logo
İyi fiyat  çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Ev Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
SiC Substrat
Created with Pixso. 4 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade

4 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade

Marka Adı: zmsh
Model Numarası: 6 inç-001
Adedi: 1 parça
fiyat: by case by FOB
Teslim Zamanı: 40 gün içinde
Ayrıntılı Bilgiler
Menşe yeri:
Çin
uygulamalar:
cihaz,led, 5G, dedektör,güç elektroniği
sanayi:
yarı iletken gofret
malzeme:
yarı iletken sic
renk:
yeşil veya beyaz veya mavi
sertlik:
9.0
tip:
4H,6H, katkılı, katkısız,
Ambalaj bilgileri:
Tekli gofret kaplarının kasetlerinde, sınıf 100 temiz oda ortamında paketlenmiştir
Yetenek temini:
50 adet / ay
Vurgulamak:

yarı iletken silisyum karbür alt tabaka

,

6 inç sic alt tabaka

,

Kukla Sınıf sic gofret

Ürün Açıklaması

4 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade

Toz cihazı için 6 inç 4H-N 500mm 350um sic substrat gofret

 

6 inç çap, Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Özelliği  
Seviye Sıfır MPD Derecesi Üretim Derecesi Araştırma Notu kukla derece
Çap 150,0 mm±0,2 mm
KalınlıkΔ 350 μm±25μm veya 500±25un
Gofret Yönü Off eksen : 4,0° doğru< 1120> ±0,5° 4H-N için On eksen : 6H-SI/4H-SI için <0001>±0,5°
Birincil Daire {10-10}±5.0°
Birincil Düz Uzunluk 47,5 mm±2,5 mm
Kenar hariç tutma 3 mm
TTV/Yay/Çözgü ≤15μm /≤40μm /≤60μm
Mikro boru yoğunluğu ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤100 cm-2
özdirenç 4H-N 0,015~0,028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
pürüzlülük Polonya Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar Hiçbiri 1 izin verilir, ≤2 mm Kümülatif uzunluk ≤ 10 mm, tek uzunluk ≤2 mm
Yüksek yoğunluklu ışıkla Hex Plakalar Kümülatif alan ≤%1 Kümülatif alan ≤2% Kümülatif alan ≤5%
Yüksek yoğunluklu ışıkla Polytype Alanları Hiçbiri Kümülatif alan≤2% Kümülatif alan≤5%
Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çizikler 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 3 çizik 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik
kenar çipi Hiçbiri 3 izin verilir, her biri ≤0.5 mm 5 izin verilir, her biri ≤1 mm
Yüksek yoğunluklu ışıkla kirlenme Hiçbiri

 

 

4 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade 04 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade 1
 
firmamız hakkında
 
SHANGHAI ÜNLÜ TİCARET CO.Çin'in en iyi şehri olan Şanghay şehrinde bulunur ve fabrikamız2014 yılında Wuxi şehrinde kuruldu.
Elektronik, optik, optoelektronik ve diğer birçok alanda yaygın olarak kullanılan çeşitli malzemeleri gofretler, alt tabakalar ve özelleştirilmiş optik cam parçalar halinde işleme konusunda uzmanız.Ayrıca yurt içi ve yurt dışındaki birçok üniversite, araştırma kurumu ve şirket ile yakın işbirliği içinde çalışıyoruz, Ar-Ge projeleri için özelleştirilmiş ürünler ve hizmetler sunuyoruz.
Bu bizim vizyonumuz iyi itibarımızla tüm müşterilerimizle iyi bir işbirliği ilişkisi sürdürmek.
 
4 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade 24 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade 34 inç 6 inç 4H-N 500mm 350um SIC gofret Silisyum Karbür sic Substrate Prime Dummy Grade 4