logo
Ana sayfa ÜrünlerGalyum Nitrür Gofret

RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer

Ben sohbet şimdi

RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer

HVPE GaN substrate or GaN Template EPI Wafer For RF Applications
HVPE GaN substrate or GaN Template EPI Wafer For RF Applications

Büyük resim :  RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Çin
Marka adı: zmsh
Model numarası: GaN-001
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1 parça
Fiyat: by case
Ambalaj bilgileri: 100 dereceli temizlik odasında tek gofret
Teslim süresi: 2-4weeks
Ödeme koşulları: L / C,, T / T
Yetenek temini: 10pcs / Ay
Detaylı ürün tanımı
Malzeme: GaN tek kristal sanayi: Yarı iletken gofret, LED
Başvuru: yarı iletken cihaz, LD gofret, LED gofret, kaşif dedektörü , lazer , Tip: HVPE ve şablon
özelleştirilmiş: tamam Boyut: ortak 2 inçx0.35mmt
Vurgulamak:

tek kristal gan epi gofret

,

gan epi gofret şablonu

,

gan alt tabakaları şablonu

2 inç HVPE yöntemi Galyum Nitrür GaN levha, LED uygulaması için bağımsız GaN alt tabakaları, 10x10 mm boyutunda GaN yongaları, HVPE GaN levha

 

GaN Özelliği Tanıtımı Hakkında

Yüksek hız, yüksek sıcaklık ve yüksek güç işleme yeteneklerine yönelik artan talep, yarı iletken endüstrisinin yarı iletken olarak kullanılan malzeme seçimini yeniden düşünmesini sağlamıştır.Örneğin,

çeşitli daha hızlı ve daha küçük bilgi işlem cihazları ortaya çıktıkça, silikon kullanımı Moore Yasasını sürdürmeyi zorlaştırıyor.Ama aynı zamanda güç elektroniğinde de, So GaN yarı iletken gofret, ihtiyaç için yetiştirilir.

Eşsiz özellikleri (yüksek maksimum akım, yüksek arıza gerilimi ve yüksek anahtarlama frekansı) nedeniyle Galyum Nitrür GaN,engeleceğin enerji sorunlarını çözmek için benzersiz malzeme seçimi.GaN tabanlı sistemler daha yüksek güç verimliliğine sahiptir, böylece güç kayıplarını azaltır, daha yüksek frekansta geçiş yapar, böylece boyut ve ağırlığı azaltır.

 

GaN teknolojisi, endüstriyel, tüketici ve sunucu güç kaynakları, güneş enerjisi, AC sürücü ve UPS invertörleri ve hibrit ve elektrikli arabalar gibi çok sayıda yüksek güçlü uygulamada kullanılmaktadır.Üstelik,

GaN, hücresel baz istasyonları, radarlar ve kablolu TV gibi RF uygulamaları için idealdir.

yüksek arıza mukavemeti, düşük gürültü rakamı ve yüksek doğrusallığı sayesinde ağ, havacılık ve savunma sektörlerinde altyapı.RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer 0

Uygulamalar

  1. - Çeşitli LED'ler: beyaz LED, mor LED, ultraviyole LED, mavi LED
  2. - Çevresel algılama
  3. MOCVD vb. ile epitaksiyel büyüme için substratlar
  4. - Lazer diyotları: mor LD, ultra küçük projektörler için yeşil LD.
  5. - Güç elektroniği cihazları
  6. - Yüksek frekanslı elektronik cihazlar
  7. Lazer Projeksiyon Ekranı, Güç Cihazı vb.
  8. Tarih depolama
  9. Enerji tasarruflu aydınlatma
  10. Yüksek Verimli Elektronik cihazlar
  11. Yeni enerji solor hidrojen teknolojisi
  12. Işık kaynağı terahertz bandı

GaN Yüzeyler için Özellikler LED sınıfı

 

 

2”GaN Yüzeyler  
Kalem GaN-FS-N  
Boyutlar Ф 50,8 mm ± 1 mm
Marco Kusur Yoğunluğu    
C Seviyesi > 2 cm-2
Kalınlık 330 ± 25 µm
Oryantasyon C ekseni(0001) ± 0,5°
Oryantasyon Düz (1-100) ± 0,5°, 16.0 ± 1.0 mm
İkincil Yön Düzeyi (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
TTV(Toplam Kalınlık Değişimi) ≤15 µm
YAY ≤20 µm
İletim Tipi N tipi  
Direnç (300K) < 0,5 Ω·cm  
Çıkık Yoğunluğu 5x10'dan az6santimetre-2
Kullanılabilir Yüzey Alanı > %90
parlatma Ön Yüzey: Ra < 0.2nm.Epilasyona hazır cilalı
Arka Yüzey: İnce zemin
paket Sınıf 100 temiz oda ortamında, tekli gofret kaplarında, nitrojen atmosferi altında paketlenmiştir.

 

RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer 1

Makro kusur kalitesi, LED sınıfı gofretler için <30 adettir (15-30 adet)

 

Hizmetlerimiz

1. Fabrika doğrudan üretim ve satış.

2. Hızlı, doğru alıntılar.

3. 24 çalışma saati içinde size cevap verin.

4. ODM: Özel tasarım mevcuttur.

5. Hız ve değerli teslimat.

 

SSS

S: Stok veya standart ürün var mı?

C: Evet, her zaman stoklarda 2 inç 0,3 mm standart boyut gibi commen boyutu.

 

S: Örnekler politikasına ne dersiniz?

C: üzgünüm, ancak öncelikle test için 10x10mm boyutunda geri satın almanızı öneririz.

 

S: Şimdi sipariş verirsem, teslimatı almam ne kadar sürer?

A: 1 hafta içinde stokta standart boyut ödeme yapıldıktan sonra ifade edilebilir.

ve ödeme süremiz 50% depozitodur ve teslimattan önce bırakılır.

RF Uygulamaları için HVPE GaN substratı veya GaN Template EPI Wafer 2

İletişim bilgileri
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

İlgili kişi: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Sorgunuzu doğrudan bize gönderin (0 / 3000)