Yüksek standartlı endüstriyel uygulamalar için Silikon Karbid (SiC) altyapı seçeneği

Yüksek standartlı endüstriyel uygulamalar için silikon karbid (SiC) substrat seçeneği

Ürün Tanımı:

Bu ürün dopant içermiyor, bu da onu çok çeşitli uygulamalar için ideal hale getiriyor. İster bir araştırma projesinde çalışın ister yeni bir ürün geliştirin, SiC substratlarımız ihtiyaçlarınızı karşılayabilir.Özel gereksinimlerinize göre özel boyutlu ve özel şekillerde plakalar sunuyoruzSiC substratlarımızın beklentilerinizi aştığını bilerek huzurlu olabilirsiniz.

SiC substratlarımızın ısı iletkenliği 4.9 W/mK'dır, bu da onları ısı dağıtmada son derece verimli kılar.Aşırı ısınma hassas bileşenlere zarar verebilir.SiC substratlarımızla, cihazlarınızın yoğun kullanım altında bile soğuk kalacağından emin olabilirsiniz.

SiC substratlarımızın yüzey kabalığı Ra<0.5nm'dir, bu da pürüzsüz ve düz bir yüzey sağlar.En küçük kusurlar bile cihaz performansını olumsuz etkileyebilir.SiC substratlarımızla cihazlarınızın en kaliteli olacağından emin olabilirsiniz.

SiC substratlarımızın ısı genişleme katsayısı 4.5 X 10-6/K. Bu da onları çok istikrarlı ve sıcaklık değişikliklerine karşı dayanıklı kılıyor.cihazlarınızın aşırı koşullarda bile performanslarını koruyacağından emin olabilirsiniz.

Şirketimizde, her projenin benzersiz olduğunu anlıyoruz. Bu yüzden özel ihtiyaçlarınıza göre özel boyutlu ve özel şekillerde plakalar sunuyoruz.dikdörtgen plaka veya büyük, düzensiz şekilli biri, ihtiyacınız olan SiC substratını sağlayabiliriz.

Sonuç olarak, SiC Substrate ürünümüz, yüksek performanslı, güvenilir silikon karbit levhaları arayan herkes için ideal bir seçimdir.4 ısı iletkenliği.9 W/mK, Ra<0.5nm yüzey kabalığı ve 4.5 X 10-6/K termal genişleme katsayısı ile SiC substratlarımız en zorlu uygulamalarda bile en üst düzey performansı sunar.Özel boyutlu plakalarımız ve özel şekillerimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.

Özellikleri:

• Ürün Adı: SiC Substrate
• Yüzey:DSP
• Silikon Karbid Wafers: 4H-N SIC Wafers,Si yüzü CMP,C yüzü Mp
• Yüzey Kabalığı: Ra < 0,5nm
• Direnç:0.015~0.028 ohm.cm,Ya da >1E7ohm.cm
• Isı iletkenliği: 4.9 W/mK
• Yüzey düzlüğü: λ/10@632.8nm

Uygulamalar:

ZMSH SIC010'un dielektrik sabiti 9.7, ve basınç dayanıklılığı 1000MPa'dan büyüktür. Isı genişleme katsayısı 4.5 X 10-6/K. Bu özellikler çeşitli uygulamalar için güvenilir bir ürün haline getirir.

ZMSH SIC010 farklı durumlarda ve senaryolarda kullanılabilir. SiC substratları da dahil olmak üzere çeşitli malzemeleri kesmek için bir lazer kullanan bir işlem olan sic lazer kesimi için uygundur.Bu ürün yüksek basınç dayanıklılığı ve termal genişleme katsayısı nedeniyle bu uygulama için mükemmel.

Bu ürünün boyutu müşterinin gereksinimlerine göre özelleştirilebilir. 1x1cm veya 0.5x0.5mm SiC substratlarının üretiminde kullanılabilir.4h yarı HPSI sic wafer, ZMSH SIC010 kullanarak üretilebilir.Bu tür bir levha yüksek saflığa sahiptir ve güç cihazları, sensörler ve LED'ler gibi elektronik cihazların üretiminde kullanılır.

Özellik:

Ambalaj ve Nakliye:

Ürün ambalajı:

• SiC substratı güvenli nakliyeyi sağlamak için sağlam bir karton kutuya paketlenir.
• Substrat, nakliye sırasında herhangi bir hasarı önlemek için plastik bir konteynere yerleştirilecektir.
• Konteyner, ürün adı ve kodu ile birlikte kullanım talimatları ile etiketlenecektir.

Nakliye:

• SiC substratı, zamanında teslimatı sağlamak için güvenilir bir kurye hizmeti ile gönderilecektir.
• Alıcının adresi ve iletişim bilgileri de dahil olmak üzere tüm gerekli nakliye bilgileri ile alt katı uygun şekilde etiketlenecektir.
• Tüm gerekli gümrük belgeleri sevkiyatla birlikte verilecektir.
• Müşterilere sevkiyatlarının ilerlemesini izlemek için bir takip numarası verilecektir.