Mesaj gönder
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Ev > Ürünler > SiC Substrat >
SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme
  • SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme
  • SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme
  • SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme
  • SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme
  • SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme

SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme

Menşe yeri Çin
Marka adı tankblue
Sertifika CE
Model numarası 4h-n
Ürün Detayları
Malzemeler:
SIC kristali
Tip:
4h-n
Saflık:
%99,9995
Direnç:
0,015~0,028ohm.cm
Boyut:
2-8 inç 2 inç, 3 inç, 4 inç, 6 inç, 8 inç
Kalınlık:
350um veya özelleştirilmiş
MPD:
《2cm-2
Başvuru:
SBD, MOS Cihazı için
TTV:
《15um
yay:
《25um
çözgü:
《45um
yüzey:
Si-yüz CMP, c-yüz MP
Vurgulamak: 

4H-N Sic Crystal

,

6 inç Sic Gofretler

,

SBD Cihazı Sic Gofretler

Ürün Açıklaması

 

 

4 inç 6 inç 4H-N sic wafers sahte SBD MOS Cihazı için Prime Üretim sınıfı

 

1. Üçüncü nesil yarı iletken malzemelerin karşılaştırılması

 

SiC kristal, düşük güç, minyatürleştirme, yüksek voltaj ve yüksek frekans uygulama senaryolarında büyük avantajlara sahip olan üçüncü nesil bir yarı iletken malzemedir.Üçüncü nesil yarı iletken malzemeler silisyum karbür ve galyum nitrür ile temsil edilir.Önceki iki nesil yarı iletken malzemelerle karşılaştırıldığında en büyük avantajı, daha yüksek elektrik alan kuvvetine nüfuz edebilmesini sağlayan ve yüksek voltaj ve yüksek frekanslı güç cihazları hazırlamak için uygun olan geniş bantsız genişliğidir.

2. Sınıflandırma

   Silisyum karbür SiC alt tabakalar iki kategoriye ayrılabilir: yüksek dirençli (direnç ≥107Ω·cm) yarı yalıtımlı (Yüksek Saflıkta katkısız ve V katkılı 4H-SEMI) silisyum karbür alt tabakalar ve düşük dirençli iletken silisyum karbür alt tabakalar (direnç aralığı 15-30mΩ·cm'dir).

SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 0SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 1SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 2

2. 6 inç 4H-N sic gofretler için teknik özellikler (2 inç, 3 inç 4 inç, 8 inç sic gofret de mevcuttur)

Seviye

Sıfır MPD Üretimi

Derece (Z Derecesi)

Standart Üretim Kalitesi (P Kalitesi)

Sahte Not

(D Sınıfı)

Çap 99,5 mm~100,0 mm
Kalınlık 4H-K 350 mikron±20 mikron 350 mikron±25 mikron
4H-SI 500 mikron±20 mikron 500 mikron±25 mikron
Gofret Yönü Eksen dışı: 4,0°, 4H-N için <1120 > ±0,5°'ye doğru, Eksen üzerinde: 4H-SI için <0001>±0,5°
Mikro Boru Yoğunluğu 4H-K ≤0.5cm-2 ≤2 cm-2 ≤15cm-2
4H-SI ≤1cm-2 ≤5 cm-2 ≤15cm-2
※ Özdirenç 4H-K 0,015~0,025 Ω·cm 0,015~0,028 Ω·cm
4H-SI ≥1E9 Ω·cm ≥1E5 Ω·cm
Birincil Düz Yönlendirme {10-10} ±5,0°
Birincil Düz Uzunluk 32,5 mm±2,0 mm
İkincil Düz Uzunluk 18,0 mm±2,0 mm
İkincil Düz Yönlendirme Silikon yüzü yukarı: 90°CW.Prime düz ±5.0°
Kenar Hariç Tutma 3 mm
LTV/TTV/Yay / Çözgü ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm

※ Pürüzlülük

Polonya Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,2 nm Ra≤0,5 nm

Yüksek Yoğunluklu Işıkla Kenar Çatlakları

 

Hiçbiri Kümülatif uzunluk ≤ 10 mm, tek uzunluk≤2 mm
Yüksek Yoğunluklu Işıkla Altıgen Plakalar Kümülatif alan ≤0,05% Kümülatif alan ≤0,1%
Yüksek Yoğunluklu Işıkla Politip Alanlar Hiçbiri Kümülatif alan≤3%
Görsel Karbon Kapanımları Kümülatif alan ≤0,05% Kümülatif alan ≤3%

Yüksek Yoğunluklu Işıkla Silikon Yüzey Çizikleri

Hiçbiri Kümülatif uzunluk≤1×gofret çapı
Yoğun Işıkla Yüksek Kenar Yongaları İzin verilmez ≥0,2 mm genişlik ve derinlik 5 izin verilir, her biri ≤1 mm

Yüksek Yoğunlukla Silikon Yüzey Kirlenmesi

Hiçbiri
Ambalajlama Çoklu Gofret Kaseti veya Tekli Gofret Kabı

 

6 inç N-Tipi SiC Yüzey Özellikleri
Mülk P-MOS Sınıfı P-SBD Derecesi D Sınıfı  
Kristal Özellikleri  
Kristal Formu 4 saat  
Politip Alanı İzin Verilmez Alan≤5%  
(MPD)A ≤0,2 /cm2 ≤0,5 /cm2 ≤5 /cm2  
Altıgen Plakalar İzin Verilmez Alan≤5%  
Altıgen Polikristal İzin Verilmez  
Dahil olanlarA Alan≤0,05% Alan≤0,05% Yok  
Direnç 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm  
(EPD)A ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 Yok  
(TED)A ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 Yok  
(BPD)A ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 Yok  
(TSD)A ≤600/cm2 ≤1000/cm2 Yok  
(Yığın Hatası) ≤0,5% Alan ≤1% Alan Yok  
Yüzey Metal Kirlenmesi (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2  
Mekanik Özellikler  
Çap 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm  
Yüzey Yönü Eksen Dışı:4° <11-20>±0,5°'ye doğru  
Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm ± 1,5 mm  
İkincil Düz Uzunluk İkinci Daire Yok  
Birincil Düz Yönlendirme <11-20>±1°  
İkincil Düz Yönlendirme Yok  
Ortogonal Yanlış Yönlendirme ±5.0°  
Yüzey C-Face:Optik Cila,Si-Face:CMP  
Gofret Kenarı pah kırma  
Yüzey Pürüzlülüğü
(10μm×10μm)
Si Yüzü Ra≤0,20 nm ; C Yüzü Ra≤0,50 nm  
KalınlıkA 350,0μm± 25,0 μm  
LTV(10mm×10mm)A ≤2μm ≤3μm  
(TTV)A ≤6μm ≤10μm  
(YAY)A ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Çözgü) A ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Yüzey Özellikleri  
Cipsler/Girintiler İzin Verilmez ≥0,5 mm Genişlik ve Derinlik Miktar 2 ≤1,0 mm Genişlik ve Derinlik  
çiziklerA
(Si Yüz, CS8520)
≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤0,5 × Gofret Çapı ≤5 ve Kümülatif Uzunluk≤1,5× Gofret Çapı  
TUA(2mm*2mm) ≥98% ≥95% Yok  
Çatlaklar İzin Verilmez  
Bulaşma İzin Verilmez  
Kenar Hariç Tutma 3mm  

 

SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 3SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 4SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 5SBD MOS Cihazı için 4H-N 4 inç 6 inç Sic Gofret Yarı İletken Malzeme 6

2. Endüstriyel zincir

Silisyum karbür SiC endüstriyel zinciri, alt tabaka malzemesi hazırlığı, epitaksiyel katman büyümesi, cihaz üretimi ve aşağı akış uygulamalarına bölünmüştür.Silisyum karbür monokristaller genellikle fiziksel buhar iletimi (PVT yöntemi) ile hazırlanır ve daha sonra alt tabaka üzerinde kimyasal buhar biriktirme (CVD yöntemi) ile epitaksiyel levhalar üretilir ve nihayet ilgili cihazlar yapılır.SiC cihazlarının endüstriyel zincirinde, substrat üretim teknolojisinin zorluğu nedeniyle, endüstriyel zincirin değeri esas olarak yukarı akış substrat bağlantısında yoğunlaşmıştır.

 

ZMSH Teknolojisi, müşterilere partiler halinde ithal ve yerli yüksek kaliteli iletken, 2-6 inç yarı yalıtımlı ve HPSI (Yüksek Saflıkta Yarı yalıtımlı) SiC alt tabakaları sağlayabilir;Ayrıca, müşterilere homojen ve heterojen silisyum karbür epitaksiyel levhalar sağlayabilir ve minimum sipariş miktarı olmaksızın müşterilerin özel ihtiyaçlarına göre özelleştirilebilir.

 

 

İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu caddesi, Qingpu bölgesi , Şanghay şehri , ÇİN
Sorgunuzu doğrudan bize gönderin