Ev
>
Ürünler
>
SiC Substrat
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | TANKBLUE |
| Sertifika | CE |
| Model numarası | 4h-n |
4 inç 6 inç 4H-N sic gofretler SBD MOS Cihazı için Prime Üretim sınıfı, 4H-N 4 inç 6 inç Sic Wafers Yarı İletken Zorlu Güç Elektroniği İçin Yüksek Kristal Kalitesi, 4H-N 8 inç TANKBLUE Marka Yarı İletken Substrat Güneş Fotovoltaik için SIC Silisyum Karbür Gofret, 8 inç Silikon Araştırma ve Deney İçin Karbür Yüzey Üretim Sınıfı N Tipi 4H SiC Gofret
Gofret Katkıları:
Gofret Çeşitleri
8" Silikon Gofret Yönleri
Silisyum Karbürün Avantajları
Sertlik
Silisyum karbür kullanmanın daha geleneksel silikon alt tabakalara göre çok sayıda avantajı vardır.En önemli avantajlarından biri sertliğidir.Bu, malzemeye yüksek hız, yüksek sıcaklık ve/veya yüksek voltaj uygulamalarında birçok avantaj sağlar.
Silisyum karbür gofretler yüksek termal iletkenliğe sahiptir, bu da ısıyı bir noktadan diğerine aktarabilecekleri anlamına gelir.Bu, SiC gofretlere geçişin ortak hedeflerinden biri olan elektrik iletkenliğini ve nihayetinde minyatürleştirmeyi geliştirir.
Termal yetenekler
Termal şoka karşı yüksek direnç.Bu, kırılmadan veya çatlamadan sıcaklıkları hızla değiştirme yeteneğine sahip oldukları anlamına gelir.Bu, geleneksel dökme silisyuma kıyasla silisyum karbürün ömrünü ve performansını iyileştiren başka bir tokluk özelliği olduğundan, cihazların imalatında açık bir avantaj yaratır.
sınıflandırma
Silisyum karbür SiC alt tabakalar iki kategoriye ayrılabilir: yüksek dirençli (direnç ≥107Ω·cm) yarı yalıtımlı (Yüksek Saflıkta katkısız ve V katkılı 4H-SEMI) silisyum karbür alt tabakalar ve düşük dirençli iletken silisyum karbür alt tabakalar (direnç aralığı 15-30mΩ·cm'dir).
Şartname
İlgili ürünler: GaAs gofret
Endüstriyel zincir
Silisyum karbür SiC endüstriyel zinciri, alt tabaka malzemesi hazırlığı, epitaksiyel katman büyümesi, cihaz üretimi ve aşağı akış uygulamalarına bölünmüştür.Silisyum karbür monokristaller genellikle fiziksel buhar iletimi (PVT yöntemi) ile hazırlanır ve daha sonra alt tabaka üzerinde kimyasal buhar biriktirme (CVD yöntemi) ile epitaksiyel levhalar üretilir ve nihayet ilgili cihazlar yapılır.SiC cihazlarının endüstriyel zincirinde, substrat üretim teknolojisinin zorluğu nedeniyle, endüstriyel zincirin değeri esas olarak yukarı akış substrat bağlantısında yoğunlaşmıştır.
ZMSH şirketi, 100 mm ve 150 mm SiC gofretler sağlar.Sertliği (SiC dünyadaki en sert ikinci malzemedir) ve ısı ve yüksek voltaj akımı altındaki stabilitesi ile bu malzeme birçok endüstride yaygın olarak kullanılmaktadır.
SSS
S: yol nedirnakliye ve maliyet ve ödeme süresi?
C:(1) T/T'nin %50'sini peşin olarak kabul ediyoruz ve DHL, Fedex, EMS vb. ile teslimattan önce %50'sini bıraktık.
(2) Kendi ekspres hesabınız varsa, bu harika. Değilse, onları göndermenize yardımcı olabiliriz.
navlun benNgerçek yerleşime göre.
S: MOQ'unuz nedir?
C: (1) Envanter için minimum sipariş miktarı 3 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adettir.
S: Ürünleri ihtiyacıma göre özelleştirebilir miyim?
C: Evet, ihtiyaçlarınıza göre malzemeyi, özellikleri ve şekli, boyutu özelleştirebiliriz.
S: teslim süresi nedir?
A: (1) Standart ürünler için
Envanter için: teslimat, siparişi verdikten sonra 5 iş günüdür.
Özelleştirilmiş ürünler için: teslimat, siparişi verdikten sonra 2 veya 3 haftadır.
(2) Özel şekilli ürünlerde teslimat, sipariş tarihinden itibaren 4 iş haftasıdır.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
