Şeffaf Turuncu Çözümsüz GaP Wafers P Tip N Tip 200um 350um 5G Işık Yayıcı

Şeffaf Turuncu Çözümsüz GaP Wafers P Tip N Tip 200um 350um 5G Işık Yayıcı

Açıklama:

Diğer III-V bileşik malzemeler gibi benzersiz elektrik özelliklerine sahip önemli bir yarı iletken olan Gallium Fosfür GaP, termodinamik olarak istikrarlı kübik ZB yapısında kristalleşir.2'lik bir dolaylı bant boşluğu olan turuncu-sarı yarı şeffaf kristal bir malzemedir..26 eV (300K), 6N 7N yüksek saflıklı galiyum ve fosfordan sentezlenir ve sıvı kapsüle edilmiş Czochralski (LEC) tekniği ile tek kristal haline gelir.Gallium Fosfür kristalı, n-tip yarı iletken elde etmek için kükürt veya tellüriyum dopmanıdır., ve çinko, optik sistemde, elektronik ve diğer optoelektronik cihazlarda uygulamalar olan istenen wafer haline getirmek için daha fazla üretmek için p-tip iletkenlik olarak doped.Single Crystal GaP wafer hazırlanabilir.Yüksek kaliteli tek kristal Gallium fosfide GaP wafer p tipi,Western Minmetals (SC) Corporation'da n-tip veya dopsuz iletkenlik, 2 ′′ ve 3 ′′ (50mm) boyutta sunulabilir., 75 mm çapında), yönü <100>,<111> kesilmiş, cilalanmış veya epi hazır işlemden yüzey finişi ile.

Özellikleri:

Geniş bant boşluğu, belirli dalga boyları ışık yaymak için uygundur.GaP Wafer Çeşitli renklerde LED üretimini sağlayan mükemmel optik özellikler.
LED'ler için kırmızı, sarı ve yeşil ışık üretmede yüksek verimlilik. Belirli dalga boylarında üstün ışık emicilik yeteneği.Yüksek frekanslı elektronik cihazları kolaylaştıran iyi elektrik iletkenliği. GaP Wafer Güvenilir performans için uygun termal kararlılık. Yarım iletken üretim süreçleri için uygun kimyasal kararlılık.GaP Wafer Ek katmanların epitaksyal büyümesi için olumlu ızgara parametreleri. Yarım iletken çöküntüsü için bir substrat olarak hizmet etme yeteneği. GaP Wafer Yüksek termal iletkenliğe sahip sağlam malzeme. Foto detektörler için mükemmel optoelektronik yetenekler.Belirli dalga boyu aralıkları için optik cihazların tasarlanmasında çok yönlülük

Teknik parametreler:

Uygulamalar:

Gallium fosfit tek kristali dilimleme, epitaksi ve diğer işlemlerle katı ışık yayıcı cihazlara dönüştürülebilir, ömrü uzundur, yarı kalıcıdır.Bu cihaz hızla gelişmiş ve enstrümanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır., bilgisayarlar ve elektronik saatler vb., dijital ekran veya gösterge ışığı için, kırmızı veya yeşil ışık vb. yayılabilir (ışık dalga boyu doping ile değişir).Gallium arsenitten yapılmış ilk ışık yayıcı cihazlar, bir kelime başına 20 mililumen yaymak için 100 miliampere ihtiyaç duyardıGallium fosfitten yapılmış aynı ışık yayıcı cihaz 20 mililumen yaymak için sadece 10 miliampere ihtiyaç duyar.İki katmanlı epitaksi yöntemiyle üretilen galyum fosfit ışığı yayıcı tüpün verimliliği %4 ila %5'tir.Wingloff, galiyum fosfat ışığı yayıcı cihazların verimliliğini etkileyen ana faktörün kristal içindeki dislokasyon yoğunluğu olduğuna inanıyor.ve dislokasyon yoğunluğu yüksek olduğunda ışık verimliliği düşüktür..

Diğer ürün:

GaN levhaları:

Sıkça sorulan sorular:

S: Ürününün markası nedir?GaP Waferleri?

A: Ürünün markasıGaP WaferleriZMSH.

S: Sertifikasyon nedir?GaP Waferleri?

A: SertifikasyonGaP WaferleriROHS'dir.

S: Ürünlerin kökeni nerede?GaP Waferleri?

A: Ürünlerin kökeniGaP WaferleriÇin.

S: MOQ nedir?Bir seferde GaP Wafers?

A: MOQGaP WaferleriBir seferde 25 adet.