HPSI SiC Wafer 2-12 Inch AI / AR Gözlükleri için Optik Derecesi

HPSI SiC Wafer 2-12 Inch AI / AR Gözlükleri için Optik Derecesi

HPSI tipi SiC levhaları (Yüksek Saflıklı Yarı yalıtımlı Silikon Karbürü) AI ve AR gözlüklerindeki temel optik malzemeler olarak hizmet eder. Yüksek kırılma indeksi (2.6 ̊2.7 @ 400~800 nm) ve düşük optik emicilik özellikleri , "yağmurkuşağı etkileri" ve AR dalga kılavuzları için geleneksel cam veya reçine malzemelerinde yetersiz ışık geçirgenliği gibi sorunları ele alıyorlar.Meta's Orion AR gözlükleri HPSI SiC dalga kılavuzu lensleri kullanır, 70 ° ∼ 80 ° ultra geniş bir görüş alanı (FOV) elde ederek tek katmanlı lens kalınlığı sadece 0.55 mm ve ağırlığı 2.7 g'dir.

HPSI SiC Wafer Temel Özellikleri ve Avantajları

Malzeme Özellikleri, Optik Performansı ve Uygulama Değeri

- Hayır.1Çökme endeksi: 2.6 2.7

• Bu yüksek kırılma indeksi, çok katmanlı optik yapıların tek katmanlı bir mercekle değiştirilmesini, ışık kaybını azaltmasını ve parlaklığı ve renk doğruluğunu artırmasını sağlar.Daha saf görsel görüntüler sağlar., gökkuşağı efektlerini ortadan kaldırır ve yüksek çözünürlüklü Mikro LED'lerle sorunsuz entegrasyonu destekler.

- Hayır.

2Isı iletkenliği: 490 W/m·K

• Malzeme, yüksek güçlü Mikro LED'ler tarafından üretilen ısıyı hızla dağıtır, lens deformasyonunu önler ve cihaz ömrünü uzatır.Bu, yüksek sıcaklık ortamlarında bile istikrarlı performans sağlar, örneğin açık hava kullanımı.

- Hayır.

3Mohs Sertliği: 9.5

• Olağanüstü çizik direnciyle, malzeme günlük aşınmaya ve yırtılmaya dayanır. Bu, bakım gereksinimlerini azaltır ve uzun süreli kullanılabilirliği geliştiren merceğin kullanım ömrünü uzatır.

4Geniş Bandgap Yarım iletken.

• CMOS süreçleriyle uyumluluğu, hassas optik ızgara imalatı için nanoskala litografisi ve kazımını sağlar.Bu, difraktif dalga kılavuzu ve mikro rezonatörler gibi gelişmiş optik bileşenlerin wafer ölçeğinde üretimini kolaylaştırır..

HPSI SiC Wafer Ana Uygulamalar

HPSI SiC WaferAnahtar Parametreler

4 inç ve 6 inç yarı yalıtımlı SiC substrat özellikleri karşılaştırması
Parametreler	Sınıf	Dört inçlik bir substrat.	6 inçlik alt katman
Çapraz.	Z Sınıf / D Sınıf	99.5 mm - 100.0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Poly tip.	Z Sınıf / D Sınıf	4 saat	4 saat
Kalınlığı.	Z derecesi	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
	D derecesi	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer yönelimi.	Z Sınıf / D Sınıf	Eksen üzerinde: <0001> ± 0,5°	Eksen üzerinde: <0001> ± 0,5°
Mikropip yoğunluğu	Z derecesi	≤ 1 cm2	≤ 1 cm2
	D derecesi	≤ 15 cm2	≤ 15 cm2
Direnç.	Z derecesi	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
	D derecesi	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Temel düz yönlendirme	Z Sınıf / D Sınıf	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Temel Düz Uzunluk	Z Sınıf / D Sınıf	32.5 mm ± 2,0 mm	Çentik
İkincil Düz Uzunluk	Z Sınıf / D Sınıf	18.0 mm ± 2,0 mm	-
Kenarlık dışlaması.	Z Sınıf / D Sınıf	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	Z derecesi	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
	D derecesi	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Kabartma.	Z derecesi	Polonya Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polonya Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
	D derecesi	Polonya Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polonya Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Kenar Çatlakları.	D derecesi	Toplu alan ≤ 0,1%	Toplu uzunluk ≤ 20 mm, tek uzunluk ≤ 2 mm
Çok tipli alanlar	D derecesi	Toplu alan ≤ 0,3%	Toplu alan ≤ 3%
Görsel Karbon İçişleri	Z derecesi	Toplu alan ≤ 0,05%	Toplu alan ≤ 0,05%
	D derecesi	Toplu alan ≤ 0,3%	Toplu alan ≤ 3%
Silikon Yüzey Çizikleri.	D derecesi	Her biri ≤1mm	Toplam uzunluk ≤ 1 x çap
Edge Chips.	Z derecesi	Hiçbiri izin verilmez (genişliği ve derinliği ≥ 0,2 mm)	Hiçbiri izin verilmez (genişliği ve derinliği ≥ 0,2 mm)
	D derecesi	Her biri ≤1 mm	Her biri ≤1 mm
İpleme vida çıkması.	Z derecesi	-	≤ 500 cm2
Paketleme	Z Sınıf / D Sınıf	Çoklu Wafer Kaseti veya Tek Wafer Konteyneri	Çoklu Wafer Kaseti veya Tek Wafer Konteyneri

 

 

---

 

ZMSH Hizmetleri

 

 

ZMSH, entegre bir üretim ve ticaret kuruluşu olarak, SiC ürünleri için uçtan uca çözümler sunar:

 

• Dikey entegrasyon:Ev içi kristal büyüme fırınları, özelleştirilebilir parametrelerle (4H-N, 4H-HPSI, 6H-P ve 3C-N tipi levhalar (2 ′′ 12 inç) üretir (örneğin, doping konsantrasyonu, bükme gücü).

• - Hayır.Kesinlik İşleme:

1. - Hayır.Wafer düzeyinde kesim:Lazer kesme ve kimyasal mekanik cilalama (CMP), yüzey kabalığını <0.3 nm elde eder.
2. - Hayır.Özel Şekiller:AR optik modül entegrasyonu için prizmalar, kare löveler ve dalga kılavuzu dizileri üretir.

• Bizimle iletişime geçin:Örnekler ve teknik danışmanlıklar mevcut. Tam servis desteği, tasarım doğrulanmasından seri üretime kadar.

 

 

 

 

---

 

ZMSH'nin SiC ürünleri

 

 

SiC Wafers 4H-Semi

 

 

1. 4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Wafers Prime Grade Yarım iletken EPI Substratlar AR Camlar Optik Grade

 

 

 

---

 

SiC Wafers 4H-N

 

 

2. 4 inç 4H-N Silikon Karbür SiC Substrate Dia 100mm N tip Prime Grade Dummy Grade Kalınlığı 350um Özel

 

 

 

---

 

Diğer SiC örnekleri türleri

 

 

 

S1: HPSI SiC Wafer AR gözlükleri için neden kritiktir?

A1: HPSI SiC Wafer'in yüksek kırılma indeksi (2.6 ̇2.7) ve düşük optik emilim, AR ekranlarında gökkuşağı etkilerini ortadan kaldırırken ultra ince dalga kılavuzlarını (örneğin, Meta Orion ̇s 0.55mm lensler).

S2: HPSI SiC, AR optiklerinde geleneksel camdan nasıl farklıdır?

A2: HPSI SiC, camdan (~ 2.0) 2 kat daha yüksek kırılma endeksi sunar, daha geniş FOV ve tek katmanlı dalga kılavuzlarına izin verir, ayrıca Micro LED'lerden ısı yönetmek için 490 W / m · K ısı iletkenliği sağlar.

S3: HPSI SiC diğer yarı iletken malzemelerle uyumlu mu?

C3: Evet, hibrit sistemlerde GaN ve silikon ile bütünleşir, ancak termal istikrarı ve dielektrik özellikleri yüksek güçlü AR optikleri için üstün hale getirir.

Etiketler: # HPSI SiC Wafer, # Silikon Karbid Substrati, # Özel, # Çift Taraflı Poliş, # Yüksek Saflık, # Optik Bileşen, # Korozyona Dirençli, # Yüksek Sıcaklık Derecesi, # HPSI, # Optik Derecesi,# 2-12 inç, #Optical Grade, #AI/AR Gözlükler