Ürün ayrıntıları

Ev Ürünler

‌6H-N Tipi SiC Yonga: 2 İnç Alt Tabaka, Kalınlık 350μm veya 650μm‌

Marka Adı:	ZMSH
Model Numarası:	6 saat-n 2 inç
Adedi:	3 adet
fiyat:	by case
Teslim Zamanı:	2 hafta
Ödeme Şartları:	T/T, Western Union

Ayrıntılı Bilgiler

Ürün Açıklaması

Ayrıntılı Bilgiler

Menşe yeri:

Çin

Sertifika:

ROHS

Malzeme:

SIC kristali

Boyut:

2 inç

Kalınlık:

350um veya 330um

Yüzey:

si-face'te CMP, c-face mp

Renk:

Şeffaf

Tip:

6H-N

Direnç:

0,015~0,028ohm.cm

Ra:

<0,2nm si-yüz

Ambalaj bilgileri:

tek gofret kutusu

Yetenek temini:

5000 adet/ay

Vurgulamak:

6H-N tipi SiC yonga 2 inç alt tabaka

SiC alt tabaka 350μm kalınlık

SiC yonga 650μm kalınlık

Ürün Açıklaması

Ürün Açıklaması: Silisyum Karbür (SiC) Gofret Çözümleri

Ürüne Genel Bakış

Ulaşım, enerji ve endüstriyel pazarlar geliştikçe güvenilir, yüksek performanslı güç elektroniğine olan talep artmaya devam ediyor. Gelişmiş yarı iletken performansına yönelik gereksinimleri karşılamak için cihaz üreticileri, 4H-SiC Prime Grade (4H tipi n tipi silisyum karbür) levhalarımız gibi geniş bant aralıklı yarı iletken malzemelere yöneliyor. Bu levhalar olağanüstü kristal kalitesi ve düşük kusur yoğunluğu sunarak zorlu uygulamalar için idealdir.

Temel Özellikler

Optimize Edilmiş Performans ve Maliyet

Daha büyük levha çapları, yarı iletken üretiminde ölçek ekonomisi sağlayarak toplam sahip olma maliyetini azaltır.
Uyumluluk

Mevcut ve yeni ortaya çıkan cihaz üretim süreçleriyle mekanik uyumluluğu sağlamak için tasarlanmıştır.
Özelleştirme

Cihaz tasarımına yönelik özel performans ve maliyet gereksinimlerini karşılayacak şekilde uyarlanabilir.
Kalite Güvencesi

Düşük kusur yoğunluklu levhalar mevcuttur (MPD ≤ 0,1 cm⁻², TSD ≤ 400 cm⁻², BPD ≤ 1.500 cm⁻²).

Teknik Özellikler

Parametre	4H-SiC (Tek Kristal)	6H-SiC (Tek Kristal)
Kafes Parametreleri	a=3,076Å, c=10,053Å	a=3,073Å, c=15,117Å
İstifleme Sırası	ABCB	ACB
Mohs Sertliği	≈9,2	≈9,2
Yoğunluk	3,21 g/cm³	3,21 g/cm³
Termal Genleşme Katsayısı	4-5*10⁻⁶/K	4-5*10⁻⁶/K
Kırılma indeksi @750nm	n₀=2,61, nₑ=2,66	n₀=2,60, nₑ=2,65
Dielektrik Sabiti	c~9.66	c~9.66
Isıl İletkenlik (N-tipi)	a~4,2 W/cm·K @298K	c~3,7 W/cm·K @298K
Isı İletkenliği (Yarı Yalıtım)	a~4,9 W/cm·K @298K	c~3,9 W/cm·K @298K
Bant boşluğu	3,23 eV	3,02 eV
Arıza Elektrik Alanı	3-5*10⁶ V/cm	3-5*10⁶ V/cm
Doygunluk Kayma Hızı	2,0*10⁵ m/sn	2,0*10⁵ m/sn

‌6H-N Tipi SiC Yonga: 2 İnç Alt Tabaka, Kalınlık 350μm veya 650μm‌ 0

Ürün Serisi

2 inçlik Gofretler

0,33 mm veya 0,43 mm kalınlıklarda mevcuttur.
6H-N/4H-N SiC Yüzeyler

Güç elektroniği için yüksek saflıkta tek kristal yapılar.
150mm Gofretler

100 mm cihaz üretimine kıyasla gelişmiş ölçek ekonomileri sağlar.

Özelleştirme Hizmetleri

Aşağıdakiler de dahil olmak üzere kapsamlı özelleştirme seçenekleri sunuyoruz:

Malzeme özellikleri (direnç, katkılama türü vb.).
Gofret boyutu optimizasyonu (150 mm ve daha büyük).
Yüzey işleme özelleştirmesi.
Özel kaplamalar (örneğin optik kaplamalar).

Envanter Ürünleri

Boyut	Kalınlık	Tip	Seviye
2 inç	330μm	4H-N/4H-Yarı/6H-Yarı	kukla/araştırma/üretim
3 inç	350μm	4H-N/4H-Yarı HPSI	kukla/araştırma/üretim
4 inç	350μm	4H-N/500μm HPSI	kukla/araştırma/üretim
6 inç	350μm	4H-N/500μm 4H-Yarı	kukla/araştırma/üretim

Teknik Destek

Ayrıntılı teknik özellikler için lütfen 150mm Silisyum Karbür Gofret Teknik PDF'mize bakın.

SSS

Gönderim Yöntemleri

DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS veya SF Express'te kendi kurye hesabınız varsa nakliye acenteniz olarak hareket edebiliriz.
Ödeme Yöntemleri

T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, Akreditif. Banka ücretleri: Western Union için ≤ 1000 USD; 1000 USD'nin üzerindeki T/T, telgraf transferi gerektirir.
Teslimat süresi
- Stok ürünler: 5 iş günü.
- Özel ürünler: 7-25 iş günü (sipariş hacmine bağlı olarak).
Özelleştirme Yetenekleri

Özel ihtiyaçlarınızı karşılamak için malzeme özelliklerini, boyut parametrelerini ve optik kaplamaları özelleştirebiliriz.

Etiketler:

sic gofret

sic substrat

Silisyum karbür substrat

İlişkili Ürünler

video

Gelişmiş Elektronikler için Silisyum Karbür Dikdörtgen Substrat SiC Çipi

En İyi Fiyatı Alın

video

4H-N Tipi SiC Substrate 10x10mm Güç Elektronikleri için Wafer

En İyi Fiyatı Alın

Galyum Nitrür Gofret

Safir Gofret

SiC Substrat

Safir Optik Pencereler

IC Silikon Gofret

Tel testere makinesi

Sentetik Safir Çubuk

Sigortalı Kuvars Levha

Safir Parçaları

Sentetik Taş

Yarıiletken Ekipmanı

LiNbO3 Gofret

İndiyum Fosfür Gofret

Seramik yüzey

laboratuvar ambalajı

GaAs Gofret