Power Micro LED için 300mm Galyum Nitrür Gofret GaN-ON-Silikon

8 inç 12 inç 6 inç GAN-ON-SI EPI-WAFERS POWER RF Mikro-LED uygulaması için

8 inç 100mm 150mm 200mm 300mm Güç uygulaması için GAN-ON-SI EPI-WAFERS

GaN epitaksyal levha (Silikon üzerindeki GaN EPI)
ZMSH, Shanghia'daki GaN-on-Si epitaksyal levhaların bir ajanıdır.

Tanıtım
Enerji tasarrufu ve bilgi ve iletişim sistemlerindeki gelişmeler için artan bir ihtiyaç var.Bir sonraki nesil yarı iletken malzemesi olarak galyum nitrit (GaN) ile geniş bant aralığı yarı iletken substrat geliştirdik..
Konsept: Silikon substratlarda tek kristal GaN ince filmleri yetiştirerek, yeni nesil cihazlar için büyük, ucuz yarı iletken substratlar üretebiliriz

.
Hedef: Ev aletleri için: yüzlerce arıza voltajı olan anahtarlar ve inverterler. Cep telefonu baz istasyonları için: yüksek güç ve yüksek frekanslı transistörler.
Avantajları: Silikon substratlarımızın GaN'i diğer silikon karbür veya safir substratlarından daha ucuz yetiştirmesi ve müşteri gereksinimlerine göre uyarlanmış GaN cihazları sağlayabilmemiz.

Sözlük
Geniş bant boşluğu
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors). İyi optik şeffaflığı ve yüksek elektrik kırılma voltajı olan geniş bantlı malzeme

Hetero bağlantı
Genel olarak, yarı iletken alanında, farklı bileşimlere sahip yarı iletken malzemelerden nispeten ince filmler yığılır.Karışık kristaller için, atomik olarak pürüzsüz arayüzlere ve iyi arayüz özelliklerine sahip heteroyünksiyonlar elde edilir. Bu arayüzler nedeniyle, yüksek elektron hareketliliğine sahip iki boyutlu bir elektron gazının katmanı oluşturulur.

Ürün Özellikleri

Parçalar Değerler/Uzmanlık

Substrat Si

Wafer çapı 100mm, 150mm, 200mm, 300mm

Epi katman kalınlığı 2-7 μm

Wafer yayı <30 μm, Tipik

Yüzey Morfolojisi RMS < 0,5nm 5×5 μm2

Bariyer AlXGa1-XN, 0

Kapak katmanı In-situ SiN veya GaN (D mod); p-GaN (E mod)

2DEG yoğunluğu > 9E12/cm2 (20nm Al0.25GaN, 150mm)

Elektron hareketliliği >1800 cm2 /Vs (20nm Al0.25GaN, 150mm)

Güçlü elektronik, RF ve Mikro-LED uygulamaları için yüksek kaliteli GaN epiwaferleri sunmaya kararlıyız.

Tarih • 2012 yılında GaN levhalarının saf bir epi-yayımcılığı olarak kuruldu

Teknoloji • Altyapı mühendisliği, tampon tasarımı, aktif bölgeyi kapsayan patentli teknoloji

Yüksek kaliteli, düz ve çatlaksız epi yapılar için optimizasyon.

• Temel teknik ekip üyelerinin hepsi GaN'de 10+ yıllık deneyime sahiptir

Kapasite

• 3300m2 sınıf 1000 temiz oda

• 150mm GaN epiwaferleri için yılda 200k pcs

Ürün

Çeşitlilik

• GaN-on-Si (300 mm'ye kadar)

• GaN-on-SiC (150mm'e kadar)

• GaN-on-HR_Si (200mm'e kadar)

• GaN-on-Sapphire (150mm'e kadar)

• GaN üzerine GaN

IP & Kalite • Çin, ABD, Japonya vb.

> 100 ile

• Imec'den 80 patent lisansını aldı

• ISO9001:2015 tasarım ve geliştirme sertifikası

GaN epi malzemesinin üretimi

Sıkça sorulan sorular:

S: MOQ'unuz nedir?

A: (1) Envanter için, MOQ 1pcs'dir.

(2) Özel ürünler için, MOQ 5pcs'dir.

S: Nakliye yolu ve maliyeti nedir?

A: ((1) DHL, Fedex, EMS vb. kabul ediyoruz.

(2) Kendi ekspres hesabınız varsa, bu harika.Eğer değilse, onları göndermenize yardımcı olabiliriz.

Kargo gerçek ödeme ile uyumludur.

S: Teslimat süresi nedir?

Envanter için: teslimat sipariş verdiğinizden sonra 5 iş günüdür.

Özel ürünler için: teslimat sipariş verdiğinizden sonra 2 veya 3 haftadır.

S: Standart ürünleriniz var mı?

A: stokta standart ürünlerimiz var. 4 inç 0.65mm gibi,0.5mm cilalanmış bir wafer.

S: Nasıl ödeyeceğim?

A:%50depozit, teslimattan önce T/T,

S: İhtiyaçlarıma göre ürünleri özelleştirebilir miyim?

A: Evet, malzeme, özellikleri ve optik kaplama özelleştirebilirsiniz

İhtiyaçlarınıza göre bileşenler.