Ürün Detayları
Menşe yeri: Çin
Marka adı: zmsh
Sertifika: ROHS
Model numarası: 6İNÇ GaAs gofret
Ödeme ve Nakliye Şartları
Min sipariş miktarı: 10 parça
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: 100 dereceli temizlik odasında PET film
Teslim süresi: 1-4 hafta
Yetenek temini: 500 ADET / Ay
Malzeme: |
MONOkristal GaAs |
ENDÜSTRİ: |
ld veya led için yarı iletken gofret |
Başvuru: |
yarı iletken alt tabaka, led çip, optik cam pencere, cihaz alt tabakaları |
Yöntem: |
CZ |
Boyut: |
2 inç ~ 6 inç |
Kalınlık: |
0,425 mm |
Yüzey: |
cmp/kazınmış |
katkılı: |
Si katkılı |
Adedi: |
10 parça |
Seviye: |
araştırma notu/sahte not |
Malzeme: |
MONOkristal GaAs |
ENDÜSTRİ: |
ld veya led için yarı iletken gofret |
Başvuru: |
yarı iletken alt tabaka, led çip, optik cam pencere, cihaz alt tabakaları |
Yöntem: |
CZ |
Boyut: |
2 inç ~ 6 inç |
Kalınlık: |
0,425 mm |
Yüzey: |
cmp/kazınmış |
katkılı: |
Si katkılı |
Adedi: |
10 parça |
Seviye: |
araştırma notu/sahte not |
3 inç VGF GaAs plakaları Araştırma testi sınıfı N-Tipi GaAs substratları 425um
2 inç 3 inç 4 inç 6 inç VGF yöntemi N-Tipi katkısız GaAs substratları 2 derece kapalı 675um SSP DSP GaAs gofretler
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------------------
GaAs gofret(Gallium Arsenide), yarı iletken endüstrisinde gelişen silikona avantajlı bir alternatiftir.Bu GaAs gofretlerinin sunduğu daha az güç tüketimi ve daha fazla verimlilik, piyasa oyuncularını bu wafer'ları benimsemeye çekiyor ve böylece GaAs gofret talebini artırıyor.Genel olarak, bu plaka yarı iletkenler, ışık yayan diyotlar, termometreler, elektronik devreler ve barometreler üretmek için kullanılır ve ayrıca düşük erime noktalı alaşımların imalatında uygulama bulur.Yarı iletken ve elektronik devre endüstrileri yeni zirvelere ulaşmaya devam ederken, GaAs pazarı patlama yaşıyor.GaAs gofretindeki galyum arsenit, elektrikten lazer ışığı üretme gücüne sahiptir.Özellikle polikristalin ve tek kristal, LD, LED ve mikrodalga devreleri oluşturmak için hem mikroelektronik hem de optoelektronik üretiminde kullanılan iki ana GaAs levha tipidir.Bu nedenle, özellikle optoelektronik ve mikroelektronik endüstrisindeki GaAs uygulamalarının geniş yelpazesi, piyasada bir talep akışı yaratmaktadır. GaAs Gofret Pazarı.Önceden, optoelektronik cihazlar, çoğunlukla kısa menzilli optik iletişimde ve bilgisayar çevresinde geniş bir yelpazede kullanılıyordu.raller.Ancak şimdi, LiDAR, artırılmış gerçeklik ve yüz tanıma gibi bazı gelişmekte olan uygulamalar için talep görüyorlar.LEC ve VGF, elektriksel özelliklerin yüksek homojenliği ve mükemmel yüzey kalitesi ile GaAs gofret üretimini geliştiren iki popüler yöntemdir.Elektron hareketliliği, tek bağlantı bant aralığı, daha yüksek verimlilik, ısı ve nem direnci ve üstün flEsneklik, GaAs'ın yarı iletken endüstrisinde GaAs levhalarının kabulünü artıran beş farklı avantajıdır.
| LED Uygulamaları için GaAs (Gallium Arsenide) | ||
| Öğe | Özellikler | Notlar |
| İletim Tipi | SC/n tipi | |
| Büyüme Yöntemi | VGF | |
| katkı maddesi | Silikon | |
| Gofret Çapı | 2, 3 ve 4 inç | Külçe veya kesilmiş olarak mevcut |
| Kristal Yönü | (100)2°/6°/15° kapalı (110) | Diğer yanlış yönlendirme mevcut |
| İLE İLGİLİ | EJ veya ABD | |
| Taşıyıcı Konsantrasyon | (0,4~2,5)E18/cm3 | |
| RT'de özdirenç | (1,5~9)E-3 Ohm.cm | |
| Hareketlilik | 1500~3000 cm2/V.sn | |
| Aşındırma Çukuru Yoğunluğu | <500/cm2 | |
| Lazer işaretleme | talep üzerine | |
| Yüzey | P/E veya P/P | |
| Kalınlık | 220~350um | |
| Epitaksi Hazır | Evet | |
| paket | Tek gofret kabı veya kaset | |
|
GaAs (Gallium Arsenide), Yarı insulaMikroelektronik Uygulamaları için
|
||
|
Öğe
|
Özellikler
|
Notlar
|
|
İletim Tipi
|
yalıtım
|
|
|
Büyüme Yöntemi
|
VGF
|
|
|
katkı maddesi
|
katkısız
|
|
|
Gofret Çapı
|
2, 3, 4 ve 6 inç
|
Külçe mevcut
|
|
Kristal Yönü
|
(100)+/- 0,5°
|
|
|
İLE İLGİLİ
|
EJ, ABD veya değilH
|
|
|
Taşıyıcı Konsantrasyon
|
yok
|
|
|
RT'de özdirenç
|
>1E7 Ohm.cm
|
|
|
Hareketlilik
|
>5000 cm2/V.sn
|
|
|
Aşındırma Çukuru Yoğunluğu
|
<8000 /cm2
|
|
|
Lazer işaretleme
|
talep üzerine
|
|
|
Yüzey
|
P/P
|
|
|
Kalınlık
|
350~675um
|
|
|
Epitaksi Hazır
|
Evet
|
|
|
paket
|
Tek gofret kabı veya kaset
|
|
| HAYIR. | Öğe | Standart Şartname | |||||
| 1 | Boyut | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Çap | mm | 50,8±0,2 | 76,2±0,2 | 100±0,2 | 150±0,5 | |
| 3 | Büyüme Yöntemi | VGF | |||||
| 4 | katkılı | Katkısız veya Si katkılı veya Zn katkılı | |||||
| 5 | İletken Tipi | N/A veya SC/N veya SC/P | |||||
| 6 | Kalınlık | mikron | (220-350)±20 veya (350-675)±25 | ||||
| 7 | Kristal Yönü | <100>±0,5 veya 2 kapalı | |||||
| OF/IF Oryantasyon Seçeneği | EJ, ABD veya Çentik | ||||||
| Oryantasyon Düz (OF) | mm | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Kimlik Dairesi (IF) | mm | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Direnç | (Değil Mekanik Seviye) |
Ω.cm | (1-30)´107 veya (0.8-9)´10-3 veya 1´10-2-10-3 | |||
| Hareketlilik | cm2/vs | ≥ 5.000 veya 1.500-3.000 | |||||
| Taşıyıcı Konsantrasyon | cm-3 | (0,3-1,0)x1018 veya (0,4-4,0)x1018, veya SEMI olarak |
|||||
| 9 | TTV | mikron | ≤10 | ||||
| Yay | mikron | ≤10 | |||||
| çözgü | mikron | ≤10 | |||||
| EPD | cm-2 | ≤ 8.000 veya ≤ 5.000 | |||||
| Ön/Arka Yüzey | P/E, P/P | ||||||
| Kenar Profili | SEMI olarak | ||||||
| Partikül Sayısı | <50 (boyut>0,3 μm, sayım/gofret), veya SEMI olarak |
||||||
| 10 | Lazer İşareti | Arka taraf veya istek üzerine | |||||
| 11 | Ambalajlama | Tek gofret kabı veya kaset | |||||
ZMKJ HAKKIMIZDA
S: Adedi nedir?
(1) Envanter için minimum sipariş miktarı 5 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adet-30 adettir.
S: Malzeme için muayene raporunuz var mı?
Ürünlerimiz için detay raporu sağlayabiliriz.
