Ana sayfa Ürünler Galyum Nitrür Gofret

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret

Tüm ürünler

Galyum Nitrür Gofret (35)

Safir Gofret (88)

SiC Substrat (132)

Safir Optik Pencereler (77)

IC Silikon Gofret (22)

Sentetik Safir Çubuk (13)

Sigortalı Kuvars Levha (40)

Safir Parçaları (114)

Sentetik Taş (72)

Yarıiletken Ekipmanı (55)

LiNbO3 Gofret (18)

GaAs Gofret (24)

İndiyum Fosfür Gofret (34)

Seramik yüzey (25)

laboratuvar ambalajı (31)

Ben sohbet şimdi

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret

Büyük resim : Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret

Ürün ayrıntıları:

Menşe yeri:	Çin
Marka adı:	zmkj
Model numarası:	GaN-2INCH

Ödeme & teslimat koşulları:

Min sipariş miktarı:	1 bilgisayar
Fiyat:	by case
Ambalaj bilgileri:	100 dereceli temizlik odasında tek gofret
Teslim süresi:	2-4weeks
Ödeme koşulları:	L / C, T / T

İletişim

Detaylı ürün tanımı

Malzeme:	GaN tek kristal	Yöntem:	HVPE
boyut:	2 inç	Kalınlık:	330um
sanayi:	LD ， led ， lazer cihazı ， dedektör ，	renk:	Beyaz
paket:	vakum durumuna göre tek gofret kaset kutusu paketi
Vurgulamak:	HVPE galyum nitrür gofret , GaN galyum nitrür gofret , HVPE gan gofret

2 inç bağımsız GaN alt tabakaları, LD için GaN levha, led için yarı iletken Galyum Nitrür levha, GaN şablonu, 10x10 mm GaN alt tabakalar, doğal GaN levha,

III-Nitrür(GaN,AlN,InN)

Yasak bant genişliği (ışık yayma ve absorpsiyon) ultraviyole, görünür ışık ve kızılötesini kapsar.

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret 0

GaN, LED ekran, Yüksek Enerji Algılama ve Görüntüleme gibi birçok alanda kullanılabilir,

Lazer Projeksiyon Ekranı, Güç Cihazı vb.

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret 2

Özellikler:

öğe	GaN-FS-N
Boyutlar	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Marco Kusur Yoğunluğu	Bir seviye	≤ 2 cm^-2
	B Seviyesi	> 2 cm^-2
Kalınlık	300 ± 25 µm
Oryantasyon	C ekseni(0001) ± 0,5°
Oryantasyon Düz	(1-100) ± 0,5°, 16.0 ± 1.0 mm
İkincil Yön Düzeyi	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
TTV(Toplam Kalınlık Değişimi)	≤15 µm
YAY	≤20 µm
İletim Tipi	N tipi
Direnç (300K)	< 0,5 Ω·cm
Çıkık Yoğunluğu	5x10'dan az⁶ santimetre^-2
Kullanılabilir Yüzey Alanı	> %90
parlatma	Ön Yüzey: Ra < 0.2nm.Epilasyona hazır cilalı Arka Yüzey: İnce zemin
paket	Sınıf 100 temiz oda ortamında, tekli gofret kaplarında, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir.

2. Kurumsal Vizyonumuz

endüstri için yüksek kaliteli GaN alt tabaka ve uygulama teknolojisi sağlayacağız.

Yüksek kaliteli GaNmaterial, III-nitrür uygulaması için kısıtlayıcı faktördür, örneğin uzun ömür ve yüksek kararlılık LD'ler, yüksek güç ve yüksek güvenilirlik mikro dalga cihazları, Yüksek parlaklık ve yüksek verimlilik, enerji tasarruflu LED.

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret 3

-SSS -
S: Ne lojistik ve maliyet sağlayabilirsiniz?
(1) DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF vb. kabul ediyoruz.
(2) Kendi ekspres numaranız varsa, bu harika.
Değilse, teslim etmenize yardımcı olabiliriz.Navlun=USD25.0(ilk ağırlık) +USD12.0/kg

S: Teslim süresi nedir?
(1) 2 inç 0,33 mm gofret gibi standart ürünler için.
Envanter için: Teslimat, siparişten sonra 5 iş günüdür.
Özelleştirilmiş ürünler için: Teslimat, siparişten sonra 2 veya 3 iş haftasıdır.

S: Nasıl ödeme yapılır?
100％T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Güvenli ödeme ve Ticaret Güvencesi.

S: MOQ nedir?
(1) Envanter için minimum sipariş miktarı 1 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için, minimum sipariş miktarı 5 adet-10 adettir.
Miktar ve tekniklere bağlıdır.

S: Malzeme için denetim raporunuz var mı?
Ürünlerimiz için ROHS raporu temin edebilir ve raporlara ulaşabiliriz.

Etiket:

İlgili kişi: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Diğer ürünler

RF Uygulaması için 4 İnç 6İNÇ GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi Wafers

Malzemeler: Silikon substratı

Epi katman kalınlığı: 2-7um

Malzeme: Gallium Nitride Wafer

Geleneksel üretim: Moleküler ışın epitaksi

Güç RF LED Uygulaması için 8INÇ 12INÇ 6INÇ GaN-On-Si EPI-WAFERS

Saflık: %99,9

Uygulama: Düşük sıcaklıklı alaşımlar

EINECS numarası: 247-129-0

Sınıf standardı: Endüstriyel seviye

10x10mm 10x15mm 001 Gallium oksit GaO altüstü Mg doping Ga2O3 Gallium Nitride Wafer

ENDÜSTRİ: ld veya led için yarı iletken gofret

Uygulama: yarı iletken alt tabaka, led çip, optik cam pencere, cihaz alt tabakaları

Boyut: özel

Yüzey: cmp/kazınmış

N-GaAs Substrate VCSEL Epiwafer 6 Inch Gallium Arsenide Wafer 2 Inch <100> <110> Optoelektronik cihazlar için

Malzeme: Galyum Arsenür

Boyut: 2 inç

Kalınlığı: 430um

Oryantasyon: <111> <110>

N-GaAs substratı VCSEL epiwafer 6 inç GaAs yönelimi 100 111 dalga boyu 940nm Gigabit Ethernet için

Cavity mode Tolerance: Within3%

Boşluk modu Tekdüzelik: <= %1

Dopinglevel tolerance: Within ±30 %

Doping seviyesi Tekdüzelik: <= %10

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret

Lazer Cihazı İçin Kristalize HVPE GaN Galyum Nitrür Gofret

HVPE galyum nitrür gofret

GaN galyum nitrür gofret

HVPE gan gofret

gan şablonu,

gan substratı,

aln şablonu