GaN-ON-GaN Mikro LED EPI Gofretler Serbest Daimi GaN Yüzeyler 2 İnç

B2 inç GaN-ON-GaN Mavi Yeşil Mikro-LED epi gofretler, bağımsız GaN alt tabakalarında

Serbest duran GaN alt tabakaları üzerinde 2 inç GaN-ON-GaN PIN gofretleri

GaN-on-GaN Özelliği Hakkında Tanıtım

Dikey GaN güç cihazları, özellikle 600 V'un üzerindeki dikey GaN cihazları gibi yüksek voltaj gereksinimleri olan uygulamalarda, güç cihazı endüstrisinde devrim yaratma potansiyeline sahiptir. Malzemenin fiziksel özelliklerine bağlı olarak, GaN cihazları belirli bir sıcaklıkta daha düşük direnç gösterir geleneksel silikon bazlı güç cihazlarından ve yeni ortaya çıkan saf silisyum karbür güç cihazlarından daha fazla kırılma voltajı.Yatay GaN güç cihazları, yani GaN-on-Silicon yüksek hareketlilik transistörleri (HEMT'ler), düşük voltaj pazarında silikon cihazlarla rekabet eder ve GaN üstündür, bu da GaN malzemelerinin üstünlüğünü kanıtlar.
Dikey GaN güç cihazlarının, yüksek voltaj pazarında saf silisyum karbür güç cihazlarıyla rekabet etmesi bekleniyor.İlk iki yılda SiC cihazları yüksek voltaj uygulama pazarında belli bir pazar payı elde etmiş ve bazı firmalar 6 inçlik ve 8 inçlik SiC üretimini genişletmiştir.Buna karşılık, dikey GaN cihazları henüz ticari olarak mevcut değildir ve çok az sayıda tedarikçi 4 inç çapında GaN wafer üretebilir.Yüksek kaliteli GaN gofret arzının arttırılması, dikey GaN cihazlarının geliştirilmesi için kritik öneme sahiptir.
Galyum nitrürden yapılmış yüksek voltajlı güç cihazlarının üç potansiyel avantajı vardır:
1. Belirli bir arıza gerilimi altında, teorik açık direnç çok daha küçüktür.Bu nedenle, ileri yönlü beslemede daha az güç kaybedilir ve enerji verimliliği daha yüksektir.

İkincisi, verilen arıza voltajı ve açık direnç altında, fabrikasyon cihazın boyutu daha küçüktür.Cihaz boyutu ne kadar küçük olursa, tek bir gofretten o kadar fazla cihaz yapılabilir ve bu da maliyeti düşürür.Ayrıca, çoğu uygulama daha küçük yongalar gerektirir.
3. Galyum nitrür, cihazın maksimum çalışma frekansında bir avantaja sahiptir ve frekans, malzeme özellikleri ve cihaz tasarımı ile belirlenir.Genellikle silisyum karbürün en yüksek frekansı yaklaşık 1 MHz veya daha azdır, galyum nitrürden yapılan güç cihazları ise onlarca MHz gibi daha yüksek frekanslarda çalışabilir.Daha yüksek frekanslarda çalışmak, pasif bileşenlerin boyutunu küçültmek, böylece güç dönüştürme sisteminin boyutunu, ağırlığını ve maliyetini azaltmak için faydalıdır.
Dikey GaN cihazları hala araştırma ve geliştirme aşamasındadır ve endüstri, optimal GaN dikey güç cihazının yapısı konusunda henüz bir fikir birliğine varmamıştır.Üç ana cihaz yapısı, Mevcut Açıklıklı Dikey Elektron Transistör (CAVET), Siper Alan Etkili Transistör (Trench FET) ve Fin Alan Etkili Transistör (Fin FET) içerir.Tüm cihaz yapıları, sürüklenme katmanı olarak düşük N katkılı bir katman içerir.Bu katman çok önemlidir çünkü sürüklenme katmanının kalınlığı cihazın kırılma gerilimini belirler.Ek olarak, elektron konsantrasyonu teorik olarak en düşük direncin elde edilmesinde rol oynar.önemli rol.

Her Sınıf için GaN-on-GaN Substratlarının Spesifikasyonları