LPCVD Oksidasyon Fırını Özet
6 inç 8 inç 12 inç LPCVD Oksidasyon Fırını
LPCVD (Alt Basınçlı Kimyasal Buhar Depozisyonu) sistemleri, esas olarak polisilikon, silikon nitrit,ve silikon oksit filmleriTeknolojinin temel avantajları şunlardır:
1) ±1.5% içinde olağanüstü film tekdüzeliğini sağlayan düşük basınç ortamı (0.1-10 Torr);
2) Her partide 150-200 waferin yüksek verimli işlenmesini sağlayan dikey reaktör tasarımı;
3) Plazma kaynaklı hasar olmadan 300-800 °C'de termal olarak etkinleştirilen çökme, özellikle kapı dielektrik oluşumu gibi hassas süreçler için uygundur.
Bu teknoloji, hem mantık yongaları hem de bellek cihazları için gelişmiş düğüm üretiminde (5nm ve ötesinde) yaygın olarak kabul edilmiştir.
The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityDikey levha düzenlemesi, sadece seri kapasitesini en üst düzeye çıkarmakla kalmaz, aynı zamanda üretim verimliliğini de arttırır ve sistemi endüstriyel ölçekte yarı iletken imalatı için ideal hale getirir.
LPCVD Oksidasyon FırınıÖzellikler
|
TEknoloji
|
LP-SiN test maddesi |
Kontrol |
|
Nitrit Depozisyonu
|
Parçacık ((EA)
|
Transfer parçacığı |
<15EA (> 0,32μm) |
| Süreç parçacığı |
< 60EA (> 0,32μm),
< 80EA (> 0,226μm)
|
|
Kalınlık ((A)
|
NIT1500 |
1500±50 |
|
Tekdüzelik
|
Wafer içinde <2,5%
Waferden wafer'e <2,5%
Çalışma süresi <2%
|
| |
Wafer boyutu
|
6/8/12 inç wafer |
|
Süreç sıcaklık aralığı
|
500°C-900°C |
|
Sabit sıcaklık bölgesinin uzunluğu
|
≥ 800mm |
|
Sıcaklık kontrolünün doğruluğu
|
±1°C |
LPCVD ekipmanlarının ürün özellikleri:
*Yüksek hassasiyetli wafer işleme ile otomatik işleme
*Minimal parçacık kirliliği olan ultra temiz işlem odası
*Üstün film kalınlığı eşitliği
*Gerçek zamanlı ayarlama ile akıllı sıcaklık kontrolü
*Düşük sürtünme ve parçacık üretimi için SiC wafer desteği
*Sürekli işlem performansı için otomatik basınç düzenleme
*Çeşitli süreç gereksinimleri için özelleştirilebilir yapılandırmalar
LPCVD depolama prensibi:
1Gaz Girişi: Reaktan gazlar tüpün içine sokulur ve reaksiyon için gerekli olan tüpün içindeki düşük basınç ortamı, tipik olarak 0.25 ila 1 Torr arasında değişir.
2Reaktanların yüzey taşımacılığı: Düşük basınç koşullarında, reaktanlar vafel yüzeyinde serbestçe hareket edebilir.
3. Reaktanların Substrat yüzeyinde emilişi: Reaktanlar substrat yüzeyine yapışır.
4Wafer yüzeyinde kimyasal reaksiyon: Reaktanlar wafer yüzeyinde termal parçalanmaya veya reaksiyona maruz kalır ve ürünler oluşturur.
5Ürün dışı gazların çıkarılması: Düşük basınçlı ortamı korumak ve çökme sürecine müdahale etmemek için reaksiyon ürünlerinden başka gazlar yüzeyden çıkarılır.
6. Film oluşturmak için reaksiyon ürünlerinin birikimi: Reaksiyon ürünleri yüzeyde bir katı film oluşturmak için birikir.
Oksidasyon sürecinin uygulanması
Silikon oksidasyon süreçleri, tüm yarı iletken üretim sürecinde temel rol oynar.
1Koruyucu Oksit Katmanı: Silikon levhanın fotoresistini engelleyerek kirlenmesini önlemek için bir bariyer olarak çalışır.Aynı zamanda kanallama etkilerini azaltmak için tek kristal silikona girmeden önce iyonları da dağıtabilir..
2. Pad oksit katmanı: Bu katman silikon ve silikon nitrit arasındaki gerginliği azaltmak için kullanılır.LPCVD silikon nitrit katmanlarının 10^10 din/cm2'ye kadar olan germe kuvveti silikon vafelerde çatlaklara veya kırılmaya bile neden olabilir..
3Kapı Oksit Katmanı: MOS yapılarında dielektrik katman olarak hizmet ederek, akım iletkenlik yollarını sağlar ve alan etkisini kontrol eder.
LPCVD sistemlerinin sınıflandırılması: Dikey vs. Yatay yapılandırmalar
LPCVD ekipmanları dikey ve yatay tiplere ayrılır, nomenklatür fırın odasının yöneliminden veya eşdeğer olarak substrat yerleştirme yönünden türetilmiştir.Bu iki baskın düşük basınçlı kimyasal buhar birikimi (LPCVD) sistem konfigürasyonu, esas olarak substrat düzenleri ve gaz akış dinamikleri ile farklılık gösterir..
Dikey LPCVD sistemleri:
Dikey LPCVD'de, süreç gazları tipik olarak reaksiyon odasının üst kısmından girilir ve altından boşaltılmadan önce substratlardan aşağı doğru akarlar.Bu tasarım, her alt katman boyunca eşit gaz akışını sağlamaya yardımcı olur., böylece tutarlı ince film çöküntüsüne ulaşılır.
Yatay LPCVD sistemleri:
Yatay LPCVD sistemleri, öncüllerin substratların bir ucundan diğer ucuna akmasına izin vermek için tasarlanmıştır.Aynı film oluşumuna katkıda bulunabilecekBununla birlikte, gaz giriş tarafına karşı karşıt ucuna kıyasla daha kalın bir çöküntüye de neden olabilir.
İşleme etkisiLPCVD Oksidasyon Fırını
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
