Büyümüş Sapphire Crystal Boule Sapphire Ingot KY Kyropoulos yöntemi 80kg-300kg
Sapphire Crystal Boule (Sapphire kristal malzemesi) sentetik tek kristal alümina (α-Al2O3), genellikle Czochralski (CZ) veya Isı Değişim Yöntemi (HEM) ile yetiştirilir.Son derece yüksek sertliği nedeniyle (Mohs sertliği 9, sadece elmas), mükemmel ışık geçirgenliği (ultraviyole kızılötesi bant) ve mükemmel kimyasal kararlılık, safir yüksek kaliteli optik, yarı iletkenler,Tüketici elektroniği ve endüstriyel alanlar.
Teknik özellikler
Sapphire Crystal Boule, ultra yüksek sertliği nedeniyle yarı iletken, optik, tüketici elektroniği ve diğer alanlarda kilit bir malzemedir.Geniş bantlı ışık iletimi ve aşırı çevresel dirençYüksek kaliteli uygulamaların ihtiyaçlarını karşılamak için kristal büyümesinden hassas işleme kadar tam süreç çözümleri sunuyoruz.
|
Kristal yapısı
|
Monokristal safir |
|
Yıkım endeksi
|
n0 = 1,768 ((633nm),ne = 1,760 ((633nm) |
| Sertlik |
Mohs sertliği 9.0 |
| TAçıklık |
Tamamen şeffaf |
|
yoğunluk
|
3.98 g/cm3 |
|
Genel boyutlar
|
2-12 inç çapında |
Karakteristiksafir kristal küre
1Optik performans:
· Derin ultraviyole (DUV) ile orta kızılötesi (MIR) bantlarını kapsayan geniş geçirgenlik aralığı (0,15 ~ 5,5μm).
· Kırılma indeksi 1.76 @ 589nm, düşük birefringence (0.008), optik pencere ve lens uygulamaları için uygundur.
· Özel bantların geçirgenliğini optimize etmek için yansıtma karşıtı film (AR), yüksek yansıtma filmi (HR) veya filtre filmi kaplanabilir.
2Mekanik özellikleri:
· Mohs sertliği 9, mükemmel çizik direnci, aşınmaya dayanıklı uygulamalara uygundur.
· Sıkıştırma gücü > 2GPa, bükme gücü > 400MPa, güçlü darbe direnci.
· Wafer, optik pencere, kılavuz tekerleği, rulman ve diğer şekillerde işlenebilir.
3Termal özellikleri:
· 2050°C'ye kadar erime noktası, 1900°C'ye kadar uzun süreli çalışma sıcaklığı (inert gaz ortamı).
· Isı iletkenliği 35W/ ((m·K), termal genişleme katsayısı 5.8×10−6/K (25~1000°C), ısı şoku direnci.
4Kimyasal istikrar:
· Asit ve alkali direnci (hidroflorik asit ve sıcak yoğunlaşmış sülfürik asit hariç), güçlü oksidasyon direnci.
· Nükleer endüstri ve havacılık gibi aşırı ortamlar için uygun radyasyona karşı.
Uygulamasafir kristal küre
(1) Yarım iletken endüstrisi
· LED epitaksyal substrat: GAN tabanlı LED ve Micro LED epitaksyal büyüme için kullanılır, düşük kusur yoğunluğuna sahip tek bir kristal substrat sağlar.
· Yarım iletken cihaz penceresi: plazma korozyona karşı dirençli kazma makinesi ve PECVD ekipmanlarının gözlem penceresi olarak.
· Wafer transfer rehber tekerleği: metal kirliliğini önlemek için wafer taşıma için kullanılır.
(2) Optik ve lazer alanları
· Optik pencere: Yüksek güçlü lazerler için çıkış pencere (CO2 lazer, fiber lazer), lazer hasarına dayanıklı (LIDT> 10J/cm2@1064nm).
· Kızılötesi optik eleman: füze arayıcısı ve termal görüntüleme sistemi için kızılötesi pencere.
• Ultraviyole optik: DUV litografi makineleri ve UV lazer sistemleri için ışık iletim bileşenleri.
(3) Tüketici elektroniği
· Akıllı telefon / Saat kapağı: Apple Watch, yüksek kaliteli cep telefonu kamera koruma merceği, çizik karşıtı.
· AR/VR optik lens: yüksek ışık geçirgenliği, aşınma direnci, optik performansı artırır.
(4) Endüstriyel ve özel uygulamalar
· Hassas rulmanlar: yüksek hızlı, korozyona dayanıklı ortamlar için (tıp ekipmanları, saatler gibi).
· Yüksek basınç gözlem penceresi: derin deniz dedektörü ve petrol sondaj ekipmanlarının basınç dayanıklı penceresi (> 100MPa).
Uzay ve nükleer endüstri: Uydu optik yükleri ve nükleer reaktör izleme ekipmanları için radyasyona dirençli pencereler.
ZMSH hizmeti
ZMSH özel büyüme (2 ila 12 inç), hassas işleme (waferler, optik pencereler, şekillendirilmiş parçalar),Yarım iletken ihtiyaçlarını desteklemek için safir kristallerinin kaplama (AR/HR/ filtre) ve test hizmetleri (Boule), optik, tüketici elektroniği ve diğer endüstriler, yüksek geçirgenliği, düşük kusur yoğunluğunu ve mükemmel çevresel istikrarını sağlar.
Sapphire optik pencereler, Sapphire optik çubuklar, Sapphire özel optik bileşenler
S&A
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
