Yüksek Enerjili Lazerler ve SiC Optik Bileşenleri Hakkında Notlar

Neden Yüksek Enerjili Lazer Optikleri İçin Silikon Karbid?

Silikon karbid (SiC) kristalleri sıcaklıklara dayanabilir.1600 °C, yüksek sertliğe sahiptir, yüksek sıcaklıklarda minimum deformasyon gösterir ve yüksek sıcaklıklarda mükemmel şeffaflık sunar.Görünür kırmızı ışıktan kızılötesiyeBu özellikler SiC'yiideal malzemeiçinYüksek güçlü lazer modülleri,Optik yansıtıcılar,Kolimasyon optikleri, veŞanzıman pencereleri.

Yüksek Enerjili Lazer Tasarımının Değişen Manzarası

Geçmişte, çoğu yüksek güçlü lazer sistemiUltra kısa darbelerli lif lazerleriya daBüyük ölçekli yansıtıcı tabanlı odaklama lazerleriBununla birlikte, bu kurulumlar sıklıklasınırlı ışık yönü,enerji yoğunluğu, veısı yükü.

Lazer sistemi geliştirme talebinde son gelişmeler:

• Daha yüksek enerji çıkışı
• Uzun menzilli ışın yayımı
• Daha sıkı ışın ayrımı ve kolimasyon
• Hafif ve kompakt optik modüller

SiC tabanlı optikler, bu gelişen gereksinimlere bir çözüm olarak artık çekiç kazanıyor.Kristal büyüme ve son derece hassas üretimteknolojiler.

SiC Optikleri: Teoriden Uygulamalara

SiC bileşen işleme olgunlaşması ile ve hattaelmas kristal optik̇ gelecek umut verici görünüyor.endüstriyel ölçekte dağıtım.

AR Optikleri ve Nanostructuring Zorluklarıyla Karşılaşma

SiC lazer optiklerindeki mikro üretim zorlukları, SiC lazer optiklerindeki zorluklara çok benzer.SiC tabanlı AR dalga kılavuzları:

Hepsi açık.4 / 6 / 8 inçlik SiC levhalarıaşağıdakilerle:

• YaratmakYansıtma karşıtı (AR)Nanostrukturlar
• Geliştirmeiletim veya yansıma verimliliği
• ŞablonlamaDalga boylu ızgara yapıları
• Periyodikliği 100-500 nm
• Nanometre ölçeğinde derinlik doğruluğu

Özellikle bir malzemede kolay olmayan görevlerSert ve kimyasal olarak inertSiC olarak.

Küresel Araştırma Manzarası

KurumlarWestlake Üniversitesi,Harvard, ve diğerleri bu alanı keşfetmeye başladı.

En büyük engellerden biri mi?
EğerSiC levhalarımaliyetleri uygun,Mikron altı periyodik nanostructures nasıl kazınırBöyle sert bir malzemeyi yok etmeden?

Atma: SiC kazımıOn yıl önce.

On yıldan fazla bir süre öncea)4 inçlik SiC wafer.Üstü maliyet10,000 RMBBir tane bile kazımak acı verici bir süreçti ama tahmin et, işe yaradı.

Başardık.Dalga boylu antirefleksif (AR) yapılarSiC üzerinde yüzey yansımasını daha fazla azaltan% 30- Fotolitografi aletleri kullanmadan.