3 inç HPSI Silikon Karbür SiC Substrat Kalınlığı 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Şeffaf

3 inç HPSI Silikon Karbür SiC Substrat Kalınlığı 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Şeffaf

HPSI hakkında

HPSI SiC levhası, yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık ortamında elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılan gelişmiş bir yarı iletken malzemedir.yarı yalıtım özellikleri, geniş bant boşluğu, yüksek termal iletkenlik, yüksek sıcaklık direnci. Güç elektroniklerinde, RF cihazlarında, yüksek sıcaklık sensörlerinde uygulanabilir.

HPSI SiC levhaları, mükemmel elektrik ve termal özellikleri nedeniyle modern yüksek teknoloji elektronik cihazlar için önemli malzemeler haline geldi.Uygulama alanı genişlemeye devam edecek..

- Hayır.

4H-SEMI SiC'nin özellikleri

- Yüksek saflık: HPSI SiC levhaları kirliliklerin etkisini azaltır ve cihazın performansını ve güvenilirliğini artırır.

-Yarı yalıtım özellikleri: Bu levha, parazit akımlarını etkili bir şekilde bastırabilen ve yüksek frekanslı uygulamalar için uygun olan iyi yarı yalıtım özelliklerine sahiptir.

- Geniş bant boşluğu: SiC'nin geniş bant boşluğu (yaklaşık 3.3eV), yüksek sıcaklık, yüksek güç ve radyasyon ortamlarında mükemmel olmasını sağlar.

- Yüksek termal iletkenlik: silikon karbidin yüksek bir termal iletkenliği vardır, bu da ısıyı dağıtmaya yardımcı olur ve cihazın çalışma istikrarını ve ömrünü artırır.

- Yüksek sıcaklığa direnç: SiC yüksek sıcaklıklarda istikrarlı bir şekilde çalışabilir ve aşırı ortamlarda uygulanmaya uygundur.

ÖzellikleriHPSI SiC

*Kustom talepleriniz varsa lütfen bizimle iletişime geçin.

HPSI uygulaması

- Güç elektronikleri: Elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji ve güç aktarım sistemlerinde yaygın olarak kullanılan verimli güç dönüştürücüleri ve inverterleri üretmek için kullanılır.

-RF cihazları: İletişim ve radar sistemlerinde, SiC levhaları sinyal işleme gücünü ve frekans tepkisini artırabilir.

- Yüksek sıcaklık sensörleri: Petrol, gaz ve havacılık için yüksek sıcaklık sensörleri.

Sık Sorulan Sorular

1. Q:SI ve SiC arasındaki fark nedir?

A:SiC, 2.2 ila 3.3 elektron volt (eV) bant genişliğine sahip geniş bantlı bir yarı iletkendir. SiC, yaklaşık 1.1 elektron volt (eV) daha küçük bant genişliğine sahip dar bantlı bir yarı iletkendir.

2S:Silikon karbid neden bu kadar pahalı?

Çünkü...silikon karbit ürünlerinin üretimi zordur. silikon karbit ürünlerinin üretimi zordur ve yüksek sıcaklık ve yüksek basınç gibi karmaşık üretim süreçleri gerektirir.