Sic Tabak:Yüksek sıcaklık dengeli Tekdüze ısı iletkenliği Mükemmel termal şok direnci

Ürün Genel Bakışı
    SiC Tepsi (Silisyum Karbür Tepsi), Gelişmiş sinterleme süreçleri, Reaksiyon Bağlı (RBSiC), Yeniden Kristalleşmiş (RSiC) ve Silisyum Nitrür Bağlı (N-SiC) teknolojileri dahil olmak üzere, polikristal silisyum karbür mühendislik seramiğinden yapılmış yüksek performanslı yüksek sıcaklık taşıyıcı bir bileşendir. Geleneksel alümina seramik tepsilere ve erimiş kuvars tepsilere yükseltilmiş bir alternatif olarak, üstün yüksek sıcaklık direncine, mükemmel termal şok stabilitesine, homojen termal iletkenliğe ve uzun hizmet ömrüne sahiptir. Yarı iletken, elektronik seramik, yeni enerji ve endüstriyel fırın endüstrilerinde yüksek sıcaklık sinterleme, tavlama ve ısıl işlem süreçlerinde taşıyıcı ve setter plakası olarak yaygın şekilde kullanılmaktadır. Özel şekiller, yapılar ve hassasiyet dereceleri, belirli proses gereksinimlerini karşılamak üzere mevcuttur.

Temel Teknik Özellikler

1. Ultra Yüksek Sıcaklık ve Termal Şok Direnci
       Birden fazla malzeme derecesinde mevcuttur, uzun süreli çalışma sıcaklığı 1400℃ ile 1700℃ arasında değişir. Son derece düşük termal genleşme katsayısı, hızlı sıcaklık döngüleri ve şiddetli termal şok altında çatlama olmamasını sağlar, tekrarlanan ısıtma ve soğutma döngülerinden sonra yapısal bütünlüğü korur.
2. Homojen ve Yüksek Termal İletkenlik
       Yüksek termal iletkenlik (dereceye göre 20–120 W/m·K) tüm tepsi yüzeyinde hızlı ve eşit ısı transferi sağlar, iş parçaları için tutarlı sıcaklık dağılımını garanti eder, sinterleme homojenliğini ve ürün verimini etkili bir şekilde iyileştirir.
3. Yüksek Mekanik Mukavemet ve Aşınma Direnci
       Yüksek eğilme mukavemeti (dereceye göre 250–450 MPa) ve mükemmel aşınma direnci, ağır yük taşıma ve uzun süreli erozyon direncini mümkün kılar. Yüksek sıcaklık ve istiflenmiş yük altında yapı boyutsal olarak stabildir, deformasyon veya sarkma olmaz.
4. Mükemmel Kimyasal İnertlik ve Düşük Kirlilik
       Yüksek sıcaklıkta çoğu aside, alkalinlere ve aşındırıcı atmosferlere karşı oldukça dirençlidir. Yoğun seramik yapı, parçacık dökülmesine neden olmaz ve yüksek sıcaklık altında safsızlık salmaz, işlenmiş iş parçalarına kirlilik bulaşmasını önler, bu da yarı iletken ve elektronik seramik süreçlerinin temizlik gereksinimlerini karşılar.
5. Hafif ve İstiflenebilir Tasarım
       Yüksek özgül mukavemet, aynı yük kapasitesi altında daha ince ve daha hafif yapı tasarımı sağlar. İstiflenebilir yapı, fırında kapladığı alanı azaltır, tek seferlik işlem kapasitesini artırır ve üretim enerji tüketimini düşürür.
    

Özelleştirilebilir Yapı ve Hassasiyet
    Yuvarlak, kare, dikdörtgen ve özel şekilli profilleri destekler. İsteğe bağlı yapılar arasında düz plaka, kenarı yükseltilmiş, oluklu, konumlandırma delikleri/olukları ve çok katmanlı basamaklı tipler bulunur. Yarı iletken süreçleri için yüksek düzlük gereksinimlerini karşılamak üzere hassas işleme mevcuttur.

Standart Özellikler

Tipik Uygulamalar
1.Yarı İletken Üretimi
    Tavlama, oksidasyon, difüzyon ve düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) gibi yüksek sıcaklık süreçlerinde silikon wafer, safir wafer ve SiC alt tabakaları için wafer taşıyıcıları olarak kullanılır, kararlı wafer konumlandırması ve homojen ısıtma sağlar.
2.Elektronik Seramik Endüstrisi
    MLCC (çok katmanlı seramik kapasitörler), seramik alt tabakalar, piezoelektrik seramikler, ferrit manyetik malzemeler ve dielektrik bileşenler için sinterleme taşıyıcısı, sinterleme tutarlılığını iyileştirir ve ürünlerin deformasyonunu azaltır.
3.Yeni Enerji ve Lityum Pil
    Lityum pil katot/anot malzemeleri, katı elektrolitler ve fotovoltaik hücre malzemeleri için ısıl işlem ve sinterleme tepsisi, N-SiC derecesi için mükemmel alkali korozyon direnci ile.
4.Yüksek Sıcaklık Endüstriyel Fırınları
    Toz metalurjisi sinterleme, metal ısıl işlem, yüksek sıcaklık malzeme deneyleri ve fırın astarlama bileşenlerinde kullanılır, geleneksel alümina ve mullit tepsilerin yerini alarak hizmet ömrünü önemli ölçüde uzatır.
5.Fotovoltaik Endüstrisi
    Yüksek sıcaklık difüzyon, tavlama ve kaplama süreçlerinde monokristal silikon waferler ve güneş pili dilimleri için taşıyıcı, yüksek hacimli parti üretimini destekler.

Kalite Kontrol

    Hammadde muayenesinden bitmiş ürün teslimatına kadar tam süreçli bir kalite yönetim sistemi uygulanır, her ürün partisi için sıkı muayene standartları ile.

1.Hammadde Kontrolü:
    Yüksek saflıkta silisyum karbür tozu kullanılır, malzeme tutarlılığını sağlamak için tane boyutu, saflık ve bileşim üzerinde gelen muayene ile.
2.Boyutsal Muayene:
    Tolerans gereksinimlerine uyumu sağlamak için yüksek hassasiyetli ölçüm aletleri ile dış boyutlar, kalınlık ve düzlük üzerinde tam muayene.
3.Görünüm ve Kusur Tarama:
    Çatlaklar, kenar yongalanması, gözenekler ve yüzey kusurları için %100 görsel muayene, sağlam görünüm ve yapısal bütünlüğü garanti etmek için.
4.Malzeme Performans Testi:
    Malzeme derecesini ve güvenilirliğini doğrulamak için yoğunluk, eğilme mukavemeti ve yüksek sıcaklık performansı üzerinde düzenli örnekleme testleri.
5.Kalite Dokümantasyonu:
    Her sevkiyat, temel boyutsal ve performans göstergelerini kapsayan bir Analiz Sertifikası (COA) ile birlikte verilir ve talep üzerine üçüncü taraf test raporları mevcuttur.

SSS

S1: Uygulamam için doğru SiC derecesini nasıl seçerim?C1:
① Maliyete duyarlı geleneksel sinterleme, mekanik aşınma senaryoları ve 1400℃'ye kadar sıcaklıklar için RBSiC'yi seçin② 1500℃ üzerindeki yüksek sıcaklık fırınları, şiddetli termal döngüler ve uzun ömür gereksinimleri için RSiC'yi seçin③ Lityum pil malzemeleri, alkali atmosferli seramik sinterleme ve yüksek mukavemet talepleri için N-SiC'yi seçin
S2: Ne kadar düzlük toleransı ve yüzey işlemi elde edebilirsiniz?
C2:① Standart ateşlenmiş derece: Düzlük ±0.1 mm – ±0.2 mm, mat yüzey
 

② Hassas işlenmiş derece: Düzlük ±0.05 mm, ince zımparalanmış yüzey

③ Yüksek hassasiyetli yarı iletken derecesi: Daha sıkı düzlük ve cilalı yüzey talep üzerine mevcutturS3: SiC tepsilerinin maksimum sürekli çalışma sıcaklığı nedir?

C3:

Malzeme derecesine bağlıdır:
 

① RBSiC: 1400℃ uzun süreli sürekli kullanım

② RSiC: 1650℃'ye kadar uzun süreli, ultra yüksek sıcaklık fırınları için ideal③ N-SiC: Mükemmel alkali korozyon direnci ile 1550℃'ye kadar Kısa süreli tepe sıcaklığı biraz daha yüksek olabilir, ancak uzun süreli aşırı ısınma hizmet ömrünü azaltacaktır.
S4: SiC tepsileri fırında istiflenebilir mi? Yük altında deforme olurlar mı?

C4:

Evet, istiflenebilir tasarımlar mevcuttur. SiC seramikleri yüksek eğilme mukavemetine (250–450 MPa) ve yüksek sıcaklık rijitliğine sahiptir. Uygun kalınlık tasarımı ile, yüksek sıcaklıkta istiflenmiş yük altında sarkma veya deformasyon olmadan boyutsal stabiliteyi korurlar.
 

S5: Numune siparişlerini kabul ediyor musunuz? MOQ nedir?

C5: Evet, performansı doğrulamak için standart boyutlu tepsiler için numune siparişleri mevcuttur. Standart ürünler için düşük MOQ desteklenir. Özel boyutlar ve özel yapılar için MOQ karmaşıklığa bağlıdır, ayrıntılar için lütfen satış ekibimizle iletişime geçin.
 

S6: SiC tepsileri için tipik teslim süresi nedir?

C6: Standart stok ürünleri 3–7 iş günü içinde sevk edilebilir. Özel işlenmiş standart boyutlar 10–20 iş günü sürer. Özel özel şekiller ve büyük toplu siparişler, sipariş miktarına ve yapı karmaşıklığına bağlı olarak 20–35 iş günü gerektirir.
 

İlgili Ürünler

Özelleştirilmiş SiC Tepsi: CVD SiC SSiC Düz oluklu Yüksek termal iletkenlik Düşük termal genleşme katsayısıWafer Taşıma ve Fırın Yükleme için Özel Yarı İletken Kuvars Tekne Taşıyıcı Raf