Mesaj gönder
Ürünler
Ürünler
Ev > Ürünler > İndiyum Fosfür Gofret > DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için

Ürün Detayları

Place of Origin: China

Marka adı: ZMSH

Ödeme ve Nakliye Şartları

Delivery Time: 2-4weeks

Payment Terms: T/T

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

2 inç InP substrat epiwafer

,

4 inçlik InP substrat epiwafer

,

6 inç InP substrat epiwafer

Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Ön Güç:
>8
Doping control:
Better than ± 10%
PLWavelength uniformity:
Std, Dev better than inm @inner 42mm
P-InP doping (cm³):
Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm3):
Si doped: 5e17 to 3e18
InGaAs doping (cm·*):
5e14 to 4e19
Ön Güç:
>8
DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için

DFB wafer N-InP substrat epiwafer'ın özetleri

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 0

N-tip Indium Fosfür (N-InP) substratı üzerindeki dağıtılmış geri bildirim (DFB) levha, yüksek performanslı DFB lazer diyotlarının üretiminde kullanılan kritik bir malzemedir.Bu lazerler tek mod gerektiren uygulamalar için gereklidir.DFB lazerleri tipik olarak 1.3 μm ve 1.55 μm dalga boyları aralığında çalışır.optik liflerde düşük kayıplı iletim nedeniyle fiber optik iletişim için optimaldir.

Bun-tip InP altyapısıaktif bölgeyi, kaplama katmanlarını ve DFB lazerinin entegre ızgara yapısını oluşturmak için kullanılan InGaAsP gibi epitaksyal katmanlar için mükemmel bir ızgara eşleşmesi sağlar.Bu ızgara hassas geri bildirim ve dalga boyu kontrolü sağlar, uzun mesafeli iletişim ve Dalga Boyutu Bölümü Multiplexing (WDM) sistemleri için idealdir.

N-InP substratları üzerindeki DFB epiwaferlerinin ana uygulamaları arasında yüksek hızlı optik alıcılar, veri merkezi bağlantıları, çevresel gaz algılama,ve optik tutarlılık tomografisi (OCT) ile tıbbi görüntülemeWafer'in yüksek hızlı modülasyon, dalga boyu istikrarı ve dar spektral çizgi genişliği gibi performans özellikleri, modern iletişim ve algılama teknolojileri için vazgeçilmez hale getirir.


DFB wafer N-InP substrat epiwafer'in özellikleri

Substrat malzemesi: N-tip indiyum fosfür (N-InP)

  • Döşeme Eşleşimi: N-InP substratı, InGaAsP veya InAlGaAs gibi epitaksyal katmanlar ile mükemmel bir ızgara eşleşmesi sağlar, bu da güvenilirlik için kritik olan kusurları ve gerilmeyi azaltır.Yüksek performanslı lazer işlevi.
  • Yüksek Elektron Hareketliliği: InP, yüksek hızlı DFB lazerler için gerekli olan verimli taşıyıcı taşımacılığı sağlayan yüksek elektron hareketliliğine sahiptir.
  • Doğrudan Bandgap: InP, doğrudan 1.344 eV bant boşluğuna sahiptir ve özellikle 1.3 μm ve 1.55 μm dalga boyları aralığında kızılötesi spektrumda verimli ışık emisyonuna olanak tanır.

Aktif Bölge ve Epitaxial Katmanlar

  • InGaAsP/InAlGaAs Aktif Katmanı: Genellikle InGaAsP'den oluşan aktif bölge, elektron deliği rekombinasyonunun gerçekleştiği ve fotonların üretildiği yerdir.3 μm veya 1.55 μm) optik iletişim için.
  • Kaplama katmanları: Etkin bölgeyi çevreleyerek, optik bir sınırlama sağlayarak, verimli lazer için ışığın aktif bölge içinde kalmasını sağlar.
  • Çizgi katmanı: DFB yapısı, tek modlu çalışma ve hassas dalga boyu kontrolü için geri bildirim sağlayan yerleşik bir ızgara içerir.

Çalışma Dalga Boyutu

  • 1.3 μm ve 1.55 μm: Bu dalga boyları, optik liflerdeki minimum iletim kayıpları nedeniyle fiber optik iletişim için idealdir, bu da epiwafer'i telekom uygulamaları için çok önemlidir.
  • Tek modlu ve dar çizgi genişliği

    • DFB lazerleri tek modlu çalışma için tasarlanmıştır, çok dar bir spektral çizgi genişliğine sahip ışık üretir.Yüksek hızlı veri aktarımı ve optik iletişim sistemlerinde gürültü azaltımı için kritik olan.

Dalga boyu istikrarı

  • Entegre ızgara: DFB yapısındaki ızgara, laseri uzun mesafeli iletişim ve WDM sistemleri için son derece güvenilir hale getiren istikrarlı dalga boyu çıkışını sağlar.
  • Sıcaklık istikrarı: N-InP substratları üzerindeki DFB epiwaferler, geniş bir sıcaklık aralığında tutarlı bir performans sağlayarak mükemmel bir sıcaklık istikrarı sunar.

Düşük Sınır Akımı

  • DFB lazerinin N-InP substratındaki optimize edilmiş yapısı, düşük eşiği akımlarına yol açar, yani lazerlemeyi başlatmak için daha az güç gereklidir, bu da bu levhaları son derece enerji verimli hale getirir.

Yüksek Hızlı Modülasyon Yeteneği

  • Yüksek elektron hareketliliği ve InP'de verimli taşıyıcı enjeksiyonu nedeniyle, N-InP substratları üzerindeki DFB lazerleri yüksek hızlı modülasyon yapabilmektedir.Yüksek hızlı optik alıcılarda ve veri merkezi bağlantılarında kullanılmaları için ideal hale getiriyor.


DFB wafer N-InP substrat epiwafer'in PL haritalama testi ((ZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 1


DFB wafer N-InP substrat epiwafer'in XRD ve ECV testi sonucu

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 2


DFB wafer N-InP substrat epiwafer'in uygulaması

N-tip Indium Fosfür (N-InP) substratları üzerindeki DFB (Distributed Feedback) levhaları çeşitli yüksek performanslı optoelektronik uygulamalarda, özellikle tek mod,dar çizgi genişliğinde ışık emisyonu gereklidirAşağıda temel uygulamalar bulunmaktadır:

Optik iletişim

  • Uzak mesafeli Fiber Optik Ağlar: N-InP substratları üzerindeki DFB lazerleri, uzun mesafeli optik iletişim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Tek mod çıkışı 1,3 μm ve 1 μm gibi dalga boylarında.Optik liflerde sinyal kaybını en aza indirmek için 55 μm en iyisidir, yüksek hızlı veri aktarımı için idealdir.
  • WDM (dalga boyu bölünmesi çoklulaştırma) sistemleri: yoğun WDM sistemlerinde, DFB lazerleri farklı kanallar için kesin dalga boyları üretmek için kullanılır.Dar çizgi genişliği ve dalga boyu istikrarı optik spektrumdaki kanal sayısını en üst düzeye çıkarmak için gereklidir..

Veri Merkezi Bağlantıları

  • Yüksek Hızlı Veri İletişim: DFB lazerleri, veri merkezleri içindeki kısa-orta mesafeli yüksek hızlı veri aktarımı için kullanılan optik alıcılarda kullanılır.Yüksek frekanslı modülasyon yetenekleri ve düşük güç tüketimi, enerji verimli operasyonlar için kritik önem taşımaktadır.

Çevre Gazı Algılama

  • Gaz tespiti: DFB lazerleri, CO2 ve CH4 gibi belirli gazları tespit etmek için çevresel gaz sensörlerinde kullanılır.endüstriyel ve çevresel izleme uygulamaları için son derece hassas ölçümler yapılabilir.
  • Lazer Absorpsiyon Spektroskopi: DFB lazerleri dar çizgi genişliği ve istikrarlı çıkış sağlar, bu da onları hassas gaz algılama ve spektroskopi uygulamaları için idealdir.

Tıbbi teşhis (Optik Koherans Tomografisi - OCT)

  • Oftalmoloji ve Dermatoloji: DFB lazerleri, biyolojik dokuların yüksek çözünürlüklü görüntülenmesi için yaygın olarak kullanılan Optik Koherans Tomografi (OCT) sistemlerinde kullanılır.Dar spektral çizgi genişliği ve istikrarlı dalga boyu çıkışı net ve ayrıntılı görüntüler üretmeye yardımcı olur, oftalmoloji ve dermatolojide invaziv olmayan teşhisler için gereklidir.

LIDAR (ışık algılama ve menzil) sistemleri

  • Özerk Araçlar ve 3 boyutlu haritalama: DFB lazerleri LIDAR sistemlerinde mesafeleri ölçmek ve haritalama ortamları için kullanılır.Dar çizgi genişliği ve istikrarlı performansı, otonom sürüşte doğru mesafe ölçümleri ve nesne tespitini sağlar, dronlar ve 3 boyutlu haritalama sistemleri.

Uydu ve Uzay İletişimi

  • Yüksek Frekanslı İletişim: DFB lazerleri, yüksek frekanslı, uzun mesafeli veri sinyallerini iletmek için uydu iletişim sistemlerinde kullanılır.Dalga boyu istikrarları ve düşük güç tüketimi güvenilir uzay iletişimleri için hayati önem taşımaktadır., sıcaklık ve çevresel koşullar değişebilir.

Fotonik Entegre Devre (PIC)

  • Entegre Optoelektronik: DFB epiwaferleri, birden fazla optik bileşeni, örneğin lazerleri, modülatörleri ve dedektörleri tek bir çipte birleştiren fotonik entegre devrelerde (PIC) kullanılır.Bu devreler, yüksek hızlı veri iletişiminde ve sinyal işleme uygulamalarında gereklidir..

Askeri ve Havacılık

  • Güvenli İletişim ve Hedefleme: DFB lazerleri güvenli, yüksek frekanslı iletişim için askeri uygulamalarda kullanılır.Dar hat genişliği ve dalga uzunluğu istikrarları karmaşık iletişim ortamlarında sinyal müdahalelerini en aza indirmek için çok önemlidir..
  • Hassas Hedefleme: Havacılık ve savunmada, DFB lazerleri, hassas dalga boyu kontrolü ve istikrar gerektiren hedefleme ve rehberlik sistemlerinde kullanılır.

Kesinlik Spektroskopisi

  • Bilimsel Araştırmalar: DFB lazerleri malzemelerin ve kimyasal bileşiklerin ayrıntılı analizi için hassas spektroskopide kullanılır.Dar çizgi genişliği ve ayarlanabilir dalga uzunluğu, bilimsel araştırma ve endüstriyel uygulamalarda doğru ölçümler için idealdir.


DFB wafer N-InP substrat epiwafer'in gerçek fotoğrafları

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 3DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 4

DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 5DFB wafer N-InP substrat epiwafer aktif katman InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inç gaz sensörü için 6


Anahtar Kelimeler:DFB wafe,r N-InP substrat epiwafer,aktif katman InGaAlAs/InGaAsP