logo
İyi fiyat  çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Ev Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
IC Silikon Gofret
Created with Pixso. 4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer

4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer

Marka Adı: ZMSH
Adedi: 100
Teslim Zamanı: 2-4 HAFTA
Ödeme Şartları: T/T
Ayrıntılı Bilgiler
Menşe yeri:
ŞANGAY, ÇİN
Gofret Boyutu:
4 inç çap × 0,525 mm kalınlık
Gofret Tipi:
Prime Grade, N tipi, P katkılı
Kristalin Yönelimi:
<100>
Ti Yapışma Katmanı Kalınlığı:
100 Nm
Cu İletken Katman Kalınlığı:
200 nm
Cu Film Yapısı:
Çok kristalli, düzgün biriktirme
Elektrik direnci:
1–10 Ω·cm
Yüzey Pürüzlülüğü:
Büyüdükçe (tipik, belirtilmemiş)
Biriktirme Yöntemi:
Yüksek vakumlu PVD (püskürtme veya e-ışın)
Vurgulamak:

4 inç N-Tipi Si yonga

,

Cu filmli P-Katkılı Si yonga

,

İnce filmli Ti/Silikon yonga

Ürün Açıklaması

4 inç N-Tipi P-Katkılı Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu İnce Film Ti/Silikon Vafli Üzerinde Cu Film

Ürüne Genel Bakış


Bu 4 inç (100 mm) N-tipi, P-katkılı silikon vafli, <100> kristal yönelimi, 100 nm Titanyum (Ti) yapışma katmanı ve 200 nm Bakır (Cu) iletken katman ile kaplanmıştır.


Ti katmanı, Cu film tutunmasını ve termal kararlılığı iyileştiren güçlü bir yapışma tamponu ve difüzyon bariyeri görevi görür. Cu katmanı, yüksek elektriksel iletkenlik sağlar ve bu da bu vafli mikroelektronik, MEMS cihazları, sensörler ve araştırma uygulamaları için uygun hale getirir.


4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer 04 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer 1



Vafli tek taraflı cilalanmıştır (SSP) ve hassas uygulamalar için kontaminasyonsuz kullanım sağlamak üzere temiz oda ambalajında tedarik edilir.


İnce film yapısı, düzgün kalınlık, tutarlı elektriksel performans ve güvenilir yapışma elde etmek için optimize edilmiştir. Vafli, silikon alt tabakalar üzerinde yüksek kaliteli bir Cu/Ti arayüzü gerektiren uygulamalar için idealdir.


ÖzelliklerÖzellikler


Parametre Özellik
Vafli Boyutu 4 inç çap × 0,525 mm kalınlık
Vafli Tipi Birinci Sınıf, N-tipi, P-katkılı
Kristal Yönelimi <100>
(100) Cilalama
Tek Tarafı Cilalı (SSP) Ti Yapışma Katmanı Kalınlığı
100 nm Cu İletken Katman Kalınlığı
200 nm Cu Film Yapısı
Çok kristalli, düzgün birikim Elektriksel Direnç
1–10 Ω·cm Yüzey Pürüzlülüğü
Büyüdüğü gibi (tipik, belirtilmemiş) Biriktirme Yöntemi
Yüksek vakumlu PVD (püskürtme veya elektron demeti) Paket


1000 sınıfı temiz oda içinde 100 sınıfı plastik torbada tek vafli


  • Uygulamalar

  • Yarı iletken ara bağlantı katmanları

  • MEMS mikro yapıları ve elektrotları

  • Sensör cihazları ve temas pedleri

  • İnce film elektroniğinde araştırma ve geliştirme


Mikro imalat için yüksek iletkenlikli test vafleri4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer 2


  • Temel Özellikler

  • Ti yapışma katmanı, güçlü Cu-Si bağlanmasını sağlar

  • 200 nm Cu katmanı, düşük dirençli bir iletken yol sağlar

  • Ti katmanı, termal kararlılığı iyileştirmek için bir difüzyon bariyeri görevi görür

  • PVD biriktirme, tutarlı kalınlık ve yüzey kalitesi sağlar


Temiz oda ambalajı, vafli temizliğini ve bütünlüğünü korur


  • Kullanım ve Saklama Notları

  • Temiz oda veya düşük tozlu ortamda kullanın

  • Yüksek sıcaklıkta işleme için, Cu/Si karşılıklı difüzyonunu önlemek için koşulları optimize edin

  • İnce film bütünlüğünü korumak için kuru, düşük stresli bir ortamda saklayın


Kaplanmış yüzeye doğrudan temastan kaçının


SSS
1. Vafli üzerindeki Cu/Ti ince filmlerinin homojenliği nedir?4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer 3Ti yapışma katmanı ve Cu iletken katmanı, yüksek vakumlu PVD teknikleri kullanılarak biriktirilir ve


4 inçlik vafli boyunca düzgün kalınlık sağlar. Cu film kalınlığı 200 nm ve Ti katmanı 100 nm'dir ve mikroelektronik ve araştırma uygulamaları için uygun minimum varyasyon vardır.
2. Bu vafli yüksek sıcaklık işlemlerinde kullanılabilir mi?


Evet, ancak önlemler tavsiye edilir. Ti katmanı, Cu'nun silikon alt tabakaya difüze olmasını önlemek için bir difüzyon bariyeri görevi görür. Film bütünlüğünü ve homojenliğini korumak için sıcaklık ve işleme koşullarının optimize edilmesi önerilir.
3. Vafli nasıl saklanmalı ve kullanılmalıdır?


Vafli, kontaminasyondan kaçınmak için temiz oda veya düşük tozlu bir ortamda kullanılmalıdır. Kuru, düşük stresli bir ortamda saklayın. Kaplanmış yüzeye doğrudan dokunmaktan kaçının. Her vafli, 1000 sınıfı temiz oda paketinin içinde 100 sınıfı bir plastik torbada tedarik edilir.

4 inçlik N Tipi P-Doped Si (100) 100 nm Ti + 200 nm Cu Thin Film Cu Film on Ti/Silicon Wafer 4


İlgili Ürünler


Si Altın Kaplamalı Silikon Vafler 2 inç 4 inç 6 inç 8 inç Metal Kaplama Malzemeleri Au