Ev
>
Ürünler
>
SiC Substrat
>
|
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | zmkj |
| Model numarası | 6h-n, 4h-yarı |
4 inç dia100m 4H-N tipi Üretim sınıfı DUMMY sınıfı SiC alt tabakalar, yarı iletken bir cihaz için Silisyum Karbür alt tabakalar,
4h-yarı 4h-N özelleştirilmiş kare şekilli gofretler
Uygulama alanları
1 yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik cihazlar Schottky diyotları,
JFET, BJT, PiN, diyotlar, IGBT, MOSFET
2 optoelektronik cihaz: esas olarak GaN/SiC'de kullanılır mavi LED substrat malzemesi (GaN/SiC) LED
Avantaj
• Düşük kafes uyumsuzluğu
• Yüksek termal iletkenlik
• Düşük güç tüketimi
• Mükemmel geçici özellikler
• Yüksek bant aralığı
Silisyum Karbür SiC kristal substrat gofret carborundum
SİLİKON KARBÜR MALZEME ÖZELLİKLERİ
| Ürün adı: | Silisyum karbür (SiC) kristal substrat | ||||||||||||||||||||||||
| Ürün Açıklaması: | 2-6 inç | ||||||||||||||||||||||||
| Teknik parametreler: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Özellikler: | 6H N tipi 4H N tipi yarı yalıtımlı çap2 "x0,33mm, çap2" x0,43mm,çap2''x1mmt, 10x10mm, 10x5mm Tek atış veya çift atış, Ra <10A | ||||||||||||||||||||||||
| Standart paketleme: | 1000 temiz oda, 100 temiz torba veya tekli kutu ambalaj |
2. standart yüzey boyutu
|
4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu |
|||||||||
| Seviye | Sıfır MPD Notu | Üretim Sınıfı | Araştırma Notu | Sahte Not | |||||
| Çap | 100,0 mm±0,5 mm | ||||||||
| Kalınlık | 350 μm±25μm (200-500um kalınlık da uygundur) | ||||||||
| Gofret Yönü | Eksen dışı : 4,0°, <1120> yönünde 4H-N/4H-SI için ±0,5° Eksen üzerinde : 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI için <0001>±0,5° | ||||||||
| Mikro Boru Yoğunluğu | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 | |||||
| Direnç | 4H-K | 0,015~0,028 Ω•cm | |||||||
| 6H-K | 0,02~0,1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Birincil Düz ve uzunluk | {10-10}±5,0° ,32,5 mm±2,0 mm | ||||||||
| İkincil Düz Uzunluk | 18,0 mm±2,0 mm | ||||||||
| İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüzü yukarı: 90° CW.Prime düz ±5.0° | ||||||||
| Kenar hariç tutma | 3 mm | ||||||||
| TTV/Yay/Çözgü | ≤15μm /≤25μm /≤40μm | ||||||||
| Pürüzlülük | Lehçe Ra≤1 nm ,CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar | Hiçbiri | 1 izin verilir, ≤2 mm | Kümülatif uzunluk ≤ 10mm, tek uzunluk≤2mm | ||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla altıgen plakalar | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤3% | ||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla Politip Alanlar | Hiçbiri | Kümülatif alan ≤2% | Kümülatif alan ≤5% | ||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çizikler | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 3 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | 1 × gofret çapı kümülatif uzunluğuna 5 çizik | ||||||
| kenar çipi | Hiçbiri | 3 izin verilir, her biri ≤0,5 mm | 5 izin verilir, her biri ≤1 mm | ||||||
| Yüksek yoğunluklu ışıkla kirlenme | Hiçbiri | ||||||||
Sic gofret ve külçeler 2-6 inç ve diğer özelleştirilmiş boyutlar da sağlanabilir.
3. teslimat öncesi ürünlerin resimleri
A: yarı iletken gofretler veOptik lens, aynalar, pencereler, filtreler, prizmalar
A:Genel olarak, özel üretim optikler için teslimat süresi yaklaşık bir aydır. Stok olanlar veya bazı özel optikler hariç.
A:İsteğiniz doğrultusunda stok optiğimiz varsa ücretsiz numune sağlayabiliriz, özel üretilen numuneler ise ücretsiz değildir.
Adedi, gofret veya lensin çoğu için 10 adettir, büyük boyutta bir elemana ihtiyacınız varsa Adedi yalnızca tek parça olabilir.
T/T,L/C,VISA,Paypal,Alipay veya Müzakere.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
