12 inç Safir Wafer: C-düzlemi SSP / DSP Optoelektronik Cihazlar 12 inç Endüstriyel Sınıf

Ürüne Genel Bakış

12 inçlik (300 mm) safir levha, safir alt katman sektöründe üst düzey, geniş formatlı bir spesifikasyondur. Kyropoulos yöntemi gibi gelişmiş işlemlerle büyütülen tek kristal külçelerle ve ardından çok telli dilimleme, hassas alıştırma ve kimyasal mekanik parlatma (CMP) dahil olmak üzere yarı iletken düzeyinde prosedürlerle 4N5 ila 5N sınıfı yüksek saflıkta sentetik tek kristal alüminadan (α-Al₂O₃) üretilir.Üçüncü nesil yarı iletken endüstrisi için büyük boyutlu temel bir alt tabaka olarak, 12 inçlik standart yarı iletken üretim hatlarıyla tamamen uyumludur. Plaka başına etkili epitaksiyel alan, 4 inçlik bir plakanın yaklaşık 9 katı ve 8 inçlik bir plakanınkinin 2,25 katıdır; bu, parti başına çip çıkışını büyük ölçüde artırır ve çip başına alt tabaka maliyetini önemli ölçüde azaltır. Bu ürün, büyük boyutlu kristal büyüme tekdüzeliği, küresel düzlük kontrolü ve yüksek sıcaklık süreçlerinde çarpıklık direnci gibi teknik zorlukların üstesinden gelir ve yeni nesil Mini/Mikro LED ekranların ve geniş formatlı GaN güç cihazlarının seri üretimi için temel destekleyici malzeme olarak hizmet eder.

Temel Teknik Özellikler

1. Seri Üretim için Ultra Büyük Format

300 mm'lik geniş çap, alt tabaka alanında bir sıçrama sağlar. 12 inçlik standart MOCVD epitaksi ekipmanı ve yarı iletken arka uç üretim hatlarıyla uyumludur, 8 inçlik levhalara kıyasla parti başına çip çıkışını iki kattan fazla artırır ve ekipman amortismanını ve süreç maliyetlerini büyük ölçüde amorti eder. Optoelektronik ve güç cihazı endüstrilerinde maliyetin azaltılması ve verimliliğin artırılması için ana teknik yükseltme yönüdür.

2.Yüksek düzgünlük Yüksek saflıkta Tek kristal Malzeme

Tek kristaller, büyük boyutlu külçelerdeki eksenel ve radyal yabancı madde dağılımı üzerinde sıkı kontrol sağlanarak yüksek saflıkta alümina hammaddesinden büyütülerek tüm plaka boyunca tutarlı kristal yapı ve eşit dislokasyon yoğunluğu sağlanır. Büyük boyutlu safir kristallerde yaygın olarak görülen bileşen ayrımı ve eşit olmayan stres gibi sorunları çözer ve epitaksiyel büyüme ve cihaz performansında levha çapında tutarlılığı garanti eder.

3. Geniş Format için Yüksek Sıcaklık Termal Kararlılığı
2050°C'lik bir erime noktasına sahip olan kristal yapı, 1000~1200°C'lik yüksek sıcaklıktaki epitaksi ortamı altında stabil kalır. Kristal büyüme stresi düzenlemesi ve stres giderme işlemlerinin işlenmesi yoluyla, yüksek sıcaklıktaki döngü süreçleri sırasında büyük boyutlu levhaların çarpıklığını ve deformasyonunu etkili bir şekilde bastırarak epitaksiyel katman büyümesinin ve cihaz veriminin tek biçimli olmasını sağlar.

4.Mükemmel Elektrik Yalıtımı ve Dielektrik Özellikler
İçsel yüksek saflıkta safir, mükemmel elektrik yalıtımı ve ultra düşük dielektrik kaybıyla birlikte 10¹⁴ Ω·cm'den daha yüksek bir oda sıcaklığı direncine sahiptir. Cihazlar arasında güvenilir elektriksel izolasyon sağlar, yüksek voltaj koşulları altında sızıntıyı ve sinyal karışmasını bastırır ve yüksek voltajlı GaN güç cihazlarının ve yüksek frekanslı RF cihazlarının performans gereksinimlerini karşılar.

5.Wafer çapında Ultra hassas Yüzey Düzlük Kontrolü

Hem Tek Taraflı Cilalı (SSP) hem de Çift Taraflı Cilalı (DSP) işlemler mevcuttur. Epitaksiyel yüzey, Ra ≤ 0,2 nm parlak yüzey pürüzlülüğü ile CMP yoluyla atomik seviyede düzlüğe ulaşır. 12 inç geniş formatın özelliklerini hedefleyen küresel Toplam Kalınlık Değişimi (TTV), yay ve çözgü, levha çapında mükemmel düzlük bütünlüğü ile özel olarak kontrol edilir ve geniş formatlı MOCVD epitaksiyel büyümenin gereksinimlerini tam olarak karşılar.

6.Üstün Kimyasal ve Plazma Direnci
Safir, oda sıcaklığında çoğu asit, alkali ve organik çözücüde çözünmeyen son derece güçlü bir kimyasal inertliğe sahiptir. Yarı iletken üretiminde plazma dağlama, ıslak temizleme ve yüksek sıcaklıkta tavlama gibi zorlu proses ortamlarına, yüzeyde minimum korozyon hasarı ve parçacık dökülmesiyle dayanabilir, proses temizliğini ve uzun vadeli cihaz güvenilirliğini garanti eder.

7. Çoklu Kristal Yönelimleri ve Tam Parametre Özelleştirmesi

C-düzlemi (0001) yönlendirmesi standart olarak sağlanırken, özelleştirilebilir açı dışı özelliklerle A-düzlemi, R-düzlemi ve M-düzlemi gibi özel yönlendirmeler de mevcuttur. Plaka kalınlığı, kenar pahı, çentik ve yüzey temizliği gibi parametrelerin tümü, farklı cihaz süreçlerine ve ekipman standartlarına uyum sağlayarak müşteri gereksinimlerine göre özelleştirilebilir.

8.Yüksek Mekanik Mukavemet ve Standart Proses Uyumluluğu

9 Mohs sertliği ile mükemmel mekanik sağlamlığa ve bükülme direncine sahiptir. Kenar pah kırma ve gerilim giderme işlemleri, büyük boyutlu levhalar için optimize edilmiş olup, bunların inceltme, dilimleme, PSS modelleme ve metalleştirme gibi çeşitli işlem sonrası prosedürlerine dayanabilmesini ve 12 inçlik standart yarı iletken ekipmanın taşıma ve işleme akışlarına uyum sağlamasını sağlar.

Standart Özellikler

Tipik Uygulamalar

1. Ekran optoelektronik alanı: Büyük boyutlu Mini/Mikro LED ekran çiplerinin epitaksiyel büyümesi, üst düzey ekran paneli seri üretim hatları
2. Güç yarı iletken alanı: 12 inç GaN tabanlı yüksek voltajlı güç cihazları, hızlı şarj çipleri, otomotiv güç elektroniğinin büyük ölçekli seri üretimi
3. Entegre devre alanı: Safir Üzerinde Silikon (SOS) RF entegre devreleri, 12 inç uyumlu yüksek frekanslı mikroelektronik cihazlar
4. Optik pencere alanı: Büyük boyutlu, yüksek hassasiyetli optik pencereler, kızılötesi algılama pencereleri, özel optik koruma bileşenleri
5. Özel elektronik alan: Yüksek sıcaklıktaki elektronik cihazlar, havacılık sınıfı radyasyona dayanıklı elektronik bileşenler, MEMS sensörleri için büyük boyutlu alt tabakalar

Kalite Kontrol

12 inçlik büyük boyutlu levhalar için özel bir yarı iletken sınıfı tam proses kalite kontrol sistemi kurulmuştur. Her partide levha çapında çok boyutlu inceleme gerçekleştirilir ve eksiksiz bir Analiz Sertifikası (COA) sağlanabilir. Temel denetim öğeleri şunları içerir: levha çapında boyut doğruluğu ve kalınlık tekdüzelik denetimi, kristal oryantasyon sapması doğrulaması, küresel düzlük ve pürüzlülük taraması, levha çapında görsel kusur haritalama denetimi, temizlik ve yüzey gerilimi testi, kenar kalitesi ve ambalaj sızdırmazlık doğrulaması, büyük boyutlu ürünlerin parametre tutarlılığının ve proses güvenilirliğinin sağlanması.

SSS

12 inçlik safir levhalar ile daha küçük 6 inç / 8 inçlik levhalar arasındaki temel fark nedir?

12 inçlik (300 mm) levha, çok daha geniş bir kullanılabilir epitaksiyel alan sunar; bu, 8 inçlik levhanın kabaca 2,25 katı ve 4 inçlik levhanın 9 katıdır. 12 inçlik standart yarı iletken üretim hatları ve yüksek kapasiteli MOCVD reaktörleriyle uyumludur, parti başına çip çıkışını önemli ölçüde artırır ve birim çip başına maliyeti düşürür. Mini/Mikro LED ekranların ve yüksek voltajlı GaN güç cihazlarının büyük ölçekli seri üretimi için tasarlanırken, 6/8 inçlik levhalar daha yaygın olarak Ar-Ge, küçük ve orta hacimli üretim ve geleneksel LED hatlarında kullanılır.

12 inçlik safir plakaların kalınlığı özelleştirilebilir mi?

Evet. Standart kalınlık seçenekleri 800μm, 1000μm ve 1200μm’yi içerir ve müşterinin proses gereksinimlerine göre özel kalınlık spesifikasyonları üretilebilir. TTV, yay ve çözgü, levha çapında düzlüğü ve süreç uyumluluğunu garanti etmek için tüm kalınlık seçeneklerinde sıkı bir şekilde kontrol edilir.

C-düzlemi (0001) dışında kristal yönelimleri sunuyor musunuz ve dış açı ayarlanabilir mi?

    Evet. GaN LED'i ve güç cihazı epitaksisi için standart C-düzlemi yönlendirmesinin yanı sıra, SOS RF cihazları, polar olmayan GaN cihazları ve özel optik uygulamalar için A-düzlemi, R-düzlemi ve M-düzlemi yönlendirmeleri mevcuttur. Hassas dış açı, epitaksiyel film kalitesini ve cihaz verimini optimize etmek için müşteri çizimlerine veya epitaksiyel proses gereksinimlerine göre de özelleştirilebilir.

12 inçlik levhalara PSS desenleme veya metalizasyon gibi ek işlemler uygulanabilir mi?

    Evet. PSS/NPSS modelleme, tam veya lokalize arka metal kaplama, hassas kenar pah kırma ve ultra ince levha inceltme gibi katma değerli hizmetler mevcuttur. Fizibilite desen boyutlarına, kaplama malzemelerine, levha kalınlığına ve gerekli mekanik dayanıma bağlıdır.

Yüksek sıcaklıktaki işlemler altında 12 inçlik büyük boyutlu safir plakalar için çarpıklık nasıl kontrol edilir? 

    Çarpıklık tüm üretim zinciri boyunca kontrol edilir. Külçe büyümesi sırasında kristal büyüme stresini optimize ediyoruz, alıştırma ve cilalama sırasında kalan gerilimi serbest bırakıyoruz ve hassas kenar pah kırma tasarımı uyguluyoruz. Yüksek sıcaklıkta MOCVD prosesleri altında boyutsal stabilite ve tekdüze epitaksiyel büyümeyi sağlamak için teslimattan önce yay ve çözgü değerleri sıkı bir şekilde denetlenir.

12 inçlik safir plakalar için küçük partili prototip siparişlerini destekliyor musunuz?

Evet. Prototip miktarları, laboratuvar ölçekli deneme serileri ve bakım değiştirme siparişlerinin tümü kabul edilebilir. Fiyatlandırma ve teslim süresi özelleştirilmiş parametrelere, işleme zorluğuna ve gerekli kalite derecesine göre değerlendirilecektir.

İlgili ürünler

Al2O3 Safir Saat Kılıfı Şeffaf Klasik Daire AR kaplama

Korozyona Dirençli Termokupl Koruma Tüpleri Şeffaf Safir Cam Boru