s orta kızılötesi şeffaflığı).

Koroziv/abrazif ortamlarda sensörler için koruyucu kapaklar.

Gelişen teknolojiler:

Kuantum hesaplama (SPD kristal substratları).

Giyilebilir cihaz ekranları (kaşıntıya dayanıklı kapaklar).

Özellikler

S&A

S1: GaN epitaksi için neden C düzlem safirini seçtiniz?
A1:C düzleminin altıgen simetrisi GaN'in kristal yapısına eşleşir, ızgara uyumsuzluğunu azaltır ve LED'ler ve güç cihazları için yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlar.

S2: Kalınlık (725μm) wafer performansını nasıl etkiler?
A2:725μm, MOCVD süreçlerinde tekdüze ısı dağılımı için kritik olan termal iletkenlik ile mekanik istikrarı dengeler.

S3: Bu levha yüksek güçlü lazer uygulamaları için kullanılabilir mi?
A3:Yüksek ısı iletkenliği ve UV-NIR dalga boylarında şeffaflığı, lazer diyot substratları ve optik pencereler için uygundur.

S4:Özel yönelimler (örneğin, R düzlemi) mevcut mu?

A5:Evet, A düzlemi, R düzlemi ve M düzlemi levhaları SAW cihazları gibi özel uygulamalar için özelleştirilebilir.