Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi

Marka Adı:	ZMSH
Model Numarası:	İyon ışını dağlama makinesi
Adedi:	3
fiyat:	by case
Teslim Zamanı:	3-6 ay
Ödeme Şartları:	T/T

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Açıklaması

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

Sertifika:

rohs

İş malzemesi:

Au (altın), pt (platin), cu (bakır)

Başvuru:

Yarıiletken üretimi, optik cihazlar

Avantaj:

Yüksek hassasiyetli, seçici olmayan aşındırma

Kesinlik:

10 nanometre veya daha az

Gravür malzemesi:

Si/Sio2/Metaller

Ambalaj bilgileri:

100 dereceli temizlik odasında paket

Vurgulamak:

Si/SiO2 iyon ışınlı aşındırma makinesi

metal malzemeler aşındırma ekipmanı

yarı iletken iyon ışınlı aşındırıcı

Ürün Açıklaması

İyon Işınlı Aşındırma Ekipmanlarına Giriş

Si/SiO2/Metal Malzemelerin İyon Işınlı Aşındırma Makinesi

İyon ışınlı aşındırma, aynı zamanda iyon frezeleme olarak da bilinir, seçici olmayan ve anizotropik bir kuru aşındırma teknolojisidir. Temel prensibi, bir iyon kaynağı tarafından üretilen geniş, kolimatlı yüksek enerjili bir iyon demetini, vakum ortamında iş parçası yüzeyini bombardıman etmek için kullanmaktır, böylece malzeme fiziksel püskürtme yoluyla uzaklaştırılır. Plazma aşındırmadan farklı olarak, numune doğrudan plazmaya maruz bırakılmaz, böylece plazmanın neden olduğu elektriksel hasar ve kontaminasyondan kaçınılır ve daha iyi proses kontrolü sağlanır.

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi 0

İyon Işınlı Aşındırma Sistemlerindeki Temel Alt Sistemlerin Özeti ve Analizi

Bir iyon ışınlı aşındırma sistemi tipik olarak aşağıdaki temel alt sistemlerden oluşur:

Alt Sistem	Temel İşlev	Temel Teknik Noktalar ve Etkisi
Vakum Sistemi	Yüksek vakum ortamı sağlar	Proses temizliğini, ışın kararlılığını ve nihai hassasiyeti belirler.
İyon Kaynağı	İyon demeti üretir ve çıkarır	Aşındırma hızını, homojenliği, mevcut gaz türlerini ve ekipman güvenilirliğini (RF kaynağına karşı Kaufman kaynağı) belirler.
Numune Tezgahı	Numuneleri sabitler ve manipüle eder	Dönme fonksiyonu, anizotropik aşındırma elde etmek için anahtardır; sıcaklık kontrolü proses penceresini etkiler.
Kontrol Sistemi	Tamamen otomatik proses kontrolü	Proses tekrarlanabilirliğini ve hassasiyetini sağlar; uç nokta tespiti proses yeteneğini artırır.
Nötrleştirici	İyon demeti yükünü nötrleştirir	Yalıtım malzemelerinde şarj hasarını önler; dielektrik malzemelerin aşındırılması için esastır.

İyon Işınlı Aşındırmanın Temel İlkeleri

İyon ışınlı aşındırma (IBE), yüzeyden malzeme uzaklaştırmak için yüksek enerjili bir iyon demeti kullanan, hassas desen aktarımı sağlayan gelişmiş bir mikro/nano imalat teknolojisidir.

İyon ışınlı aşındırma prensibi, bir iyon kaynağı tarafından üretilen yüksek enerjili bir iyon demetini (tipik olarak argon iyonları) içerir, bu da malzemelerin yüzeyini dikey veya eğik bir açıyla bombardıman eder. Yüksek enerjili iyonlar, malzeme yüzeyindeki atomlarla çarpışır, atomların fırlamasına neden olur ve malzemeyi katman katman uzaklaştırır, böylece aşındırma sağlanır. Bu aşındırma yöntemi, kimyasal reaksiyonlar olmadan gerçekleştirilebilir ve fiziksel bir aşındırma prosesine aittir.

İyon ışınlı aşındırma ekipmanının yapı şeması

İşleme Yetenekleri:

Malzemeler: Au (altın), Pt (platin), Cu (bakır), Ta (tantal), AlN (alüminyum nitrür), Si (silikon), SiO₂ (silikon dioksit) ve diğer ince film malzemeler.

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi 2

Proses Akışı:

Hazırlık: Aşındırılacak numuneyi bir vakum odasına yerleştirin ve yüzeyi temizleyin.
Maske Hazırlığı: Aşındırılacak alanları, aşındırılmayan bölgeleri korumak için bir maske (örneğin, fotoresist veya metal ince film) ile kaplayın.
İyon Işın Üretimi: Genellikle argon gazı kullanarak, yüksek enerjili bir iyon demeti üretmek için iyon kaynağını etkinleştirin.
Aşındırma Prosesi: Numuneyi aşındırmak için iyon demetinin enerjisini, açısını ve maruz kalma süresini kontrol edin.
Maske Çıkarımı: Aşındırma tamamlandıktan sonra, son desenli yapıyı elde etmek için koruyucu maskeyi çıkarın.

İyon ışınlı aşındırma prosesinin şematik diyagramı

İyon Işınlı Aşındırma Ekipmanı Uygulama Senaryoları

1. Yarı İletken Üretimi: Entegre devre imalatında ince devreler ve desenler oluşturmak için kullanılır.

2. Optik Cihazlar: Izgaraların ve lenslerin yüzey işlenmesi gibi optik bileşenlerin hassas işlenmesinde uygulanır.

3. Nanoteknoloji: Nanogözenekler ve nanotel gibi nanoyapıların ve cihazların imalatı.

4. Malzeme Bilimi: Malzeme yüzeylerinin fiziksel ve kimyasal özelliklerini incelemek ve fonksiyonel yüzey malzemeleri hazırlamak için kullanılır.

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi 4

İyon Işınlı Aşındırma Ekipmanı Avantajları

1. Avantajları:

Yüksek Hassasiyet: Nano ölçekte yüksek hassasiyetli aşındırma sağlar.

Seçici Olmayan Aşındırma: Kimyasal seçicilik olmadan çeşitli malzemeleri homojen bir şekilde aşındırabilir.

Pürüzsüz Yüzey: Azaltılmış pürüzlülük ile pürüzsüz bir aşındırma sonrası yüzey sağlar.

İzotropik ve Anizotropik Aşındırma: İyon demeti açısını kontrol ederek farklı yönlerde aşındırma sağlar.

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi 5

İyon ışınlı aşındırmanın (IBE) vaka çalışması

2. Aşındırılabilen Malzemeler:

Metaller: Altın, gümüş, bakır, alüminyum vb.
Yarı İletken Malzemeler: Silikon (Si), galyum arsenit (GaAs) vb.
Yalıtım Malzemeleri: Silikon oksit (SiO₂), silikon nitrür (Si₃N₄) vb.
Diğer Malzemeler: Polimerler, seramikler vb.

3. Aşındırma Hassasiyeti:

İyon ışınlı aşındırmanın hassasiyeti öncelikle iyon demetinin odaklama yeteneğine, maskenin çözünürlüğüne ve aşındırma süresinin kontrolüne bağlıdır. Tipik olarak, belirli proses parametrelerine ve ekipman koşullarına bağlı olarak 10 nanometre veya daha yüksek bir hassasiyet elde eder.

Si/SiO2/Metal malzemelerinden iyon ışını kazım makinesi 6

İyon Işınlı Aşındırma Ekipmanı SSS

1. S: İyon ışınlı aşındırma nedir?
C: İyon ışınlı aşındırma (IBE), yüksek vakumda geniş, kolimatlı bir yüksek enerjili iyon demeti ile hedef yüzeyi fiziksel olarak püskürterek malzeme uzaklaştıran bir kuru aşındırma prosesidir.

2. S: İyon ışınlı aşındırma ile reaktif iyon aşındırma arasındaki fark nedir?
C: Temel fark, IBE'nin numunenin iyon kaynağından ayrıldığı tamamen fiziksel bir proses olması, RIE'nin ise hem fiziksel iyon bombardımanını hem de numune ile doğrudan plazmada kimyasal reaksiyonları birleştirmesidir.

Etiket: #İyon Işınlı Aşındırma Makinesi, #Özelleştirilmiş, #Si/SiO2/Metal Malzemeler

Etiketler:

Galyum Nitrür Gofret

Safir Gofret

SiC Substrat

Safir Optik Pencereler

IC Silikon Gofret

Sentetik Safir Çubuk

Sigortalı Kuvars Levha

Safir Parçaları

Sentetik Taş

Yarıiletken Ekipmanı

LiNbO3 Gofret

GaAs Gofret

İndiyum Fosfür Gofret

Seramik yüzey

laboratuvar ambalajı