Özel SiC Tepsisi:CVD SiC SSiC Düz oluklu Yüksek ısı iletkenliği Düşük ısı genişleme katsayısı

Ürün Bilgileri

      Silisyum Karbür (SiC) Tepsi, yarı iletken wafer işleme, yüksek sıcaklık termal işleme, CVD/PECVD sistemleri, vakum fırınları ve diğer zorlu endüstriyel ortamlar için tasarlanmış yüksek performanslı hassas seramik taşıyıcıdır.

Ana işlevleri şunlardır:

• Waferleri ve işlem bileşenlerini destekleme
• İşleme sırasında waferleri konumlandırma
• Wafer transferi ve elleçleme
• Yüksek sıcaklık işlemleri sırasında bileşenleri destekleme
• Yarı iletken ekipmanlarda hassas seramik bileşen olarak hizmet verme

      Kamuoyuna açık SiC wafer tepsi ürünümüz, yarı iletken wafer işleme, CVD/PECVD sistemleri, vakum fırınları ve yüksek sıcaklık endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Uygulamaya bağlı olarak yüksek saflıkta CVD SiC veya SSiC kullanılabilir.   





Üretim Süreci
 

      Gerçek üretim süreci, SiC malzeme sistemine ve uygulama gereksinimlerine bağlı olarak değişir. Tipik bir üretim rotası şunları içerir:
 

1. Hammadde Seçimi ve Hazırlığı
      Saflık ve uygulama gereksinimlerine göre CVD SiC, SSiC veya başka uygun bir SiC malzemesi seçilir.

↓

2. Şekillendirme / Ön Şekil Hazırlığı

↓

3. Sinterleme / Yoğunlaştırma

↓

4. Hassas İşleme
      Gerekli boyutları, montaj deliklerini, yuvaları ve yapısal özellikleri elde etmek için CNC işleme ve taşlama kullanılır.

↓

5. Taşlama / Parlatma
      Fonksiyonel yüzeyler, uygulama gereksinimlerine göre hassas bir şekilde taşlanabilir, honlanabilir veya parlatılabilir.

↓

6. Temizleme ve Muayene

↓

7. Koruyucu Paketleme ve Sevkiyat
      Kamuoyuna açık ürün bilgilerimiz, üretim rotasının bir parçası olarak şekillendirme, sinterleme ve hassas CNC işlemesini belirtir ve ayrıca mevcut bitirme yöntemleri olarak hassas taşlama/parlatmayı listeler.                                       



Anahtar Özellikler

1. Mükemmel Yüksek Sıcaklık Stabilitesi
      SiC tepsiler, yüksek sıcaklık işleme ortamları için uygundur ve zorlu termal koşullar altında yapısal stabiliteyi koruyabilir. Yayınlanmış ürün verileriniz, çalışma sıcaklığının ≤1600°C olduğunu belirtir, ancak gerçek sıcaklık kapasitesi belirli SiC sınıfına ve işlem ortamına bağlıdır.

2. Mükemmel Termal İletkenlik
      SiC, yüksek termal iletkenlik sunarak verimli ısı transferini ve daha homojen sıcaklık dağılımını desteklemeye yardımcı olur.     
                                                                                                                       

3. Mükemmel Termal Şok Direnci
      Tekrarlanan ısıtma ve soğutma döngülerini içeren uygulamalar için çok uygundur.
 

4. Yüksek Mekanik Mukavemet
      SiC seramikler, yüksek mekanik mukavemet ve sertlik sağlayarak uzun süreli yüksek sıcaklık çalışması sırasında boyutsal stabiliteyi korumaya yardımcı olur.
 

5. Kimyasal ve Plazma Direnci
      SiC, aşındırıcı gazlar ve plazma içeren zorlu yarı iletken ortamlarında iyi kimyasal stabilite ve direnç sağlar.
 

6. Hassas İşleme
      Tepsi, boyutlar, yuvalar, delikler ve karmaşık yapılar dahil olmak üzere müşteri çizimlerine göre işlenebilir, taşlama veya parlatma uygulama gereksinimlerine göre mevcuttur.

 7. Tamamen Özelleştirilebilir

• Çap

• Kalınlık

• Yuvalar

• Montaj Delikleri

• Yapı

• Yüzey Kaplaması

      Kamuoyuna açık ürün sayfanız, müşteri çizimleri veya uygulama gereksinimlerine dayalı OEM/ODM özelleştirmesini açıkça desteklemektedir.


​
Anahtar Özellikler

      Müşterinin sıcaklık, atmosfer, saflık ve kirlilik kontrolü ile ilgili gereksinimlerine göre malzeme seçebiliriz.


Uygulamalar
1.Yarı İletken Üretimi:
      Wafer desteği, taşıma, transfer ve yüksek sıcaklık yarı iletken işlemleri için kullanılır.

2.CVD / PECVD İşleme:
      CVD ve PECVD işleme sistemleri için uygundur.

3.Difüzyon, Oksidasyon ve Tavlama:
      Wafer difüzyonu, oksidasyonu ve yüksek sıcaklık tavlama işlemlerinde kullanılır.

4.RTP / Epitaksi İşleme
      Seçilmiş RTP ve epitaksi işleme sistemlerine uygulanabilir.

5.LED ve Optoelektronik
      Uygulamalar arasında safir wafer işleme, LED epitaksi taşıyıcı sistemleri ve yüksek sıcaklık alt tabaka desteği bulunur.

6.Vakum ve Termal Fırın
      Yüksek sıcaklık sinterleme tepsileri, vakum fırın taşıyıcıları ve termal işleme armatürleri olarak kullanılır.

7.Toz Metalurji ve Gelişmiş Malzemeler
      Yarı iletken uygulamalarının ötesinde, SiC tepsiler toz metalurjisi, gelişmiş seramik sinterleme ve pil malzemesi termal işlemede de kullanılabilir.

SSS
S1. SiC Tepsi ne için kullanılır?
      Esas olarak CVD, PECVD, difüzyon, oksidasyon, tavlama ve RTP gibi yüksek sıcaklık yarı iletken işlemlerinde waferleri veya diğer bileşenleri desteklemek, taşımak, konumlandırmak ve işlemek için kullanılır.

S2. SiC Tepsi özelleştirilebilir mi?
      Evet. Boyutlar, kalınlık, şekil, yuva geometrisi, montaj delikleri ve karmaşık yapılar, müşteri çizimleri ve uygulama gereksinimlerine göre özelleştirilebilir.

S3. Hangi malzeme seçenekleri mevcuttur?
      Yayınlanan ürün yelpazesi CVD SiC, SSiC ve RBSiC'yi içerir. Saflık, çalışma sıcaklığı, işlem atmosferi, kirlilik gereksinimleri ve maliyet hedeflerine göre uygun malzeme seçilmelidir.

S4. Teklif için hangi bilgiler gereklidir?
      Malzeme + Boyut + Kalınlık + Yapı + Yuva/Delik Detayları + Yüzey Kaplaması + Tolerans + Miktar + Uygulama + Çalışma Sıcaklığı
      Standart olmayan ürünler için bir 2B çizim veya 3B CAD dosyası şiddetle tavsiye edilir.

S5. Maksimum çalışma sıcaklığı nedir?
      Mevcut kamuoyuna açık SiC Tepsi ürün sayfanız, çalışma sıcaklığının ≤1600°C olduğunu belirtir. Gerçek kullanılabilir sıcaklık, malzeme sınıfına ve işlem ortamına göre doğrulanmalıdır.

S6. Yüzey parlatılabilir mi?
      Evet. Uygulama gereksinimlerine göre hassas taşlama veya parlatma sağlanabilir.

S7. OEM/ODM sağlayabilir misiniz?
      Evet. OEM/ODM özelleştirmesi, müşteri çizimleri ve uygulama gereksinimlerine göre desteklenir.

S8. Neden kuvars veya grafit yerine SiC seçilmeli?
      SiC, yüksek sıcaklık stabilitesi, mekanik mukavemet, termal performans ve kimyasal stabilite açısından avantajlar sunar. Ancak, malzeme seçimi her zaman SiC'nin kuvars veya grafit'ten evrensel olarak üstün olduğunu varsaymak yerine gerçek işleme dayanmalıdır.

  


İlgili Ürünler

                                               

Özelleştirilmiş SiC Tekneler Dikey ve Yatay Wafer Taşıyıcıları​​



                                              

Yarı İletken Ekipmanları İçin Alümina Seramik Parçalar