Mesaj gönder
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Posta: eric_wang@zmsh-materials.com Tel: 86-1580-1942596
Ev > Ürünler > SiC Substrat >
2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
  • 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
  • 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
  • 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
  • 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
  • 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm
2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm

2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm

Menşe yeri Çin
Marka adı ZMSH
Sertifika ROHS
Model numarası 10X10X0.5mmt DSP 4H-N
Ürün Detayları
Malzeme:
sic kristal
Boyut:
10x10mm
Kalınlık:
350um
Yüzey:
si-face'de CMP
Renk:
şeffaf
Tip:
4h-n
özdirenç:
0.015~0.028ohm.cm
Ra:
<0.2nm si-yüz
Vurgulamak: 

4H-YARI SiC Gofret

,

10x10x0.5mm SiC Yüzey

,

Şeffaf Silisyum Karbür Gofret

Ürün Açıklaması

10x10x0.5mm SiC 2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret

Zorlu güç elektroniği için yüksek kristal kalitesi

Ulaşım, enerji ve endüstriyel pazarlar geliştikçe, güvenilir, yüksek performanslı güç elektroniğine olan talep artmaya devam ediyor.Gelişmiş yarı iletken performansı ihtiyaçlarını karşılamak için cihaz üreticileri, 4H SiC Prime Grade 4H n-tipi silikon karbür (SiC) gofretlerimiz gibi geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeleri arıyorlar.

Güvenilir ve Hazır

ZMSH, cihaz üreticilerine yüksek performanslı güç cihazları geliştirmek için tutarlı, yüksek kaliteli bir alt tabaka sunar.SiC substratlarımız, tescilli son teknoloji fiziksel buhar taşıma (PVT) büyütme teknikleri kullanılarak en yüksek kalitede kristal külçelerden üretilir.İhtiyacınız olan tutarlı, güvenilir kaliteyi sağlamak için külçeleri gofrete dönüştürmek için gelişmiş gofret üretim teknikleri kullanılır.

Ana Özellikler

  • Yeni nesil güç elektroniği cihazları için hedeflenen performansı ve toplam sahip olma maliyetini optimize eder
  • Yarı iletken üretiminde gelişmiş ölçek ekonomileri için büyük çaplı gofretler
  • Belirli cihaz üretim ihtiyaçlarını karşılamak için tolerans seviyeleri aralığı
  • Yüksek kristal kalitesi
  • Düşük kusur yoğunlukları

Gelişmiş üretim için boyutlandırılmış

150 mm gofret boyutuyla, üreticilere 100 mm cihaz üretimine kıyasla gelişmiş ölçek ekonomilerinden yararlanma olanağı sunuyoruz.150 mm SiC Gofretlerimiz, mevcut ve gelişmekte olan cihaz üretim süreçleriyle uyumluluğu sağlamak için sürekli olarak mükemmel mekanik özellikler sunar.

İhtiyaçlarınızı karşılamak için özelleştirilmiş

SiC malzememiz, cihaz tasarımı ihtiyaçlarının performans ve maliyet gereksinimlerini karşılayacak şekilde özelleştirilebilir.MPD ≤ 0,1 cm kadar düşük hata yoğunluklarına sahip yeni nesil cihazlar için yüksek kaliteli gofret üretme kabiliyetimiz var.-2, TSD ≤ 400 cm-2ve BPD ≤ 1.500 cm-2.

150 mm Silisyum Karbür Gofretlerle ilgili teknik PDF'mizden daha fazla bilgi edinin

Şartname
Mülk
4H-SiC, Tek Kristal
6H-SiC, Tek Kristal
Kafes Parametreleri
a=3.076 Å c=10.053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
İstifleme Sırası
ABCB
ABCACB
Mohs Sertliği
≈9.2
≈9.2
Yoğunluk
3.21 g/cm3
3.21 g/cm3
term.Genişleme Katsayısı
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Kırılma İndeksi @750nm
hayır = 2.61
ne = 2.66
hayır = 2.60
ne = 2.65
Dielektrik sabiti
c~9.66
c~9.66
Termal İletkenlik (N-tipi, 0,02 ohm.cm)
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
 
Termal İletkenlik (Yarı yalıtımlı)
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
bant aralığı
3.23 eV
3,02 eV
Arıza Elektrik Alanı
3-5×106V/cm
3-5×106V/cm
Doygunluk Sürüklenme Hızı
2.0×105m/sn
2.0×105m/sn

2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm 02sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm 1

2sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm 22sp 4H-YARI 4H-N SIC Silisyum Karbür Gofret 10 X 10 X 0,5 mm 3

S: Nakliye ve maliyetin yolu nedir?

(1) DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF vb. Kabul ediyoruz.
(2) Kendi ekspres hesabınız varsa, bu harika.

S: Nasıl ödeme yapılır?

(1) T/T, PayPal, West Union, MoneyGram ve
Alibaba ve benzeri üzerinde güvence ödemesi.
(2) Banka Ücreti: Batı Birliği≤USD1000.00),
T/T -: 1000 usd üzerinde, lütfen t/t ile

S: Teslim süresi nedir?

(1) Envanter için: Teslim süresi 5 iş günüdür.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için: teslim süresi 7 ila 25 iş günüdür.Miktarına göre.

S: Ürünleri ihtiyacıma göre özelleştirebilir miyim?

Evet, ihtiyaçlarınıza göre optik bileşenleriniz için malzemeyi, özellikleri ve optik kaplamayı özelleştirebiliriz.

Etiketler:

sic gofret,

sic substrat,

Silisyum karbür substrat

Önerilen Ürünler

İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu caddesi, Qingpu bölgesi ， Şanghay şehri ， ÇİN
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Sorgunuzu doğrudan bize gönderin