Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Yüksek Güçlü Cihazlar için Premium 300mm Çaplı 4H Polytipe N-Tip Doping Silikon Karbür Altı

Marka Adı:	ZMSH
Adedi:	50
Teslim Zamanı:	2-4 HAFTA
Ödeme Şartları:	T/T

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Açıklaması

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Şangay, Çin

Politip:

Doping Türü:

N-Tipi

Çap:

300 ± 0,5 mm

Kalınlık:

Yeşil: 600 ± 100 μm / Şeffaf: 700 ± 100 μm

Yüzey Yönü:

4° <11-20> ± 0,5°'ye doğru

Birincil daire:

Çentik / Tam yuvarlak

Çentik Derinliği:

1 – 1,5mm

Toplam Kalınlık Değişimi (TTV):

≤ 10 mikron

Mikro Boru Yoğunluğu (MPD):

≤ 5 adet/cm²

Vurgulamak:

300mm Çaplı SiC Substrat

4H Politip Silisyum Karbür Substrat

N-tipi Katkılı 12 İnç SiC Gofret

Ürün Açıklaması

Premium 12 İnç (300mm) Silisyum Karbür (SiC) Alt Katman Çözümleri

Yüksek Güçlü Cihazlar için Yüksek Kaliteli 4H-N Silisyum Karbür Alt Katmanlar (12 İnç/300mm)

Kapsamlı Ürün Tanıtımı

12 inç (300 mm) Silisyum Karbür (SiC) alt katmanı, geniş bant aralıklı (WBG) yarı iletken teknolojisinde mevcut sınırı temsil eder. Küresel endüstri daha yüksek verimlilik ve daha yüksek güç yoğunluğuna doğru ilerlerken, bu büyük çaplı kristal platform, yeni nesil güç elektroniği ve RF sistemleri için temel bir temel sağlar.

Temel Stratejik Avantajlar

Muazzam Verim: Geleneksel 150mm (6 inç) ve 200mm (8 inç) gofretlere kıyasla, 300mm formatı sırasıyla 2,2 kat ve 1,5 kat daha fazla kullanılabilir yüzey alanı sunar.
Maliyet Optimizasyonu: Tek bir üretim döngüsü başına üretilen çip sayısını en üst düzeye çıkararak "çip başına maliyeti" önemli ölçüde azaltır.
Gelişmiş Uyumluluk: Genel operasyonel verimliliği artırarak, modern, tamamen otomatik 300mm yarı iletken üretim hatları (Fabrikalar) ile tamamen uyumludur.

Ürün Sınıfı Teklifleri

4H SiC N-tipi Üretim Sınıfı: Yüksek verimli, ticari sınıf güç cihazı üretimi için tasarlanmıştır.
4H SiC N-tipi Kukla Sınıfı: Mekanik test, ekipman kalibrasyonu ve termal işlem doğrulaması için uygun maliyetli bir çözüm.
4H SiC Yarı Yalıtkan (SI) Üretim Sınıfı: Aşırı direnç gerektiren RF, radar ve mikrodalga uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır.

Derinlemesine Malzeme Özellikleri

4H-N Silisyum Karbür (İletken Tip)

4H-N polipi, sağlam fiziksel özellikleri ile bilinen, azot katkılı, altıgen bir kristal yapıdır. Yaklaşık 3,26 eV'luk geniş bir bant aralığına sahip olup şunları sağlar:

Yüksek Kırılma Elektrik Alanı: Daha ince, daha verimli yüksek voltajlı cihazların tasarımı için olanak sağlar.
Üstün Termal İletkenlik: Yüksek güçlü modüllerin basitleştirilmiş soğutma sistemleriyle çalışmasını sağlar.
Aşırı Termal Kararlılık: 200°C'yi aşan zorlu ortamlarda bile kararlı elektriksel parametreleri korur.
Düşük Açık Direnç: SiC MOSFET'ler ve SBD'ler gibi dikey güç yapıları için optimize edilmiştir.

4H-SI Silisyum Karbür (Yarı Yalıtkan Tip)

SI alt katmanlarımız, olağanüstü yüksek direnç ve minimum kristal kusurları ile karakterizedir. Bu alt katmanlar, GaN-on-SiC RF cihazları için tercih edilen platformdur ve şunları sağlar:

Mükemmel Elektriksel İzolasyon: Parazitik alt katman iletimini ortadan kaldırır.
Sinyal Bütünlüğü: Düşük sinyal kaybının kritik olduğu yüksek frekanslı mikrodalga uygulamaları için idealdir.

Gelişmiş Kristal Büyüme ve İmalat Süreci

Üretim sürecimiz, ham maddeden bitmiş gofrete kadar toplam kalite kontrolünü sağlamak için dikey olarak entegredir.

Süblimasyon Büyümesi (PVT Yöntemi): 12 inçlik kristaller, Fiziksel Buhar Taşınımı (PVT) yöntemi kullanılarak büyütülür. Yüksek saflıkta SiC tozu, hassas bir şekilde kontrol edilen bir vakum ve termal gradyan altında 2000°C'yi aşan sıcaklıklarda süblime edilir ve yüksek kaliteli bir tohum kristali üzerinde yeniden kristalleşir.
Hassas Dilimleme ve Kenar Profillendirme: Büyüme sonrası, kristal külçeler gelişmiş çok telli elmas testere kullanılarak gofretlere dilimlenir. Kenar işleme, yontmayı önlemek ve taşıma sırasında mekanik sağlamlığı artırmak için hassas pah kırma içerir.
Yüzey Mühendisliği (CMP): Uygulamaya bağlı olarak, Si yüzeyinde Kimyasal Mekanik Parlatma (CMP) kullanırız. Bu işlem, yüksek kaliteli epitaksiyel büyümeyi kolaylaştırmak için tüm yüzey altı hasarı gidererek atom ölçeğinde pürüzsüzlük ile bir "Epi-Hazır" yüzey elde eder.

Teknik Özellikler ve Tolerans Matrisi

Öğe	N-Tipi Üretim	N-Tipi Kukla	SI-Tipi Üretim
Polip	4H	4H	4H
Doping Tipi	Azot (N-tipi)	Azot (N-tipi)	Yarı yalıtkan
Çap	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Kalınlık (Yeşil/Trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Yüzey Yönelimi	4.0° yönünde <11-20>	4.0° yönünde <11-20>	4.0° yönünde <11-20>
Yönelim Doğruluğu	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Birincil Düz	Çentik / Tam yuvarlak	Çentik / Tam yuvarlak	Çentik / Tam yuvarlak
Çentik Derinliği	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm
Düzlük (TTV)	≤ 10 μm	Yok	≤ 10 μm
Mikro Boru Yoğunluğu (MPD)	≤ 5 adet/cm²	Yok	≤ 5 adet/cm²
Yüzey İşlemi	Epi-hazır (CMP)	Hassas Taşlama	Epi-hazır (CMP)
Kenar İşleme	Yuvarlak Pah	Pah Yok	Yuvarlak Pah
Çatlak İncelemesi	Yok (3mm hariç)	Yok (3mm hariç)	Yok (3mm hariç)

Yüksek Güçlü Cihazlar için Premium 300mm Çaplı 4H Polytipe N-Tip Doping Silikon Karbür Altı 1

Kalite Güvencesi ve Ölçüm

Üretim hattınızda tutarlı performans garantisi için çok aşamalı bir denetim protokolü kullanıyoruz:

Optik Ölçüm: TTV, yay ve çarpıklık için otomatik yüzey geometrisi ölçümü.
Kristal Değerlendirmesi: Polip inklüzyonları ve stres analizi için polarize ışık incelemesi.
Yüzey Kusur Taraması: Çizikleri, çukurları ve kenar talaşlarını tespit etmek için yüksek yoğunluklu ışık ve lazer saçılması.
Elektriksel Karakterizasyon: Merkezi 8 inç ve tam 12 inç bölgelerde temassız direnç haritalaması.

Sektör Lideri Uygulamalar

Elektrikli Araçlar (EV): Çekiş invertörleri, 800V hızlı şarj yığınları ve yerleşik şarj cihazları (OBC) için kritik öneme sahiptir.
Yenilenebilir Enerji: Yüksek verimli PV invertörleri, rüzgar enerjisi dönüştürücüleri ve enerji depolama sistemleri (ESS).
Akıllı Şebeke: Yüksek voltajlı DC iletim (HVDC) ve endüstriyel motor sürücüleri.
Telekomünikasyon: 5G/6G makro istasyonları, RF güç amplifikatörleri ve uydu bağlantıları.
Havacılık ve Savunma: Aşırı havacılık ortamları için yüksek güvenilirliğe sahip güç kaynakları.

Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

S1: 12 inç SiC alt katmanı, YG'mi nasıl iyileştirir?

C: Çok daha büyük bir yüzey alanı sağlayarak, gofret başına önemli ölçüde daha fazla çip üretebilirsiniz. Bu, çip başına sabit işleme ve işçilik maliyetlerini azaltır ve nihai yarı iletken ürünlerinizi pazarda daha rekabetçi hale getirir.

S2: 4 derecelik eksen dışı yönelimin faydası nedir?

C: düzlemine doğru 4° yönelim, yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme için optimize edilmiştir, istenmeyen polip oluşumunu önlemeye ve bazal düzlem dislokasyonlarını (BPD) azaltmaya yardımcı olur.<11-20>S3: İzlenebilirlik için özelleştirilmiş lazer işaretleme sağlayabilir misiniz?

C: Evet. Tam parti izlenebilirliğini sağlamak için SEMI standartlarına veya özel müşteri gereksinimlerine göre C tarafında (karbon yüzü) özelleştirilmiş lazer işaretleme sunuyoruz.

S4: Kukla Sınıfı, yüksek sıcaklıkta tavlama için uygun mudur?

C: Evet, N-tipi Kukla Sınıfı, Üretim Sınıfı ile aynı termal özellikleri paylaşır ve bu da onu termal döngüleri, fırın kalibrasyonunu ve taşıma sistemlerini test etmek için mükemmel kılar.

Etiketler:

Galyum Nitrür Gofret

Safir Gofret

SiC Substrat

Safir Optik Pencereler

IC Silikon Gofret

Tel testere makinesi

Sentetik Safir Çubuk

Sigortalı Kuvars Levha

Safir Parçaları

Sentetik Taş

Yarıiletken Ekipmanı

LiNbO3 Gofret

İndiyum Fosfür Gofret

Seramik yüzey

laboratuvar ambalajı

GaAs Gofret