Ev
>
Ürünler
>
İndiyum Fosfür Gofret
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | zmkj |
| Model numarası | InP-3inch |
LD Lazer Diyot için 4 inç Yarı Yalıtımlı İndiyum Fosfit InP Gofret, yarı iletken levha, 3 inç InP levha, tek kristal levha LD uygulaması için 2 inç 3 inç 4 inç InP alt tabakalar, yarı iletken levha, InP levha, tek kristal levha
InP tanıtmak
| InP tek kristal | |
|
|
|
büyüme (modifiye Czochralski yöntemi) tek bir çekmek için kullanılır bir tohumdan başlayarak bir borik oksit sıvı kapsülleyici yoluyla kristal. Katkı maddesi (Fe, S, Sn veya Zn) polikristal ile birlikte potaya eklenir.İndiyum Fosfidin ayrışmasını önlemek için haznenin içine yüksek basınç uygulanır.o şirketP tek kristalinde tamamen stokiyometrik, yüksek saflıkta ve düşük dislokasyon yoğunluğu elde etmek için bir süreç geliştirmiştir. sayısal bir bağlantıyla bağlantılı olarak bir termal bölme teknolojisine termal büyüme koşullarının modellenmesi.tCZ uygun maliyetlidir boule'den boule'ye yüksek kalitede tekrarlanabilirliğe sahip olgun teknoloji |
|
Şartname
Fe Katkılı InP
Yarı Yalıtımlı InP Spesifikasyonları
| Büyüme Yöntemi | VGF |
| dopant | Demir (FE) |
| Gofret Şekli | Yuvarlak (ÇAP: 2", 3" ve 4") |
| Yüzey Yönü | (100)±0.5° |
*Diğer Yönlendirmeler istek üzerine sağlanabilir
| Direnç (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Hareketlilik (cm2/VS) | ≥ 1.000 |
| Aşındırma Adım Yoğunluğu (cm2) | 1.500-5.000 |
| Gofret Çapı (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 |
| Kalınlık (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ÇÖZGÜ (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| (mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 |
| OF / EĞER (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Lehçe* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Kazınmış, P=Cilalı
Not: Diğer Özellikler istek üzerine sağlanabilir
n- ve p-tipi InP
Yarı İletken InP Spesifikasyonları
| Büyüme Yöntemi | VGF |
| dopant | n-tipi: S, Sn VE Katkısız;p tipi: Zn |
| Gofret Şekli | Yuvarlak (ÇAP: 2", 3" ve 4") |
| Yüzey Yönü | (100)±0.5° |
*Diğer Yönlendirmeler istek üzerine sağlanabilir
| dopant | S & Sn (n-tipi) | Katkısız (n-tipi) | Zn (p-tipi) |
| Taşıyıcı Konsantrasyonu (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | (1-10) × 1015 | (0.8-8) ×1018 |
| Hareketlilik (cm2/VS) | (1-2.5) × 103 | (3-5) × 103 | 50-100 |
| Aşındırma Adım Yoğunluğu (cm2) | 100-5.000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Gofret Çapı (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 |
| Kalınlık (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| ÇÖZGÜ (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| (mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 |
| OF / EĞER (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Lehçe* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Kazınmış, P=Cilalı
Not: Diğer Özellikler istek üzerine sağlanabilir
| InP Gofret işleme | |
|
|
| Her külçe, üst üste bindirilmiş, cilalanmış ve epitaksi için hazırlanmış yüzeyleri olan gofretler halinde kesilir.Genel süreç aşağıda ayrıntılı olarak açıklanmıştır. | |
|
|
| Daire özellikleri ve tanımlama | Yön, gofretler üzerinde iki düzlükle belirtilir (yönlendirme için uzun düz, tanımlama için küçük düz).Genellikle EJ standardı (Avrupa-Japonca) kullanılır.Alternatif düz konfigürasyon (ABD) çoğunlukla Ø 4" gofretler için kullanılır. |
|
|
| boule'un oryantasyonu | Tam (100) veya yanlış yönlendirilmiş gofretler sunulur. |
|
|
| OF oryantasyonunun doğruluğu | Optoelektronik endüstrisinin ihtiyaçlarına cevap olarak, BizOF oryantasyonunun mükemmel doğruluğu ile gofretler sunar: < 0.02 derece.Bu özellik, kenar yayan lazerler yapan müşteriler ve ayrıca ayrı kalıpları parçalayan üreticiler için önemli bir avantajdır.tasarımcılarının ??gayrimenkul??sokaklarda harcandı. |
|
|
| Kenar profili | İki ortak özellik vardır: kimyasal kenar işleme veya mekanik kenar işleme (kenar taşlama ile). |
|
|
| parlatma | Gofretler, düz, hasarsız bir yüzey ile sonuçlanan kimyasal-mekanik bir işlem vasıtasıyla parlatılır. Bizhem çift taraflı cilalı hem de tek taraflı cilalı (arka yüzü bindirmeli ve kazınmış) gofretler sağlar. |
|
|
| Son yüzey hazırlığı ve paketleme | Gofretler, cilalama sırasında oluşan oksidi uzaklaştırmak ve epitaksiyel büyümeye hazır, iz elementleri son derece düşük seviyelere indiren stabil ve homojen oksit tabakasına sahip temiz bir yüzey oluşturmak için birçok kimyasal aşamadan geçer.Son kontrolden sonra gofretler yüzey temizliğini koruyacak şekilde paketlenir. Her tür epitaksiyel teknoloji (MOCVD, MBE) için oksit giderme için özel talimatlar mevcuttur. |
|
|
| Veri tabanı | İstatistiksel Proses Kontrolü/Toplam Kalite Yönetimi Programımızın bir parçası olarak, her külçe için elektriksel ve mekanik özelliklerin yanı sıra kristal kalitesi ve gofretlerin yüzey analizlerini kaydeden kapsamlı bir veri tabanı mevcuttur.Üretimin her aşamasında, gofretten gofrete ve boule'den boule'e yüksek düzeyde kalite tutarlılığını korumak için ürün bir sonraki aşamaya geçmeden önce kontrol edilir. |
Paket teslimatı
SSS:
S: MOQ ve teslimat süreniz nedir?
C: (1) Envanter için minimum sipariş miktarı 5 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10-30 adettir.
(3) Özelleştirilmiş ürünler için, teslim süresi 10 gün, özelleştirilmiş boyut 2-3 hafta
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
