Mesaj gönder
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Ev > Ürünler > Galyum Nitrür Gofret >
2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi
  • 2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi
  • 2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi
  • 2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi
  • 2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi
  • 2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi

2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi

Menşe yeri Çin
Marka adı zmkj
Model numarası GaN polar olmayan
Ürün Detayları
Malzeme:
GaN tek kristal
Yöntem:
HVPE
Boy:
10x10mm, 5x5mm
Kalınlık:
350um
Sanayi:
LD, led, lazer cihazı, dedektör,
Yüzey:
şarkı söyle veya çift taraflı cilalı
Seviye:
LD için
Tip:
Polar Olmayan Bağımsız GaN Substratları
Vurgulamak: 

gan substratı

,

gan şablonu

Ürün Açıklaması

2 inç GaN substrat şablonu, LeD için GaN gofret, ld için yarı iletken Galyum Nitrür Gofret, GaN şablonu, mocvd GaN Wafer, Özelleştirilmiş boyuta göre bağımsız GaN Substratlar, LED için küçük boyutlu GaN gofret, mocvd Galyum Nitrür gofret 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN gofret, Polar Olmayan Bağımsız GaN Substratları (a-düzlem ve m-düzlem)

 

GaN Gofret Özelliği

Ürün Galyum nitrür (GaN) substratları
Ürün Açıklaması: Saphhire GaN şablonu, Epitxial hidrit buhar fazı epitaksi (HVPE) yöntemiyle sunulur.HVPE işleminde, galyum nitrür eriyiği üretmek için amonyakla reaksiyona giren GaCl reaksiyonu tarafından üretilen asit.Epitaksiyel GaN şablonu, galyum nitrür tek kristal substratı değiştirmek için uygun maliyetli bir yoldur.
Teknik parametreler:
Boyut 2" yuvarlak; 50mm ± 2mm
Ürün konumlandırma C ekseni <0001> ± 1,0.
iletkenlik tipi N tipi & P tipi
Direnç R <0.5Ohm-cm
Yüzey işleme (Ga yüz) büyüdükçe
Rms <1nm
Kullanılabilir yüzey alanı > %90
Özellikler:

 

GaN epitaksiyel film (C Düzlemi), N tipi, 2"* 30 mikron, safir;

GaN epitaksiyel film (C Plane), N tipi, 2"* 5 mikron safir;

GaN epitaksiyel film (R Plane), N tipi, 2"* 5 mikron safir;

GaN epitaksiyel film (M Düzlem), N tipi, 2"* 5 mikron safir.

AL2O3 + GaN filmi (N tipi katkılı Si);AL2O3 + GaN filmi (P tipi katkılı Mg)

Not: Müşteri talebine göre özel fiş yönü ve boyutu.

Standart paketleme: 1000 temiz oda, 100 temiz torba veya tekli kutu ambalaj

2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi 0

Başvuru

GaN, LED ekran, Yüksek Enerjili Tespit ve Görüntüleme gibi birçok alanda kullanılabilmektedir.
Lazer Projeksiyon Ekranı, Güç Cihazı, vb.

  • Lazer Projeksiyon Ekranı, Güç Cihazı, vb.
  • Tarih saklama
  • Enerji tasarruflu aydınlatma
  • Tam renkli fla ekran
  • Lazer Projeksiyonları
  • Yüksek Verimli Elektronik cihazlar
  • Yüksek Frekanslı Mikrodalga Cihazlar
  • Yüksek Enerji Algılama ve hayal etme
  • Yeni enerji solor hidrojen teknolojisi
  • Çevre Tespiti ve biyolojik tıp
  • Işık kaynağı terahertz bandı

2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi 1 
 
Özellikler:

 

GaN Şablonu belirtimi

2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi 2

 
2~4 inç Bağımsız GaN Spesifikasyon dosyası
Öğe GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
boyutlar 50,8 mm ± 1 mm
Kalınlık 350 ± 25:00
Kullanılabilir Yüzey Alanı > %90
Oryantasyon C düzlemi (0001) M Eksenine doğru kapalı açı 0,35° ± 0,15°
Oryantasyon Düz (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
İkinci Yönlendirme Düz (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV(Toplam Kalınlık Değişimi) < 15:00
YAY < 20:00
İletim Tipi N tipi N tipi Yarı Yalıtımlı (Fe katkılı)
Özdirenç(3O0K) < 0,1 Q・cm < 0,05 Q・cm >106 Q・cm
Dislokasyon Yoğunluğu 1x105 cm-2'den 3x106 cm-2'ye
Parlatma Ön Yüzey: Ra < 0,2 nm (parlatılmış);veya < 0,3 nm (cilalı ve epitaksi için yüzey işlemi)
Arka Yüzey: 0,5~1,5 pm;seçenek: 1~3 nm (ince zemin);< 0,2 nm (cilalı)
paket Nitrojen atmosferi altında, tek gofret kaplarında, sınıf 100 temiz oda ortamında paketlenmiştir.
 
boyut 4”GaN Substratları
Öğe GaN-FS-N
Boyutlar boyutu Ø 100,0 mm ± 0,5 mm
Yüzey Kalınlığı 450 ± 50 mikron
Substrat Yönü C ekseni(0001) M eksenine doğru 0,55± 0,15°
Lehçe SSP veya DSP
Yöntem HVPE
YAY <25UM
TTV <20um
Pürüzlülük <0,5nm
özdirenç 0.05ohm.cm
katkı maddesi Si
(002) FWHM&(102) FWHM
<100 ark
Miktar ve maksimum delik boyutu
ve çukurlar
Üretim derecesi ≤23@1000 um;Araştırma derecesi ≤68@1000 um
Sahte kalite ≤112@1000 um
Kullanılabilir alan P seviyesi>%90;R seviyesi>%80: Dlevel>%70(kenar ve makro kusurları hariç)

 

  Polar Olmayan Bağımsız GaN Substratları (a-düzlem ve m-düzlem)
Öğe GaN-FS-a GaN-FS-m
boyutlar 5,0 mm×5,5 mm
5.0mm×10.0mm
5.0mm×20.0mm
Özel Boyut
Kalınlık 330 ± 25 mikron
Oryantasyon a düzlemi ± 1° m düzlemi ± 1°
TTV ≤15 mikron
YAY ≤20 mikron
İletim Tipi N tipi
Özdirenç(300K) < 0,5 Ω·cm
Dislokasyon Yoğunluğu 5x106 cm-2'den az
Kullanılabilir Yüzey Alanı > %90
Parlatma Ön Yüzey: Ra < 0.2nm.Epi-hazır cilalı
Arka Yüzey: İnce zemin
paket Nitrojen atmosferi altında, tek gofret kaplarında, sınıf 100 temiz oda ortamında paketlenmiştir.

 

 

2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi 3

2.ZMKJ, mikroelektronik ve optoelektronik endüstrisine 2 "ila 4" çapında GaN gofret sağlar.

HVPE veya MOCVD yöntemiyle büyütülen GaN epitaksiyel gofretler, yüksek frekans, yüksek hız ve yüksek güçlü cihazlar için ideal ve mükemmel bir substrat olarak kullanılabilir.Şu anda GaN şablonu , AlGaN dahil olmak üzere temel araştırma ve cihaz ürün geliştirme kullanımı için GaN epitaksiyel gofret sunabiliyoruz.

ve InGaN .Standart GaN tabanlı gofretin yanı sıra, epi katman yapınızı tartışabilirsiniz.
 
2-4 inç HVPE GaN Gofret Özel Boyutlu - Daimi GaN Tek Kristal Malzemesi 4

İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu caddesi, Qingpu bölgesi , Şanghay şehri , ÇİN
Sorgunuzu doğrudan bize gönderin