8 inç safir levha:Sentetik Tek Kristal Al2O3 özelleştirilebilir A/R/M-düzlem 4N5-5N Yüksek Saflık

Ürün Genel Görünümü

8 inçlik (200 mm) safir levha, yüksek saflıklı sentetik tek kristal alümina (α-Al2O3) 'dan üretilen büyük formatlı bir yarı iletken substrat.LED epitaksi için temel bir substrat olarak hizmet eder., GaN güç cihazları ve üçüncü nesil yarı iletken endüstrisinde RF optoelektronik cihazlar. Tek kristal ingot ağırlıklı olarak Kyropoulos yöntemi ile yetiştirilir,ve çoklu tel dilimleme dahil olmak üzere hassas prosedürlerle işlenmiştir, lapping ve kimyasal mekanik cilalama.Büyük çaplı seri üretim avantajını safirin öz özellikleriyle birleştirerek yüksek sıcaklığa dirençli,Elektriksel yalıtım ve kimyasal korozyon direnci büyük ölçekli MOCVD epitaksi üretim hatlarıyla uyumludur, etkili bir şekilde çip çıkışını arttırır ve birim üretim maliyetini azaltır, bu da onu yüksek kaliteli optoelektronik ve yarı iletken alanlarında kritik bir temel malzeme haline getirir.

Temel Teknik Özellikler

Büyük ölçekli seri üretim uyumluluğu

200 mm (8 inç) büyük bir çapla, wafer başına etkili epitaksyal alan, 4 inç waferlerden 4 kat daha büyüktür.12 wafer reaktörü gibi büyük ölçekli MOCVD ekipmanlarıyla uyumludur., seri başına çip çıkışını önemli ölçüde arttırır ve çip başına substrat maliyetini azaltır. Mini / Micro LED ve güç cihazlarının seri üretim gereksinimlerini karşılar.

Yüksek saflıklı tek kristal malzeme sistemi

4N5 ve 5N sınıfı (99,995% ve 99,999%) yüksek saflıkta alümina hammaddesinden üretilmiştir.Düşük dislokasyon yoğunluğuna ve mükemmel kristal bütünlüğüne sahip altıgen α fazlı tek kristal yapısına sahiptir, kirlilik ayrımından ve ızgara kusurlarından arındırılmış, epitaksiyel film büyümesinin ve cihaz veriminin tekdüze olmasını sağlar.

Mükemmel termal kararlılık
2050°C erime noktası ile kristal yapısı 1000 ~ 1200°C yüksek sıcaklıklı MOCVD epitaksi ortamında istikrarlı kalır.Düşük bir termal genişleme katsayısı ve yüksek sıcaklıklı işlemler sırasında minimum çarpıklık deformasyonuna sahiptir, ve epitaksyal katman büyümesinin tutarlılığını sağlamak için birden fazla yüksek sıcaklıklı döngü sürecine dayanabilir.

Mükemmel elektrik yalıtımı ve dielektrik özellikleri
İçsel yüksek safira, oda sıcaklığında 1014 Ω·cm'den daha yüksek bir direnç ve düşük dielektrik kaybı ile mükemmel bir elektrik yalıtımına sahiptir.Cihazlar arasındaki etkili elektrik yalıtımına ulaşır, yüksek voltaj koşullarında sızıntı ve sinyal müdahalesini bastırır ve yüksek voltajlı GaN güç cihazlarının ve RF cihazlarının performans gereksinimlerini karşılar.

Epitaxial düzeyde ultra hassas yüzey işleme
Hem tek taraflı cilalı (SSP) hem de çift taraflı cilalı (DSP) işlemler mevcuttur.Atom düzeyinde düzlük elde etmekToplam Kalınlık Değişimi (TTV), yay ve warp, MOCVD GaN epitaksyal büyümesi için yüzey gereksinimlerini tamamen karşılayarak sıkı bir şekilde kontrol edilir.

Güçlü kimyasal ve plazma direnci
Sapfir, oda sıcaklığında çoğu asit ve alkali çözeltisinde çözünmez olan son derece güçlü bir kimyasal inertliğe sahiptir.Yarım iletken üretiminde plazma kazımı ve ıslak temizleme gibi sert süreç ortamlarına dayanabilir, yüzeyde minimum korozyon hasarı ve parçacık kirliliği ile, süreç temizliğini ve cihaz güvenilirliğini sağlar.

Polimorfizm ve özelleştirilmiş parametreler desteği

C düzlemi (0001) yönelimi standart olarak sağlanırken, A düzlemi, R düzlemi ve M düzlemi de dahil olmak üzere özel yönelimler, özelleştirilebilir açı dışı özelliklerle mevcuttur.Kalınlık gibi parametreler, kenar çember ve düz / not müşteri gereksinimlerine göre özelleştirilebilir, farklı cihaz süreçlerine ve ekipman özelliklerine uyarlanabilir.

Yüksek mekanik dayanıklılık ve son işlemle uyumluluk

Mohs sertliği 9, elmasla ikincisidir, mükemmel mekanik sertliğe ve bükülme direncine sahiptir.Kenar parçalanması veya çatlaması olmadan PSS desenleme ve metalleşme, çeşitli cihaz işleme çözümlerine uyum sağlıyor.

Standart Spesifikasyonlar

Tipik Uygulamalar

1. Optoelektronik alanı: Mavi/yeşil/UV LED epitaksyal büyüme, Mini/Mikro LED ekran çipi imalatı, yüksek verimli aydınlatma çipi üretim hatları
2. Güç yarı iletkenleri alanı: GaN tabanlı yüksek voltajlı güç cihazları, hızlı şarj çipleri, otomotiv güç elektronik cihazları için epitaksiyal altyapı
3. RF ve mikroelektronik alan: Silikon-Zafire (SOS) RF entegre devreler, yüksek frekanslı mikrodalga cihazı substratları
4. Optik ve algılama alanı: Yüksek hassasiyetli optik pencereler, kızılötesi algılama cihazları, MEMS sensör substratları
5. Özel yarı iletken alanı: Yüksek sıcaklık elektronik cihazlar, radyasyona dirençli havacılık sınıfı elektronik bileşenler

Kalite Kontrolü

Tüm süreç boyunca yarı iletken derecesinde bir kalite kontrol sistemi uygulanır.ve tam bir Analiz Sertifikası (COA) verilebilirDenetim öğeleri arasında boyut doğruluğu denetimi, kristal yönelim sapma doğrulama, yüzey düzlüğü ve kabalık testi, görsel kusur tarama (yarıklamalar, çukurlar,Kenar parçalanması), temizlik testi ve ambalaj mühürleme doğrulama, ürün parametrelerinin tutarlılığını ve süreç güvenilirliğini sağlar.

Sık Sorulan Sorular

8 inçlik safir levhalar ile daha küçük 4/6 inçlik levhalar arasındaki temel fark nedir?           

8 inçlik wafer, çok daha büyük bir kullanılabilir epitaksyal alan sağlar. yaklaşık 4 inçlik bir waferin 4 katı ve 6 inçlik bir waferin 1,8 katı.Bir seri başına çip üretimini arttırır ve birim başına çip maliyetini düşürürMini/Mikro LED ve yüksek voltajlı GaN güç cihazlarının seri üretim hatları için daha uygundur, oysa 4/6 inç waferler Ar-Ge ve küçük-orta hacimli üretim için daha yaygındır.

8 inçlik safir levhaların kalınlığı özelleştirilebilir mi?
Evet. Standart kalınlık seçenekleri arasında 650μm, 800μm ve 1000μm bulunur ve müşteri süreci gereksinimlerine uyan özel kalınlık özellikleri üretilebilir.Düzlük ve işlem uyumluluğunu garanti etmek için tüm kalınlık seçenekleri için kemer ve warp parametreleri sıkı bir şekilde kontrol edilir.

C düzleminden (0001) başka kristal yönelimleri sunar mısınız ve açı dışı ayarlanabilir mi?
GaN LED epitaksi için standart C düzleminin yanı sıra, SOS RF cihazları, kutupsal olmayan GaN cihazları ve özel optik uygulamalar için A düzlemi, R düzlemi ve M düzlemi yönelimleri mevcuttur.Kesin dış açı ayrıca müşteri çizimleri veya epitaksiyal işlem ihtiyaçlarına göre de özelleştirilebilir..

PSS desenleme veya metalleşme gibi ek işleme waferlere uygulanabilir mi?
Evet. PSS / NPSS desenleme, tam veya yerel arka metalleme, hassas kenar çemberleme ve ultra ince vafer inceltme gibi katma değerli hizmetler mevcuttur.Mümkünlüğü desen boyutlarına bağlıdır, kaplama malzemeleri, wafer kalınlığı ve gerekli mekanik dayanıklılık.

8 inçlik safir levhalar için küçük seri prototip siparişlerini destekler misiniz?
Evet, prototip miktarları, laboratuvar ölçeğinde test partileri ve bakım yerine alma siparişleri kabul edilebilir.İşleme zorluğu ve gerekli kalite derecesi.

İlişkili ürünler

4 inçlik safir vafra. Al2O3 altyapısı yarı iletkenler ve optik uygulamalar için.

Kesinlik Saat Mücevher uygulamaları için 9 Mohs Sertliği ile özelleştirilebilir 0.2mm Monokristalin Al2O3 Kırmızı Sapphire Taşıma