Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri

Tüm ürünler

Galyum Nitrür Gofret (35)

Safir Gofret (88)

SiC Substrat (132)

Safir Optik Pencereler (77)

IC Silikon Gofret (22)

Sentetik Safir Çubuk (13)

Sigortalı Kuvars Levha (40)

Safir Parçaları (114)

Sentetik Taş (72)

Yarıiletken Ekipmanı (55)

LiNbO3 Gofret (18)

GaAs Gofret (24)

İndiyum Fosfür Gofret (34)

Seramik yüzey (25)

laboratuvar ambalajı (31)

Ben sohbet şimdi

Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri

Büyük resim : Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Çin
Marka adı:	ZMSH
Sertifika:	rohs
Model numarası:	Germanyum Substratlar

Ödeme & teslimat koşulları:

Teslim süresi:	2-4 Hafta
Ödeme koşulları:	T/T

İletişim

Detaylı ürün tanımı

Malzemeler::	Ge tek kristal	Çapraz::	0,5~150mm
Kalınlık::	0,5 mm	Tip::	N-tipi/ P-Tipi/ Katkısız
Yüzey::	Cilalı/kazınmış	Direnç::	0.1~60ohm.cm
Endüstri::	yarı iletken yüzeyler, cihaz, optik
Vurgulamak:	CPV germanium levha , özel boyutlu germanium levha , yarı iletkenli germanium levha

Ürün Tanımı

Ge germanium levha yarı iletken substratları <111> yoğunlaşan fotovoltaik CPV özel boyut şekilleri

Germanium iyi yarı iletken özelliklere sahiptir. Yüksek saflıkta olan germanium, P tipi germanium yarı iletkenleri elde etmek için üç değerli elementlerle (örneğin, indiyum, galiyum, bor) dopalandır.ve pentavalent elementler (eN-tip germaniyum yarı iletkenleri elde etmek için dopedilen kimyasal maddeler yüksek elektron hareketliliğine ve yüksek delik hareketliliğine sahiptir.Yüksek kaliteli germaniyum substratları yoğunlaşmış fotovoltaiklerde (CPV) kullanılabilir, uzay güneş panelleri ve yüksek parlaklıklı ışık yayıcı diyot (LED) uygulamaları.

Özellikleri

- Çerez sabitleri silikondan daha fazladır, bu da heterostructürlerin yapımına elverişlidir.

- Yüksek elektron hareketliliği, silikonun yaklaşık 3 katı, yüksek hızlı elektronik cihazların üretimi için uygundur.

- Küçük bant genişliği (0,67 eV) kızılötesi fotoelektrik algılama ve emisyon uygulamaları için uygundur.

Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri 2

Radyasyona daha duyarlıdır ve radyasyona duyarlı elektronik ekipmanlar için uygundur.

İşleme teknolojisi nispeten karmaşık ve maliyeti yüksek.

Teknik parametreler

Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri 3

Başvurular

1Yüksek frekanslı analog ve RF elektronik: mikrodalga diyotlar, transistörler, entegre devreler; Mikrodalga frekans bandındaki radar ve iletişim gibi elektronik ekipman.

2Kızılötesi fotoelektrik algılama ve emisyon: kızılötesi dedektör, termal görüntüleyici; kızılötesi yayıcı diyotlar, lazer diyotlar.

3Radyasyona Duyarlı Elektronik Ekipmanlar: Bileşik Yarım iletken Heterostructure: Havacılık Aviyonik Sistemi; Nükleer enerji santralleri ve askeri alanda elektronik ekipman.

4Bileşik yarı iletken heterostructure: GaAs, InP, vb. gibi III-V bileşikleri için substrat malzemeleri; Heterogen yapı güneş hücreleri, lazer diyotları vb.

Hizmetlerimiz

1Fabrika direkt üretimi ve satışı.

2Hızlı, doğru alıntılar.

324 iş saati içinde yanıt vereceğiz.

4. ODM: Özel tasarım mevcuttur.

5Hızlı ve değerli teslimat.

Sık Sorulan Sorular

1. S: Nasıl ödeyeceğim?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Güvenli ödeme ve ticaret
'da güvence ve benzeri.

2S: İhtiyaçlarıma göre ürünleri özelleştirebilir miyim?
A: Evet, malzemeyi özelleştirebiliriz, optik bileşenleriniz için özellikler
İhtiyaçlarınıza göre.

3Soru: MOQ'unuz nedir?
A: (1) Envanter için, MOQ 3pcs'dir.
(2) Özel ürünler için, MOQ 25pcs'dir.

Etiket:

İlgili kişi: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Diğer ürünler

Bakır Isı Havuzu Substrat düz tabanlı iğne tipi yüksek güçlü elektronik cihaz Cu≥99.9%

Products:: Copper Heat Sink substrate

Bakır Saflık:: % 99.9

Type:: Flat Base and Pin-Fin

Thermal conductivity:: ≥380W/(m·K)

InAs Indium Arsenide2 inç 3 inç 4 inç Tek Kristal Substrat N/P Tipi Yarım iletken Wafer Kalınlığı 300-800um

Malzeme: İndiyum Arsenür

Boyut: 2 inç 3 inç 4 inç

Kalınlığı: 500um/600μm/800μm ±25 um

Oryantasyon: <100>

Germanium Substrate GE Düz Pencereler Optik Lensler Isı Görüntüleme Uygulamaları Ve Kızılötesi Spektroskopi Yüksek Sertlik

Malzemeler:: Ge tek kristal

Çapraz:: 2-450mm

Çap toleransları:: +/-0.1

Yüzey:: 60-40 Standart

Magnezyum oksit saflığı 95% MgO Film Substrate 5x5 10x10 20x20 Kalınlığı 0,5mm 1,0mm Yönlendirme <001> <110> <111>

Malzemeler: MgO Tek Kristal

ENDÜSTRİ: yarı iletken yüzeyler, cihaz,

Renk: Beyaz

Kristal yapı: Küp

InP Lazer Epitaxial Wafer Indium Fosfide Wafer DFB/EML Akıllı algılama için Expitaxial Wafer

Malzeme: İndyum Fosfür

Boyut: 2 inç/ 3 inç

Kalınlığı: Özel

katkı maddesi: Fe/Si