logo
Ürünler
Ürünler
Ev > Ürünler > SiC Substrat > 4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları

4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları

Ürün Detayları

Menşe yeri: Çin

Marka adı: ZMSH

Sertifika: ROHS

Model numarası: HPSI 4h-Yarı SIC

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 25 adet

Fiyat: Anlaşılabilir

Ambalaj bilgileri: özelleştirilmiş kutu

Teslim süresi: 30 gün içinde

Ödeme koşulları: T/T

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

Yarım iletkenli EPI substratları

,

Yüksek saflıkta SIC waferleri

,

4H-Yarı SiC substratı

Malzeme:
HPSI 4h-Yarı SIC
Sınıf:
P
Çapraz:
4''
Kalınlığı:
500±25μm
Oryantasyon:
<0001>
TTV:
≤5μm
yay:
-15μm~15μm
çözgü:
≤10μm
Uygulama:
EPI Yüzeyleri
Malzeme:
HPSI 4h-Yarı SIC
Sınıf:
P
Çapraz:
4''
Kalınlığı:
500±25μm
Oryantasyon:
<0001>
TTV:
≤5μm
yay:
-15μm~15μm
çözgü:
≤10μm
Uygulama:
EPI Yüzeyleri
4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları

4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları

HP 4H yarı SIC'nin açıklaması:

1Yüksek saflıklı yarı yalıtımlı 4H-SiC (silikon karbid) levhalar çok ideal yarı iletken malzemelerdir.

2Yarım yalıtımlı 4H-SiC levhası yüksek sıcaklıklı piroliz, kristal büyümesi ve kesim süreci ile hazırlanır.

3Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC levhaları daha düşük taşıyıcı konsantrasyonuna ve daha yüksek yalıtım özelliklerine sahiptir.

4. 4H-SiC altıgen bir ızgaradır. Bu kristal yapısı 4H-SiC'ye mükemmel fiziksel ve elektrik özellikleri verir.

5Süreç, silikon levhaların tutarlı bir yapıya sahip olmasını sağlamak için hammaddelerin yüksek saflığını ve hassasiyeti gerektirir.

ÖzellikleriHP 4H yarı SIC:

Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC (silikon karbid) levhası ideal bir yarı iletken malzemesidir:


1Bant boşluğu genişliği: Genel olarak, 4H-SiC yaklaşık 3.26 elektron volt (eV) geniş bir bant boşluğu genişliğine sahiptir.

2Sıcaklık istikrarı ve yalıtım özellikleri nedeniyle, 4H-SiC geniş bir sıcaklık aralığında çalışabilir.


34H-SiC, nükleer enerji ve yüksek enerji fizik deneylerinde kullanılan radyasyona karşı yüksek dayanıklılığa sahiptir.

44H-SiC yüksek sertliğe ve mekanik dayanıklılığa sahiptir, bu da mükemmel bir istikrar ve güvenilirliğe sahiptir.

54H-SiC, 100-800 santimetre kare aralığında yüksek bir elektron hareketliliğine sahiptir.


6Yüksek ısı iletkenliği: 4H-SiC, yaklaşık 490-530 watt/m-kelle (W/(m·K) çok yüksek bir ısı iletkenliğine sahiptir.


7Yüksek gerilim direnci: 4H-SiC, yüksek gerilim uygulamaları için uygun hale getiren mükemmel gerilim direnciye sahiptir.

Teknik parametrelerHP 4H yarı SIC:

Üretim

Araştırma

Aptal.

Türü

4 saat

4 saat

4 saat

Direnç9 ((Ohm·cm)

≥1E9

%100 alan>1E5

%70 alan>1E5

Çapraz

99.5~100mm

99.5~100mm

99.5~100mm

Kalınlığı

500±25μm

500±25μm

500±25μm

Eksen üzerinde

<0001>

<0001>

<0001>

Eksen dışı

0 ± 0,25°

0 ± 0,25°

0 ± 0,25°

İkincil düz uzunluk

18 ± 1,5 mm

18 ± 1,5 mm

18 ± 1,5 mm

TTV

≤5μm

≤ 10μm

≤ 20μm

LTV

≤2μm ((5mm*5mm)

≤5μm ((5mm*5mm)

NA

Yere kapanın.

-15μm~15μm

-35μm~35μm

-45μm~45μm

Warp.

≤ 20μm

≤ 45μm

≤ 50μm

Ra(5μm*5μm)

Ra≤0,2nm

Ra≤0,2nm

Ra≤0,2nm

Mikropip yoğunluğu

≤1ea/cm2

≤5ea/cm2

≤10ea/cm2

Kenar

Çamfer

Çamfer

Çamfer

Başvurular- Ne?HP 4H yarı SIC:

Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC (silikon karbid) levhaları birçok alanda yaygın olarak kullanılır:

1Optoelektronik cihazlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, optoelektronik cihazların üretiminde yaygın olarak kullanılır.

2RF ve mikrodalga cihazları: Yarım yalıtımlı 4H-SiC'nin yüksek elektron hareketliliği ve düşük kaybı özellikleri.

3Diğer alanlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, radyasyon dedektörleri gibi diğer alanlarda da bazı uygulamalara sahiptir.

4Yüksek ısı iletkenliği ve mükemmel mekanik dayanıklılığı nedeniyle 4H-yarı SiCAşırı sıcaklıklarda.


5Güçlü elektronik cihazlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, yüksek güçlü güç cihazlarının üretiminde yaygın olarak kullanılır.

4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları 0

Diğer ilgili ürün HP 4-H yarı SIC:

4H-N SIC

4" 4H-Yarı Yüksek Saflıklı SIC Waferleri Başlıca Sınıf Yarım iletken EPI Substratları 1

HPSI hakkında sık sorulan sorular4H yarı SIC:

S: Marka adı nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?

A: Marka adıHPSI 4 saatlik yarı SICZMSH.

S: Sertifikasyon nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?

A: SertifikasyonHPSI 4 saatlik yarı SICROHS'dir.

S: Ürünlerin kökeni nerede?HPSI 4 saatlik yarı SIC?

A: Doğum yeriHPSI 4 saatlik yarı SICÇin.

S: MOQ nedir?Bir seferde HPSI 4 saatlik yarı SIC?

A: MOQHPSI 4 saatlik yarı SICBir seferde 25 adet.