Yüksek Termal ile Özelleştirilmiş Boyut Kare Sic Chip Düşük Kafes Uyumsuzluğu

10x10mm 5x5mm özelleştirilmiş kare sic substratlar, 1 inç sic gofret, sic kristal cips, sic yarı iletken yüzeyler, 6H-N SIC gofret, Yüksek saflıkta silisyum karbür gofret
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- ------------------------
Araştırmacı ve endüstri üreticileri için özellikle SiC gofret, 4H ve 6H polipt tipinin SiC alt fazı için yarı iletken malzemeler sunuyoruz. SiC kristal büyüme fabrikası ile iyi bir ilişkimiz var ve biz de SiC gofret işleme teknolojisine sahibiz, SiC substrat ve SiC gofret üreticisine bir üretim hattı kurduk. Önde gelen üreticiler tarafından ileri ve ileri teknoloji malzeme araştırma ve devlet enstitüleri ve Çin Yarıiletken Laboratuvarı alanlarından yatırım yapan profesyonel bir şirket olarak, şu anda büyük boyutlu alt tabakaların varlığını sürdüren ve geliştiren SiC gofret kalitesini sürekli iyileştirmeye adadık.

Uygulama alanları
1 yüksek frekans ve yüksek güç elektronik cihazlar Schottky diyotlar, JFET, BJT, PiN,
diyotlar, IGBT, MOSFET
2 optoelektronik cihaz: özellikle GaN / SiC mavi LED substrat malzemesi (GaN / SiC) LED'inde kullanılır



Advantagement
• Düşük kafes uyumsuzluğu • Yüksek ısı iletkenliği

• Düşük güç tüketimi

• Mükemmel geçici özellikler

• Yüksek bant aralığı


sic substratlar için 2 inç boyutunda başlar

2 inç çapında Silisyum Karbür (SiC) Substrat Şartname
sınıf			Sıfır MPD Sınıfı			Üretim notu		Araştırma Notu	Kukla Sınıf
Çap			50,8 mm ± 0,2 mm
Kalınlık			330 ±m ± 25μm veya 430 ± 25um veya 1000um ± 25um
Gofret Oryantasyonu			Kapalı eksen: 4 ° H / N / 4H-SI için 4,0 ° - <1120> ± 0,5 ° - 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI için <0001> ± 0,5 °
Mikropipe Yoğunluğu			Cm0 cm-2			≤5 cm-2		≤15 cm-2	≤100 cm-2
özdirenç	4H-N-		0.015 ~ 0.028 Ω • cm
	6H-N-		0,02 ~ 0,1 Ω • cm
	4 / 6H-SI		E1E5 Ω · cm
Birincil Daire			{10-10} 5.0 ° ±
Birincil Düz Uzunluk			18,5 mm ± 2,0 mm
İkincil Düz Uzunluk			10,0 mm ± 2,0 mm
İkincil Düz Yönlendirme			Silikon yüz yukarı: 90 ° CW. Başbakan daireden ± 5.0 °
Kenar hariç tutma			1 mm
TTV / Yay / Çözgü			Μ10μm / ≤10μm / ≤15μm
pürüzlülük			Lehçe Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.5 nm
Yüksek yoğunluklu ışıkla çatlaklar			Yok					1 izin, ≤2 mm	Kümülatif uzunluk mm 10mm, tek uzunluk≤2mm
Yüksek yoğunluklu ışıkla altıgen plakalar			Birikmeli alan ≤1%					Birikmeli alan ≤1%	Birikmeli alan ≤3%
Polietilen Alanlar, yüksek yoğunluklu ışıkla			Yok					Birikmeli alan ≤2%	Birikmeli alan ≤5%
Yüksek yoğunluklu ışıkla çizikler			1 × gofret çapı toplam uzunluğu 3 çizik					1 × gofret çapı toplam uzunluğu için 5 çizik	1 × gofret çapı toplam uzunluğu için 5 çizik
kenar talaşı			Yok					3 izin verilir, her biri .50,5 mm	5 izin verilir, her biri ≤1 mm