Ev
>
Ürünler
>
SiC Substrat
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | ZMSH |
| Sertifika | ROHS |
| Model numarası | 4H-Yarı SIC |
Açıklama:
Yarı yalıtım 4H-SiC (Yarı yalıtım)4H-SIC) özel bir silikon karbid malzemesidir.Kristal yapısında, 4H-yarı iletkenli SIC yarı iletken özelliklere sahiptir, yarı yalıtılmış 4H-yarı iletkenli silikon karbür daha yüksek direnç özelliklerine sahiptir.yalıtıcılara benzer özelliklere sahip.Yarı yalıtımlı4H yarı iletkenli silikon karbüriçinde önemli uygulamalaryarı iletkencihaz üretimi, özellikle yüksek güç ve yüksek sıcaklık uygulamalarında.yarı yalıtımlı silikon Karbitbir direnç, yalıtım katmanı veyaAltyapılarcihazlar arasındaki akım bağlantısını ve müdahaleyi azaltmaya yardımcı olmak için.Saat 4'te.Kristal yapısını gösterirsilikon karbür.4H-silikon karbürSilikon ve karbon atomlarının istikrarlı bir kristal yapısı oluşturduğu kristal yapının bir biçimidir.
Özellikleri:
|
Özellikleri |
Tanımlamalar |
|
Yüksek sıcaklık özelliği |
4H yarı iletkenli silikon karbid mükemmel yüksek sıcaklık özelliklerine sahiptir ve yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir. |
|
Yüksek basınç direnci |
4H-yarı iletkenli silikon karbid, yüksek parçalanma elektrik alanı kuvveti ve voltaj direnci vardır. Bu, onu güç elektroniği gibi yüksek voltajlı uygulamalar için uygundur. |
|
Yüksek gereksinim yanıtı |
4H yarı iletkenli silikon karbid, yüksek elektron hareketliliğine ve düşük kapasitans özelliklerine sahiptir, bu da yüksek hızlı anahtarlamayı ve düşük kayıplı güç dönüşümünü sağlar. |
|
Düşük açıklık kaybı |
4H yarı SIC düşük bir açıklık kaybına sahiptir, yani iletken durumda daha az enerji kaybına sahiptir ve enerji dönüşümünde ısı kaybını azaltır. |
|
Yüksek radyasyon direnci |
4H yarı SIC, radyasyona karşı yüksek bir direnci vardır ve yüksek radyasyon ortamlarında istikrarlı bir performans koruyabilir. |
|
İyi ısı iletkenliği |
4H yarı SIC iyi ısı iletkenliğine sahiptir ve ısıyı etkili bir şekilde aktarıp dağıtabilir. |
|
Yüksek kimyasal direnç |
4H yarı SIC, zorlu ortamlarda istikrarlı bir performans sağlamak için kimyasal korozyona ve oksidasyona karşı yüksek dayanıklılığa sahiptir. |
Teknik parametreler:
|
|
Üretim |
Araştırma |
Aptal. |
|
Türü |
4 saat |
4 saat |
4 saat |
|
Direnci ((ohm·cm) |
≥1E9 |
%100 alan>1E5 |
%70 alan>1E5 |
|
Çapraz |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
|
Kalınlığı |
500±25μm |
500±25μm |
500±25μm |
|
Eksen |
<0001> |
<0001> |
<0001> |
|
TTV |
≤5μm |
≤ 10μm |
≤ 20μm |
|
LTV ((5mm*5mm) |
≤3μm |
≤5μm |
≤ 10μm |
|
Yere kapanın. |
-25μm~25μm |
-35μm~35μm |
-45μm~45μm |
|
Warp. |
≤35μm |
≤ 45μm |
≤ 55μm |
|
Ra ((5um*5um) |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
|
Mikropip yoğunluğu |
≤1ea/cm2 |
≤10ea/cm2 |
≤15ea/cm2 |
1Yüksek saflıklı 4H-yarı SIC substrat, güç elektronik cihazlarında kullanılabilir.
2Yüksek saflık 4H-yarı SIC, optoelektronik cihazların üretimi için kullanılabilir.
3Yüksek saflıklı 4H yarı SIC, yüksek frekanslı güç güçlendirici cihazlar olarak kullanılabilir.
4Yüksek saflık 4H-yarı SIC kullanılabilir verimli güneş hücreleri üretmek için kullanılabilir.
5Yüksek saflık 4H-yarım SIC, LED (ışık yayıcı diyot) cihazları üretmek için kullanılabilir.
6Yüksek saflık 4H-yarı SIC, yüksek sıcaklıklı elektronik cihazlarda önemli uygulamalara sahiptir.
7Yüksek saflık 4H-yarı SIC kullanılabilir çeşitli sensör türleri üretmek için kullanılabilir
Sık Sorulan Sorular:
S: Sertifikasyon nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: SertifikasyonHPSI 4 saatlik yarı SICROHS'dir.
S: Marka adı nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: Marka adıHPSI 4 saatlik yarı SICZMSH.
S: Ürünlerin kökeni nerede?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: Doğum yeriHPSI 4 saatlik yarı SICÇin.
S: MOQ nedir?Bir seferde HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: MOQHPSI 4 saatlik yarı SICBir seferde 25 adet.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
