HPSI 4H-SEMI Şeffaf Renksiz Özelleştirilmiş SIC Lens

ZMSH, SiC gofret ve Epitaxy sunar: SiC gofret, mükemmel performansa sahip üçüncü nesil geniş bant aralıklı yarı iletken malzemedir.Geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenlik, yüksek arıza elektrik alanı, yüksek içsel sıcaklık, radyasyon direnci, iyi kimyasal kararlılık ve yüksek elektron doygunluğu sürüklenme hızı avantajlarına sahiptir.SiC gofret ayrıca havacılık, demiryolu taşımacılığı, fotovoltaik enerji üretimi, güç aktarımı, yeni enerji araçları ve diğer alanlarda büyük uygulama beklentilerine sahiptir ve güç elektroniği teknolojisinde devrim niteliğinde değişiklikler getirecektir.Si yüzü veya C yüzü, nitrojen gazı ile paketlenmiş epi-hazır sınıf olarak CMP'dir, her bir gofret, 100 temiz sınıf odasının altında bir gofret kabındadır.

Epi-ready SiC gofretler N tipi veya Yarı yalıtımlıdır, politipi farklı kalite sınıflarında 4H veya 6H'dir, Mikropipe Yoğunluğu (MPD): Serbest, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/ cm2 ve mevcut boyut 2”,3”,4” ve 6”'dir.SiC Epitaxy ile ilgili olarak, Gofretten gofrete kalınlık tekdüzeliği: %2 ve Gofretten gofrete doping homojenliği: 4%, mevcut doping konsantrasyonu katkısız, E15,E16,E18,E18/cm3, n tipi ve p tipi epi tabakası mevcuttur, epi kusurları 20/cm2'nin altındadır;Tüm substrat epi büyüme için üretim sınıfı kullanılmalıdır;N-tipi epi katmanları <20 mikron öncesinde n-tipi, E18 cm-3, 0,5 μm tampon katman;N-tipi epi katmanları >20 mikron, n-tipi, E18, 1-5 um tampon katmanından önce gelir;N-tipi katkılama, Hg probu CV kullanılarak gofret (17 puan) boyunca ortalama bir değer olarak belirlenir;Kalınlık, FTIR kullanılarak gofret (9 puan) boyunca ortalama bir değer olarak belirlenir.