LD için birincil / Kukla Sınıf İndiyum Fosfür Gofret Kalınlığı 350um

Tüm ürünler

Galyum Nitrür Gofret (35)

Safir Gofret (88)

SiC Substrat (132)

Safir Optik Pencereler (77)

IC Silikon Gofret (22)

Sentetik Safir Çubuk (13)

Sigortalı Kuvars Levha (40)

Safir Parçaları (114)

Sentetik Taş (72)

Yarıiletken Ekipmanı (55)

LiNbO3 Gofret (18)

GaAs Gofret (24)

İndiyum Fosfür Gofret (34)

Seramik yüzey (25)

laboratuvar ambalajı (31)

Ben sohbet şimdi

LD için birincil / Kukla Sınıf İndiyum Fosfür Gofret Kalınlığı 350um

Büyük resim : LD için birincil / Kukla Sınıf İndiyum Fosfür Gofret Kalınlığı 350um

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Çin
Marka adı:	zmkj
Model numarası:	InP-2inch

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı:	3PCS
Fiyat:	by case
Ambalaj bilgileri:	tek gofret kılıfı
Teslim süresi:	1-4Weeks
Yetenek temini:	1000pcs/ay

İletişim

Detaylı ürün tanımı

Malzemeleri:	InP tek kristal	Sanayi:	yarı iletken substratlar ， cihaz ，
Renk:	siyah	Türü:	N-tipi P-tipi
Boyutu:	2inch	Kalınlığı:	350um
Vurgulamak:	mgo substrat , boşluk gofret

2 inç N-tipi P-tipi kalınlığı 350um birincil sınıf Kukla sınıf Indiyum Fosfür kristal InP substratlar için gofret LD

İndiyum fosfid tek kristalli malzeme, en önemli yarı iletken bileşenden biridir. Bu, indiyum fosfid substrat (LD), ışık yayan diyot (LED), optik iletişim üretiminde fotodetektörün lazer diyotu için temel hammaddedir. Bu parçalar bilgi başlatma, aktarma, yükseltme, alım işlevi oynarlar.

İndiyum fosfit, HEMT, HBT ve benzeri gibi yüksek frekanslı cihazlar için idealdir. Büyük özelliği nedeniyle, yaygın olarak fiber optik iletişim, mikrodalga, millietrik dalga, güneş pilinin anti-radyasyon, heterojunction transistör, diğer kullanılır benzer ileri teknoloji vb. İndiyum fosfid tek kreftal malzeme ana üretim yöntemleri LEC, geliştirilmiş LEC, VCZ / PC-LEC, VGF, VB vb.

Şartname

madde	Çap	tip	konsantrasyon taşıyan	Hareketlilik	özdirenç	MPD
S-InP	2	N-	(0.8-6) X10 ^ 18	(1.5-3.5) x10 ^ 3		<500
	3					<500
	4					<1x10 ^ 3
Fe-InP	2/3/4	Sİ		> 1000	> 0.5x10 ^ 7	> 5x10 ^ 3
Zn-InP	2/3/4	P	(0,6-6) X10 ^ 18	50-70		<1x10 ^ 3
Hiçbir uyuşturucu InP	2	N-	<3x10 ^ 16	(3.5-4) x10 ^ 3		<5x10 ^ 3
	Diğer
Oryantasyon		(100) / (111) yaklaşık 0.5 ° ±		düzlük
				TTV	yay	eğrilik
				<12um	<12um	≤15um
1. Daire		16 ± 2 mm		22 ± 2 mm	32.5 ± 2.5mm
2'nci Daire		8 ± 1 mm		11 ± 2 mm	32.5 ± 2.5mm
Yüzey: 1sp veya 2sp, 2inç 350 ± 25um, 3inç 600 ± 25um, 4inç 625 ± 25um veya özelleştirilmiş

Üretimimizin çoğu birinci sınıf gofretlerden oluşmaktadır. Bununla birlikte, her boule'da, bazı test sınıfı gofretler mevcuttur. Test gofretleri, premium gofretlere göre aynı elektriksel performansa ve geometrik özelliklere sahiptir, ancak küçük bir yerel hasar ile:
- Ön taraftaki çizik veya çukur veya leke gibi bir yüzey hatası,
- Yüksek EPD veya ikiz lamel gibi bir kristal kusur. İkincisi <110> yönünde 2 paralel çizgiden oluşur. Bu 2 çizgi arasında, tüm gofretin aksine yönelim (100) değildir; 2 hat arasındaki mesafe çok küçüktür (<1mm).
Tüm yüzeyin% 95'inden fazlası, kalibrasyon çalışmaları için faydalı olan üstün kalite. Her bir gofret için bir etiket üzerinde kusur tipi belirtilir.

Numune

SSS

Neden bizi seçmelisiniz - ZMKJ.

Yarı mamullerde 5 yıllık tecrübe ＆ optik alanı;
Fabrikamızda profesyonel atölye üretim hattı;
Uzmanlaşmış optik ve gofret işlem bilgisi;
Yüksek kalite kontrol seviyesi;
Küçük sipariş kabul edilebilir;
Özelleştirilmiş Ürünler gerektiği gibi;
Diğer ülke şirketi için İşbirliği Deneyimi.

İşlem süresi

Teslim süresi: 10-25 gün

Nakliye süresi: Exw fabrika, FOB Shanghai

Teslim süresi: ekspres servis / hava taşımacılığı

Ödeme süresi: T / T 100% peşin veya sipariş üzerine Mevduat

Ambalaj ve nakliye

Optikler çoğunlukla küçük boyutlarda olduğu için, Express'i kullanmayı tercih ediyoruz.

Eğer teslimat için Express hesabı sağlayabilir, destekleri için teşekkürler çok takdir edilecektir!

Etiket:

İlgili kişi: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Diğer ürünler

Bakır Isı Havuzu Substrat düz tabanlı iğne tipi yüksek güçlü elektronik cihaz Cu≥99.9%

Products:: Copper Heat Sink substrate

Bakır Saflık:: % 99.9

Type:: Flat Base and Pin-Fin

Thermal conductivity:: ≥380W/(m·K)

InAs Indium Arsenide2 inç 3 inç 4 inç Tek Kristal Substrat N/P Tipi Yarım iletken Wafer Kalınlığı 300-800um

Malzeme: İndiyum Arsenür

Boyut: 2 inç 3 inç 4 inç

Kalınlığı: 500um/600μm/800μm ±25 um

Oryantasyon: <100>

Germanium Substrate GE Düz Pencereler Optik Lensler Isı Görüntüleme Uygulamaları Ve Kızılötesi Spektroskopi Yüksek Sertlik

Malzemeler:: Ge tek kristal

Çapraz:: 2-450mm

Çap toleransları:: +/-0.1

Yüzey:: 60-40 Standart

Ge Germanium Wafer Yarım iletken substratları <111> Konsantrasyon Fotovoltaik CPV Özel Boyut Şekilleri

Malzemeler:: Ge tek kristal

Çapraz:: 0,5~150mm

Kalınlık:: 0,5 mm

Tip:: N-tipi/ P-Tipi/ Katkısız

Magnezyum oksit saflığı 95% MgO Film Substrate 5x5 10x10 20x20 Kalınlığı 0,5mm 1,0mm Yönlendirme <001> <110> <111>

Malzemeler: MgO Tek Kristal

ENDÜSTRİ: yarı iletken yüzeyler, cihaz,

Renk: Beyaz

Kristal yapı: Küp

LD için birincil / Kukla Sınıf İndiyum Fosfür Gofret Kalınlığı 350um

LD için birincil / Kukla Sınıf İndiyum Fosfür Gofret Kalınlığı 350um

mgo substrat

boşluk gofret

mgo substrat,

boşluk gofret,

inp gofret