Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Marka Adı:	ZMSH
Model Numarası:	SiC Gofret HPSI
Adedi:	25
Fiyat:	Fluctuates with market
Teslim Zamanı:	2-4 hafta
Ödeme Şartları:	T/T

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Açıklaması

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Şangay, Çin

Politip:

Ana akım 4H-SiC

Çap:

4/6/8 inç mevcut

Kalınlık:

Standart boyutlar 350μm, 500μm ve 650μm’dir

Direnç:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (HPSI temel elektrik özellikleri)

Yüzey İşlem:

Tek taraflı/çift taraflı CMP ayna parlatma

Mikro Boru Yoğunluğu:

Seri üretim sınıfı ≤1 adet/cm²

Ürün Açıklaması

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Etiketler:

sic gofret

sic substrat

Silisyum karbür substrat

İlişkili Ürünler

4H-N SiC: Özel kalınlıkta SSP/DSP parlatma mevcuttur PV&enerji depolama invertörleri

En İyi Fiyatı Alın

Güç ve RF cihazları için yüksek saflıklı yarı yalıtımlı SiC Wafer HPSI Silikon Karbür Substratı

En İyi Fiyatı Alın

Safir Gofret

SiC Substrat

Safir Optik Pencereler

IC Silikon Gofret

Tel testere makinesi

Sentetik Safir Çubuk

Sigortalı Kuvars Levha

Safir Parçaları

Sentetik Taş

Yarıiletken Ekipmanı

LiNbO3 Gofret

İndiyum Fosfür Gofret

Seramik yüzey

laboratuvar ambalajı

Galyum Nitrür Gofret

GaAs Gofret