Enerji İçin Yüksek Güç Verimliliği GaN gofret Galyum Nitrür Gofret - Verimli Aydınlatma

GaN Özelliği Hakkında

Yüksek hızlı, yüksek sıcaklık ve yüksek güç kullanma yeteneklerine olan artan talep, yarıiletken endüstrisinin yarı iletkenler olarak kullanılan malzemelerin seçimini yeniden gözden geçirmesine neden olmuştur. Örneğin,

çeşitli daha hızlı ve daha küçük bilgisayar aygıtları ortaya çıktıkça, silikon kullanımı Moore Yasasını sürdürmeyi zorlaştırmaktadır. Ama aynı zamanda güç elektroniğinde, So GaN yarı iletken gofret ihtiyacı için büyüdü.

Eşsiz özellikleri (yüksek maksimum akım, yüksek arıza gerilimi ve yüksek anahtarlama frekansı) sayesinde, Galyum Nitrür GaN geleceğin enerji sorunlarını çözmek için tercih edilen eşsiz bir malzemedir. GaN tabanlı sistemler daha yüksek bir güç verimliliğine sahiptir, dolayısıyla güç kayıplarını azaltır, daha yüksek frekansta geçiş yapar, böylece boyut ve ağırlığı azaltır.

GaN teknolojisi, endüstriyel, tüketici ve sunucu güç kaynakları, güneş, AC sürücü ve UPS invertörleri, hibrit ve elektrikli arabalar gibi çok sayıda yüksek güçlü uygulamalarda kullanılmaktadır. Ayrıca,

GaN, hücresel baz istasyonları, radarlar ve kablolu TV gibi RF uygulamaları için idealdir.

Ağ, havacılık ve savunma sektörlerindeki altyapı, yüksek kopma mukavemeti, düşük gürültü oranı ve yüksek doğrusallığı sayesinde.

Uygulamalar

GaN Substrates LED sınıfı için özellikler