| Marka Adı: | ZMSH |
| Adedi: | 100 |
| Teslim Zamanı: | 2-4 HAFTA |
| Ödeme Şartları: | T/T |
Bu 4 inç (100 mm) N-tipi, P-katkılı silikon vafli, <100> kristal yönelimi, 100 nm Titanyum (Ti) yapışma katmanı ve 200 nm Bakır (Cu) iletken katman ile kaplanmıştır.
Ti katmanı, Cu film tutunmasını ve termal kararlılığı iyileştiren güçlü bir yapışma tamponu ve difüzyon bariyeri görevi görür. Cu katmanı, yüksek elektriksel iletkenlik sağlar ve bu da bu vafli mikroelektronik, MEMS cihazları, sensörler ve araştırma uygulamaları için uygun hale getirir.
![]()
![]()
Vafli tek taraflı cilalanmıştır (SSP) ve hassas uygulamalar için kontaminasyonsuz kullanım sağlamak üzere temiz oda ambalajında tedarik edilir.
İnce film yapısı, düzgün kalınlık, tutarlı elektriksel performans ve güvenilir yapışma elde etmek için optimize edilmiştir. Vafli, silikon alt tabakalar üzerinde yüksek kaliteli bir Cu/Ti arayüzü gerektiren uygulamalar için idealdir.
| Parametre | Özellik |
|---|---|
| Vafli Boyutu | 4 inç çap × 0,525 mm kalınlık |
| Vafli Tipi | Birinci Sınıf, N-tipi, P-katkılı |
| Kristal Yönelimi | <100> |
| (100) | Cilalama |
| Tek Tarafı Cilalı (SSP) | Ti Yapışma Katmanı Kalınlığı |
| 100 nm | Cu İletken Katman Kalınlığı |
| 200 nm | Cu Film Yapısı |
| Çok kristalli, düzgün birikim | Elektriksel Direnç |
| 1–10 Ω·cm | Yüzey Pürüzlülüğü |
| Büyüdüğü gibi (tipik, belirtilmemiş) | Biriktirme Yöntemi |
| Yüksek vakumlu PVD (püskürtme veya elektron demeti) | Paket |
Uygulamalar
Yarı iletken ara bağlantı katmanları
MEMS mikro yapıları ve elektrotları
Sensör cihazları ve temas pedleri
İnce film elektroniğinde araştırma ve geliştirme
Temel Özellikler
Ti yapışma katmanı, güçlü Cu-Si bağlanmasını sağlar
200 nm Cu katmanı, düşük dirençli bir iletken yol sağlar
Ti katmanı, termal kararlılığı iyileştirmek için bir difüzyon bariyeri görevi görür
PVD biriktirme, tutarlı kalınlık ve yüzey kalitesi sağlar
Kullanım ve Saklama Notları
Temiz oda veya düşük tozlu ortamda kullanın
Yüksek sıcaklıkta işleme için, Cu/Si karşılıklı difüzyonunu önlemek için koşulları optimize edin
İnce film bütünlüğünü korumak için kuru, düşük stresli bir ortamda saklayın
SSS
1. Vafli üzerindeki Cu/Ti ince filmlerinin homojenliği nedir?
Ti yapışma katmanı ve Cu iletken katmanı, yüksek vakumlu PVD teknikleri kullanılarak biriktirilir ve
4 inçlik vafli boyunca düzgün kalınlık sağlar. Cu film kalınlığı 200 nm ve Ti katmanı 100 nm'dir ve mikroelektronik ve araştırma uygulamaları için uygun minimum varyasyon vardır.
2. Bu vafli yüksek sıcaklık işlemlerinde kullanılabilir mi?
Evet, ancak önlemler tavsiye edilir. Ti katmanı, Cu'nun silikon alt tabakaya difüze olmasını önlemek için bir difüzyon bariyeri görevi görür. Film bütünlüğünü ve homojenliğini korumak için sıcaklık ve işleme koşullarının optimize edilmesi önerilir.
3. Vafli nasıl saklanmalı ve kullanılmalıdır?