Ev
>
Ürünler
>
SiC Substrat
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | SICC |
| Sertifika | CE |
| Model numarası | 4h-n |
MOS Uygulaması İçin SBD İçin 6 inç Dia150mm 350um Kalınlık 4H N Tipi SiC Yüzey
2 inç Dia50mm 4H Yarı SiC Yüzey Araştırma Sınıfı Tek Kristal
2 inç dia50mm 330μm kalınlık 4H N-Tipi SiC alt tabaka Üretim Sınıfı
2 inç Silisyum Karbür Gofretler 6H veya 4H N tipi veya Yarı İzolasyonlu SiC Yüzeyler
4H-N Tipi / Yarı İzolasyonlu SiC Yüzeyler 2 inç 3 inç 6 inç Silisyum Karbür Gofretler
SiC subatrat nedir
Bir SiC substrat, mükemmel elektriksel ve termal özelliklere sahip geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzeme olan silisyum karbürden (SiC) yapılmış bir gofreti ifade eder.SiC substratları, genellikle yüksek güçlü transistörler, Schottky diyotları, UV fotodetektörleri ve LED'ler gibi çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazları imal etmek için kullanılabilen SiC veya diğer malzemelerin epitaksiyel katmanlarının büyümesi için bir platform olarak kullanılır.
SiC substratlar, daha yüksek kırılma voltajı, daha yüksek termal iletkenlik ve daha yüksek maksimum çalışma sıcaklığı dahil olmak üzere üstün özelliklerinden dolayı yüksek güç ve yüksek sıcaklık elektronik uygulamaları için silikon gibi diğer yarı iletken malzemelere göre tercih edilir.SiC cihazları, silikon bazlı cihazlardan çok daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilir, bu da onları otomotiv, havacılık ve enerji uygulamaları gibi zorlu ortamlarda kullanıma uygun hale getirir.
Uygulamalar
III-V Nitrür Biriktirme
Optoelektronik Cihazlar
Yüksek Güçlü Cihazlar
Yüksek Sıcaklık Cihazları
Yüksek Frekanslı Güç Cihazları
Şartname
| Çap | 150 | mm |
| Tip | 4H- N (Azot) / 4H-SI (Yarı Yalıtkan) | |
| Direnç | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028;4H-SI: >1E5 | Ω.cm |
| Kalınlık* | (330 ~ 500) ± 25 | µm |
| Oryantasyon* |
Eksen üzerinde: <0001> ± 0,5˚ Eksen dışı: (11-20) yönünde 4˚± 0,5˚kapalı |
derece |
| Ana Daire* | (10-10) ± 5.0˚ | derece |
| İkincil Daire | Hiçbiri | derece |
| TTV* | ≤15 | µm |
| Yay* | ≤40 | µm |
| Çözgü* | ≤60 | µm |
| Mikro Boru Yoğunluğu | Sıfır:≤1 / Üretim:≤5 / Kukla:≤15 | cm-2 |
| Pürüzlülük | Cilalı (Ra≤1) | deniz mili |
| CMP (Ra≤0,5) |
Endüstriyel zincir
Silisyum karbür SiC endüstriyel zinciri, alt tabaka malzemesi hazırlığı, epitaksiyel katman büyümesi, cihaz üretimi ve aşağı akış uygulamalarına bölünmüştür.Silisyum karbür monokristaller genellikle fiziksel buhar iletimi (PVT yöntemi) ile hazırlanır ve daha sonra alt tabaka üzerinde kimyasal buhar biriktirme (CVD yöntemi) ile epitaksiyel levhalar üretilir ve nihayet ilgili cihazlar yapılır.SiC cihazlarının endüstriyel zincirinde, substrat üretim teknolojisinin zorluğu nedeniyle, endüstriyel zincirin değeri esas olarak yukarı akış substrat bağlantısında yoğunlaşmıştır.
ZMSH şirketi, 100 mm ve 150 mm SiC gofretler sağlar.Sertliği (SiC dünyadaki en sert ikinci malzemedir) ve ısı ve yüksek voltaj akımı altındaki stabilitesi ile bu malzeme birçok endüstride yaygın olarak kullanılmaktadır.
SSS
S: yol nedirnakliye ve maliyet ve ödeme süresi?
C:(1) T/T'nin %50'sini önceden kabul ediyoruz ve DHL, Fedex, EMS vb. ile teslimattan önce %50'sini bıraktık.
(2) Kendi ekspres hesabınız varsa, bu harika. Değilse, onları göndermenize yardımcı olabiliriz.
navlun benNgerçek yerleşime göre.
S: MOQ'unuz nedir?
C: (1) Envanter için minimum sipariş miktarı 3 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adettir.
S: Ürünleri ihtiyacıma göre özelleştirebilir miyim?
C: Evet, ihtiyaçlarınıza göre malzemeyi, özellikleri ve şekli, boyutu özelleştirebiliriz.
S: teslim süresi nedir?
A: (1) Standart ürünler için
Envanter için: teslimat, siparişi verdikten sonra 5 iş günüdür.
Özelleştirilmiş ürünler için: teslimat, siparişi verdikten sonra 2 veya 3 haftadır.
(2) Özel şekilli ürünlerde teslimat, sipariş tarihinden itibaren 4 iş haftasıdır.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
