4 inç dia100m 4H-N tipi Üretim sınıfı DUMMY sınıfı SiC substratlar, yarı iletken cihaz için Silisyum Karbür substratlar,
Uygulama alanları
1 adet yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik cihaz Schottky diyotları,
JFET, BJT, PiN, diyotlar, IGBT, MOSFET
2 optoelektronik cihaz: esas olarak GaN / SiC mavi LED substrat malzemesi (GaN / SiC) LED'de kullanılır
Avantaj
• Düşük kafes uyumsuzluğu
• Yüksek termal iletkenlik
• Düşük güç tüketimi
• Mükemmel geçici özellikler
• Yüksek bant aralığı
Silisyum Karbür SiC kristal substrat gofret karborundum
SİLİKON KARBÜR MALZEME ÖZELLİKLERİ
Ürün adı: | Silisyum karbür (SiC) kristal substrat | ||||||||||||||||||||||||
Ürün Açıklaması: | 2-6 inç | ||||||||||||||||||||||||
Teknik parametreler: |
|
||||||||||||||||||||||||
Özellikler: | 6H N-tipi 4H N-tipi yarı yalıtımlı dia2 "x0.33mm, dia2" x0.43mm, dia2''x1mmt, 10x10mm, 10x5mm Tek atışlı veya çift atışlı, Ra <10A | ||||||||||||||||||||||||
Standart paketleme: | 1000 temiz oda, 100 temiz torba veya tek kutu ambalaj |
2. standart yüzey boyutu
4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu |
|||||||||
Derece | Sıfır MPD Sınıfı | Üretim Derecesi | Araştırma Notu | Dummy Grade | |||||
Çap | 100.0 mm ± 0.5 mm | ||||||||
Kalınlık | 350 μm ± 25μm (200-500um kalınlık da tamam) | ||||||||
Gofret Yönlendirme | Eksen dışı: 4H-N / 4H-SI için 4,0 ° <1120> yönünde ± 0,5 ° Eksende: 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI için <0001> ± 0,5 ° | ||||||||
Mikropipe Yoğunluğu | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |||||
Dirençlilik | 4H-N | 0,015 ~ 0,028 Ω • cm | |||||||
6H-N | 0,02 ~ 0,1 Ω • cm | ||||||||
4 / 6H-SI | ≥1E5 Ω · cm | ||||||||
Birincil Daire ve uzunluk | {10-10} ± 5,0 °, 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||||||
İkincil Düz Uzunluk | 18.0mm ± 2.0 mm | ||||||||
İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüz yukarı: 90 ° CW.Prime flat'den ± 5.0 ° | ||||||||
Kenar dışlama | 3 mm | ||||||||
TTV / Yay / Çözgü | ≤15μm / ≤25μm / ≤40μm | ||||||||
Pürüzlülük | Lehçe Ra≤1 nm, CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar | Yok | 1 izin verilir, ≤2 mm | Kümülatif uzunluk ≤ 10mm, tek uzunluk 2mm | ||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla Hex Plates | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤3% | ||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla Polytype Alanları | Yok | Kümülatif alan ≤2% | Kümülatif alan ≤5% | ||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla çizikler | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa 3 çizik | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa kadar 5 çizik | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa kadar 5 çizik | ||||||
kenar çipi | Yok | 3 adet izin verilir, her biri ≤0,5 mm | 5 adet izin verilir, her biri ≤1 mm | ||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla kirlenme | Yok |
Sic gofret & külçeleri 2-6 inç ve diğer özelleştirilmiş boyut da sağlanabilir.
3. Teslimat Ürünlerinin Resimleri
Teslimat paketi
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın