Ev
>
Ürünler
>
SiC Substrat
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | SICC |
| Sertifika | CE |
| Model numarası | 4h-n |
2 inç Silisyum Karbür Gofretler 6H veya 4H N-tipi veya Yarı İzolasyonlu SiC Yüzeyler
Silisyum Karbürün Avantajları
Sertlik
Silisyum karbür kullanmanın daha geleneksel silikon alt tabakalara göre çok sayıda avantajı vardır.En önemli avantajlarından biri sertliğidir.Bu, malzemeye yüksek hız, yüksek sıcaklık ve/veya yüksek voltaj uygulamalarında birçok avantaj sağlar.
Silisyum karbür gofretler yüksek termal iletkenliğe sahiptir, bu da ısıyı bir noktadan diğerine aktarabilecekleri anlamına gelir.Bu, SiC gofretlere geçişin ortak hedeflerinden biri olan elektrik iletkenliğini ve nihayetinde minyatürleştirmeyi geliştirir.
Termal yetenekler
Termal şoka karşı yüksek direnç.Bu, kırılmadan veya çatlamadan sıcaklıkları hızla değiştirme yeteneğine sahip oldukları anlamına gelir.Bu, geleneksel dökme silisyuma kıyasla silisyum karbürün ömrünü ve performansını iyileştiren başka bir tokluk özelliği olduğundan, cihazların imalatında açık bir avantaj yaratır.
sınıflandırma
Silisyum karbür SiC alt tabakalar iki kategoriye ayrılabilir: yüksek dirençli (direnç ≥107Ω·cm) yarı yalıtımlı (Yüksek Saflıkta katkısız ve V katkılı 4H-SEMI) silisyum karbür alt tabakalar ve düşük dirençli iletken silisyum karbür alt tabakalar (direnç aralığı 15-30mΩ·cm'dir).
6 inç 4H-N sic gofretler için teknik özellikler.
(2 inç, 3 inç 4 inç, 8 inç sic gofret de mevcuttur)
| Seviye |
Sıfır MPD Üretimi Derece (Z Derecesi) |
Standart Üretim Kalitesi (P Kalitesi) |
Sahte Not (D Sınıfı) |
|
| 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| 4H-K | 350 mikron±20 mikron | 350 mikron±25 mikron | ||
| 4H-SI | 500 mikron±20 mikron | 500 mikron±25 mikron | ||
| Gofret Yönü | ||||
| Mikro Boru Yoğunluğu | 4H-K | ≤0.5cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤15cm-2 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15cm-2 | |
| ※ Özdirenç | 4H-K | 0,015~0,025 Ω·cm | 0,015~0,028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| Birincil Düz Yönlendirme | {10-10} ±5,0° | |||
| Birincil Düz Uzunluk | 32,5 mm±2,0 mm | |||
| İkincil Düz Uzunluk | 18,0 mm±2,0 mm | |||
| İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüzü yukarı: 90°CW.Prime düz ±5.0° | |||
| Kenar Hariç Tutma | 3 mm | |||
| LTV/TTV/Yay / Çözgü | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
|
※ Pürüzlülük |
Polonya Ra≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | |||
|
Yüksek Yoğunluklu Işıkla Kenar Çatlakları
|
Hiçbiri | Kümülatif uzunluk ≤ 10 mm, tek uzunluk≤2 mm | ||
| Yüksek Yoğunluklu Işıkla Altıgen Plakalar | Kümülatif alan ≤0,05% | Kümülatif alan ≤0,1% | ||
| Yüksek Yoğunluklu Işıkla Politip Alanlar |
Hiçbiri | Kümülatif alan≤3% | ||
| Görsel Karbon Kapanımları | Kümülatif alan ≤0,05% | Kümülatif alan ≤3% | ||
|
Yüksek Yoğunluklu Işıkla Silikon Yüzey Çizikleri |
Hiçbiri | Kümülatif uzunluk≤1×gofret çapı | ||
| Yoğun Işıkla Yüksek Kenar Yongaları | İzin verilmez ≥0,2 mm genişlik ve derinlik | 5 izin verilir, her biri ≤1 mm | ||
|
Yüksek Yoğunlukla Silikon Yüzey Kirlenmesi |
Hiçbiri | |||
| Çoklu Gofret Kaseti veya Tekli Gofret Kabı | ||||
Endüstriyel zincir
Silisyum karbür SiC endüstriyel zinciri, alt tabaka malzemesi hazırlığı, epitaksiyel katman büyümesi, cihaz üretimi ve aşağı akış uygulamalarına bölünmüştür.Silisyum karbür monokristaller genellikle fiziksel buhar iletimi (PVT yöntemi) ile hazırlanır ve daha sonra alt tabaka üzerinde kimyasal buhar biriktirme (CVD yöntemi) ile epitaksiyel levhalar üretilir ve nihayet ilgili cihazlar yapılır.SiC cihazlarının endüstriyel zincirinde, substrat üretim teknolojisinin zorluğu nedeniyle, endüstriyel zincirin değeri esas olarak yukarı akış substrat bağlantısında yoğunlaşmıştır.
ZMSH şirketi, 100 mm ve 150 mm SiC gofretler sağlar.Sertliği (SiC dünyadaki en sert ikinci malzemedir) ve ısı ve yüksek voltaj akımı altındaki stabilitesi ile bu malzeme birçok endüstride yaygın olarak kullanılmaktadır.
Fiyat
ZMSH şirketi, altı (6) inç çapa kadar yüksek kaliteli SiC gofretler ve SiC kristal alt tabakalar için piyasadaki en iyi fiyatı sunar.Fiyat eşleştirme politikamız, karşılaştırılabilir özelliklere sahip SiC kristal ürünleri için size en iyi fiyatı garanti eder.BİZE ULAŞINBugün teklifinizi almak için.
özelleştirme
Müşterinin özel gereksinimlerini ve özelliklerini karşılamak için özelleştirilmiş SiC kristal ürünleri yapılabilir.
Epi-gofretler istek üzerine özel olarak da üretilebilir.
SSS
S: yol nedirnakliye ve maliyet ve ödeme süresi?
C:(1) T/T'nin %50'sini peşin olarak kabul ediyoruz ve DHL, Fedex, EMS vb. ile teslimattan önce %50'sini bıraktık.
(2) Kendi ekspres hesabınız varsa, bu harika. Değilse, onları göndermenize yardımcı olabiliriz.
navlun benNgerçek yerleşime göre.
S: MOQ'unuz nedir?
C: (1) Envanter için minimum sipariş miktarı 3 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adettir.
S: Ürünleri ihtiyacıma göre özelleştirebilir miyim?
C: Evet, ihtiyaçlarınıza göre malzemeyi, özellikleri ve şekli, boyutu özelleştirebiliriz.
S: teslim süresi nedir?
A: (1) Standart ürünler için
Envanter için: teslimat, siparişi verdikten sonra 5 iş günüdür.
Özelleştirilmiş ürünler için: teslimat, siparişi verdikten sonra 2 veya 3 haftadır.
(2) Özel şekilli ürünlerde teslimat, sipariş tarihinden itibaren 4 iş haftasıdır.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
